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Transistors (13833)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
BCX55H6327XTSA1	0.1920	RFQ	8172	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa	BCX55			2 W		PG-Sot89	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000																	60 V	1 a						100NA (ICBO)			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	40 @ 150mA, 2V	100 MHz
IPI120N04S4-01M	-	RFQ	2230	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète				IPI120N						télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001251474	EAR99	8541.29.0095	500						-
IRLR8503TRL	-	RFQ	2045	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n			30 V	44a (TC)	4,5 V, 10V	16MOHM @ 15A, 10V	3V à 250µA	20 nc @ 5 V	± 20V	1650 pf @ 25 V	-	62W (TC)
BFG 235 E6327	-	RFQ	1508	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	BFG 235			2W		PG-Sot223-4	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000				12,5 dB													15V	300mA									NPN		75 @ 200mA, 8V	5,5 GHz			1,7 dB à 900 MHz
FD400R33KF2CKNOSA1	-	RFQ	2448	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module	FD400R33			4800 W	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2	Hélicoptère															-	3300 V	660 A		4.25 V @ 15V, 400A				5 mA	Non	50 nf @ 25 V
IRL3705Zstrl	-	RFQ	4004	Infineon Technologies	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n			55 V	75A (TC)		8MOHM @ 52A, 10V	3V à 250µA	60 NC @ 5 V		2880 pf @ 25 V	-
IPA60R280P7SXKSA1	1.5800	RFQ	480	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tube	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	IPA60R280		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 220-FP	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			600 V	12A (TC)	10V	280MOHM @ 3,8A, 10V	4V @ 190µA	18 NC @ 10 V	± 20V	761 PF @ 400 V	-	24W (TC)
Spa08n50c3xkas1	1 0000	RFQ	4176	Infineon Technologies	CoolMos ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à220-3-111	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			560 V	7.6a (TC)	10V	600mohm @ 4.6a, 10v	3,9 V @ 350µA	32 NC @ 10 V	± 20V	750 pf @ 25 V	-	32W (TC)
SKB15N60 E8151	-	RFQ	5251	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SKB15N	Standard		139 W		PG à263-3-2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			400V, 15A, 21 ohms, 15v												279 ns	NPT	600 V	31 A	62 A	2,4 V @ 15V, 15A	570 µJ	76 NC	32NS / 234NS
BCP5610H6327XTSA1	0 2968	RFQ	7884	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	BCP56			2 W		PG-Sot223-4-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000																	80 V	1 a						100NA (ICBO)			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	63 @ 150mA, 2V	100 MHz
IMZA120R030M1HXKSA1	21.4204	RFQ	9112	Infineon Technologies	Coolsic ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-4			Sic (transistor de jonction en carbure de silicium)			PG à247-4-U02	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	30		Canal n			1200 V	70A (TC)	15V, 18V	40,9MOHM @ 25.6A, 18V	5.2v @ 11m	68 NC @ 18 V	+ 20V, -7V	2160 PF @ 800 V	-	273W (TC)
IKY150N65EH7XKSA1	17.1200	RFQ	218	Infineon Technologies	-	Tube	Actif										télécharger		Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	240
BCX6925E6327HTSA1	0,5100	RFQ	183	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa	BCX69			3 W		PG-Sot89	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000																	20 V	1 a						100NA (ICBO)			Pnp	500 MV à 100MA, 1A	160 @ 500mA, 1V	100 MHz
Irgps60b120kdp	-	RFQ	1626	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 274aa	Irgps60	Standard		595 W		Super-247 ™ (à 274aa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			600V, 15A, 4,7 ohms, 15v												180 ns	NPT	1200 V	105 A	240 A	2 75 V @ 15V, 60A	3,21MJ (ON), 4 78MJ (OFF)	340 NC	-
IRl7833Strlpbf	2.3700	RFQ	1334	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRL7833		MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n			30 V	150a (TC)	4,5 V, 10V	3,8MOHM @ 38A, 10V	2,3 V @ 250µA	47 NC @ 4,5 V	± 20V	4170 PF @ 15 V	-	140W (TC)
IQE008N03LM5ATMA1	2.6800	RFQ	7	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	Iqe008n		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-TSON-8-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n			30 V	27A (TA), 253A (TC)	4,5 V, 10V	0,85 mohm @ 20a, 10v	2V à 250µA	64 NC @ 10 V	± 16V	5700 pf @ 15 V	-	2.1W (TA), 89W (TC)
BCR 116S E6727	-	RFQ	6152	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR 116			250mw		Pg-sot363-po	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000																	50v	100 mA						-			2 npn - Pré-biaisé (double)	300 mV à 500 µA, 10mA	70 @ 5mA, 5V	150 MHz	4,7 kohms	47 kohms
Irf3575dtrpbf	-	RFQ	4847	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	32-Powerwfqfn	IRF3575		MOSFET (Oxyde Métallique)	-		32-PQFN (6x6)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)				25V	303a (TC)		-	-	-		-	-
BFP 740FESD E6327	-	RFQ	7764	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	4 mm, plombes plombes	BFP 740			160mw		4-TSFP	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000				9 dB ~ 31 dB													4.7 V	45mA									NPN		160 @ 25mA, 3V	47 GHz			0,5 dB ~ 1,45 dB à 150 MHz ~ 10 GHz
IRL3103D1PBF	-	RFQ	8288	Infineon Technologies	Fetky ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220ab	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRL3103D1PBF	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			30 V	64a (TC)	4,5 V, 10V	14MOHM @ 34A, 10V	1V @ 250µA	43 NC @ 4,5 V	± 16V	1900 pf @ 25 V	-	2W (TA), 89W (TC)
Irfz48npbf	1.5900	RFQ	5	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irfz48		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			55 V	64a (TC)	10V	14MOHM @ 32A, 10V	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	± 20V	1970 PF @ 25 V	-	130W (TC)
FS35R12KE3GBOSA1	-	RFQ	6342	Infineon Technologies	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module	FS35R12			200 W	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Achèvement Pont															-	1200 V	55 A		2.15V @ 15V, 35A				5 mA	Oui	2,5 nf @ 25 V
Irfsl7430pbf	-	RFQ	1788	Infineon Technologies	Hexfet®, Strongirfet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRFSL7430		MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001557608	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			40 V	195a (TC)	6v, 10v	1,2 mohm @ 100a, 10v	3,9 V @ 250µA	460 NC @ 10 V	± 20V	14240 PF @ 25 V	-	375W (TC)
IKZ50N65ES5XKSA1	6.9900	RFQ	9460	Infineon Technologies	TRENCHSTOP ™ 5	Tube	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-4	IKZ50N65	Standard		274 W		PG à247-4	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			400V, 25A, 23,1 ohms, 15v												62 ns	Tranché	650 V	80 A	200 A	1,7 V @ 15V, 50A	770 µJ (ON), 880µJ (OFF)	120 NC	36ns / 294ns
IAUZ40N10S5L120ATMA1	0,6886	RFQ	6955	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-TSDSON-8-33	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n			100 V	46a (TJ)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 20A, 10V	2,2 V @ 27µA	22,6 NC @ 10 V	± 20V	1589 pf @ 50 V	-	62W (TC)
SMBT3906E6327HTSA1	0,3700	RFQ	68	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MBT3906			330 MW		PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																	40 V	200 mA						50NA (ICBO)			Pnp	400 MV à 5MA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250 MHz
Irf9392pbf	-	RFQ	4965	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IRF9392		MOSFET (Oxyde Métallique)			8-so	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	95		Canal p			30 V	9.8A (TA)	10V, 20V	12.1MOHM @ 7.8A, 20V	2,4 V @ 25µA	14 NC @ 4,5 V	± 25V	1270 PF @ 25 V	-	2.5W (TA)
Ipp070n06ngin	-	RFQ	4678	Infineon Technologies	*	En gros	Actif										-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1
BC849CE6327HTSA1	0,0418	RFQ	2427	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC849			330 MW		PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																	30 V	100 mA						15NA (ICBO)			NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	250 MHz
BFS 386L6 E6327	-	RFQ	9433	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	150 ° C (TJ)	Support de surface	6-xfdfn				210mw, 380mw		TSLP-6-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	15 000				10 dB ~ 14,5 dB													6V	35mA, 80mA									2 npn (double)		60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V	14 GHz			1 dB ~ 1,6 dB @ 1,8 GHz ~ 3 GHz

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