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Transistors (13833)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Bsz014ne2ls5ifatma1 | 2.3100 |  | 47 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | BSZ014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-TSDSON-8-FL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 25 V | 31A (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 1 45 mohm @ 20a, 10v | 2V à 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 16V | 2300 pf @ 12 V | Diode Schottky (Corps) | 2.1W (TA), 69W (TC) | |
 | BSP296 E6433 | - | | 9182 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-Sot223-4 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 100 V | 1.1A (TA) | 4,5 V, 10V | 700MOHM @ 1.1A, 10V | 1,8 V @ 400µA | 17.2 NC @ 10 V | ± 20V | 364 PF @ 25 V | - | 1.79W (TA) | ||
 | Ipb06cn10n g | - | | 6249 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Ipb06c | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 263-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 100A (TC) | 10V | 6,2MOHM @ 100A, 10V | 4V à 180µA | 139 NC @ 10 V | ± 20V | 9200 pf @ 50 V | - | 214W (TC) |
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