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Transistors (13833)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
BCR505E6327HTSA1	0,3900	RFQ	2824	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière			Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR505				330 MW	PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																				50 V	500 mA							100NA (ICBO)	NPN - Pré-biaisé	300 mV à 2,5 mA, 50mA	70 @ 50mA, 5V	100 MHz	2,2 kohms	10 kohms
Irfi1310npbf	2.4000	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	IRFI1310			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220AB Full-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						100 V	24a (TC)	10V	36MOHM @ 13A, 10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 25 V	-	56W (TC)
SPW35N60CFDFKSA1	11.2900	RFQ	380	Infineon Technologies	CoolMos ™	Tube	Pas de designs les nouveaux		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	SPW35N60			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à247-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						600 V	34.1a (TC)	10V	118MOHM @ 21.6A, 10V	5V @ 1,9mA	212 NC @ 10 V	± 20V	5060 PF @ 25 V	-	313W (TC)
AIHD03N60RFATMA1	-	RFQ	6976	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	AIHD03	Standard			53,6 W	PG à252-3-313	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001346868	EAR99	8541.29.0095	2 500				400 V, 2,5A, 68OHM, 15V															Arête du Champ de Tranché	600 V	5 a	7.5 A	2,5 V @ 15V, 2,5A	50µJ (ON), 40µJ (OFF)	17.1 NC	10ns / 128ns
SPI08N50C3	1 0000	RFQ	3792	Infineon Technologies	CoolMos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa				MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à262-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						560 V	7.6a (TC)	10V	600mohm @ 4.6a, 10v	3,9 V @ 350µA	32 NC @ 10 V	± 20V	750 pf @ 25 V	-	83W (TC)
IPDQ60R065S7XTMA1	9.0100	RFQ	8507	Infineon Technologies	CoolMos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Module 22-PowerBsop	Ipdq60r			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG-HDSOP-22-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	750		Canal n						600 V	9A (TC)	12V	65MOHM @ 8A, 12V	4,5 V @ 490µA	51 NC @ 12 V	± 20V	1932 PF @ 300 V	-	195W (TC)
BCX69-25E6327HTSA1	0.1400	RFQ	5	Infineon Technologies	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa					3 W	PG-Sot89	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	2 077																				20 V	1 a							100NA (ICBO)	Pnp	500 MV à 100MA, 1A	160 @ 500mA, 1V	100 MHz
SPD30N03S2L-07 G	0,5200	RFQ	1	Infineon Technologies	CoolMos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à252-3-313	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						30 V	30a (TC)	4,5 V, 10V	6,7MOHM @ 30A, 10V	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	± 20V	2530 pf @ 25 V	-	136W (TC)
Ipa65r190cfdxksa2	4.0800	RFQ	461	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Ipa65r			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 220-FP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						650 V	17.5A (TC)	10V	190mohm @ 7,3a, 10v	4,5 V @ 700µA	68 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 100 V	-	34W (TC)
Irfz44nl	-	RFQ	5428	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 262	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irfz44nl	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						55 V	49a (TC)	10V	17,5MOHM @ 25A, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1470 PF @ 25 V	-	3.8W (TA), 94W (TC)
BSP320SL6327	0 2200	RFQ	2	Infineon Technologies	Sipmos®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa				MOSFET (Oxyde Métallique)		PG-Sot223-4-21	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						60 V	2.9A (TJ)	10V	120 mohm @ 2,9a, 10v	4V @ 20µA	12 NC @ 10 V	± 20V	340 pf @ 25 V	-	1.8W (TA)
IPI100N04S303MATMA2	-	RFQ	4113	Infineon Technologies	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif					IPI100						télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000465798		0000.00.0000	350
IMW65R030M1HXKSA1	21.6000	RFQ	5674	Infineon Technologies	Coolsic ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IMW65R			Sicfet (carbure de silicium)		PG à247-3-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						650 V	58A (TC)	18V	42MOHM @ 29.5A, 18V	5,7 V @ 8,8mA	48 NC @ 18 V	+ 20V, -2V	1643 PF @ 400 V	-	197W (TC)
IPA60R125C6E8191XKSA1	-	RFQ	2694	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète					Ipa60r						télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001214406	EAR99	8541.29.0095	500									-
IPB025N08N3GATMA1	5.7600	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IPB025			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 263-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						80 V	120A (TC)	6v, 10v	2,5 mohm @ 100a, 10v	3,5 V @ 270µA	206 NC @ 10 V	± 20V	14200 pf @ 40 V	-	300W (TC)
IPI100N06S3L-03	-	RFQ	8595	Infineon Technologies	Optimos ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	IPI100N			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 262-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n						55 V	100A (TC)	5v, 10v	3MOHM @ 80A, 10V	2,2 V @ 230µA	550 NC @ 10 V	± 16V	26240 PF @ 25 V	-	300W (TC)
Bts112a	2.4100	RFQ	3	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1
Ipp120n06s402aksa1	-	RFQ	9961	Infineon Technologies	Optimos ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ipp120n			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à220-3-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n						60 V	120A (TC)	10V	2,8MOHM @ 100A, 10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	± 20V	15750 pf @ 25 V	-	188W (TC)
BTS244Z E3062A	-	RFQ	7272	Infineon Technologies	Tempfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-5, d²pak (4 leads + onglet), à 263bb				MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à220-5-62	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						55 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	13MOHM @ 19A, 10V	2V à 130µA	130 NC @ 10 V	± 20V	2660 pf @ 25 V	Diode de latection de température	170W (TC)
BC847BE6433	0,0300	RFQ	14	Infineon Technologies	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3					330 MW	PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	9 427																				45 V	100 mA							15NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	250 MHz
SP000629364	0 4600	RFQ	1	Infineon Technologies	CoolMos ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à220-3-1	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini				1		Canal n						600 V	4.4a (TC)	10V	950mohm @ 1,5a, 10v	3,5 V @ 130µA	13 NC @ 10 V	± 20V	280 pf @ 100 V	-	37W (TC)
Irf7353d1	-	RFQ	5136	Infineon Technologies	Fetky ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)				MOSFET (Oxyde Métallique)		8-so	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRF7353d1	EAR99	8541.29.0095	95		Canal n						30 V	6.5A (TA)	4,5 V, 10V	32MOHM @ 5.8A, 10V	1V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V	650 pf @ 25 V	Diode Schottky (isolé)	2W (ta)
BG3123E6327HTSA1	-	RFQ	5544	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	8 V		Support de surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BG3123		800 MHz	Mosfet		Pg-sot363-po	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canaux N (double)		25mA, 20mA		14 MA	-	25 dB											1,8 dB									5 V
Ipd60r385cpatma1	2.9600	RFQ	2096	Infineon Technologies	CoolMos ™ CP	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ipd60r			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						600 V	9A (TC)	10V	385MOHM @ 5.2A, 10V	3,5 V @ 340µA	22 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 100 V	-	83W (TC)
Ipp120n08s404aksa1	-	RFQ	7519	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ipp120			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à220-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n						80 V	120A (TC)	10V	4.4MOHM @ 100A, 10V	4V à 120µA	95 NC @ 10 V	± 20V	6450 pf @ 25 V	-	179W (TC)
IPS70R900P7SAKMA1	0,8500	RFQ	964	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tube	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	IPS70R900			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 251-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n						700 V	6A (TC)	10V	900MOHM @ 1.1A, 10V	3,5 V @ 60µA	6,8 NC @ 10 V	± 16V	211 PF @ 400 V	-	30,5W (TC)
SPB80N06S2L-09	-	RFQ	4572	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SPB80N			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à263-3-2	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						55 V	80A (TC)	4,5 V, 10V	8,5MOHM @ 52A, 10V	2V à 125µA	105 NC @ 10 V	± 20V	3480 pf @ 25 V	-	190W (TC)
BG3130RH6327XTSA1	-	RFQ	8239	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	8 V		Support de surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BG3130		800 MHz	Mosfet		Pg-sot363-po	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canaux N (double)		25m		14 MA	-	24 dB											1,3 dB									5 V
SPP08P06PBKSA1	-	RFQ	8867	Infineon Technologies	Sipmos®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Spp08p			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal p						60 V	8.8A (TC)	10V	300mohm @ 6.2a, 10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 20V	420 pf @ 25 V	-	42W (TC)
SPP100N08S2L-07	-	RFQ	6925	Infineon Technologies	Optimos ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	SPP100N			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à220-3-1	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n						75 V	100A (TC)	10V	6,8MOHM @ 68A, 10V	2V à 250µA	246 NC @ 10 V	± 20V	7130 pf @ 25 V	-	300W (TC)

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