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Transistors (13833)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
Irg4bc10sd-spbf	-	RFQ	2811	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		Standard		38 W	D2pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			480v, 8a, 100 ohms, 15v												28 ns	-	600 V	14 A	18 a	1,8 V @ 15V, 8A	310 µJ (ON), 3 28MJ (OFF)	15 NC	76ns / 815ns
IPG20N04S409AATMA1	0,6500	RFQ	2	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	Ipg20n		MOSFET (Oxyde Métallique)	54W (TC)	PG-TDSON-8-4	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	503	2 Canaux N (double)				40V	20A (TC)		8,6MOHM @ 17A, 10V	4V @ 22µA	28nc @ 10v		2250pf @ 25v	-
Spp24n60cfd	2.4200	RFQ	500	Infineon Technologies	CoolMos ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à220-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			600 V	21.7A (TC)	10V	185MOHM @ 15.4A, 10V	5V @ 1,2mA	143 NC @ 10 V	± 20V	3160 PF @ 25 V	-	240W (TC)
Bsb012ne2lx	-	RFQ	1590	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	3 WDSON			MOSFET (Oxyde Métallique)		MG-WDSON-2, Canpak M ™	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n			25 V	37a (TA), 170a (TC)	4,5 V, 10V	1,2 mohm @ 30a, 10v	2V à 250µA	67 NC @ 10 V	± 20V	4900 PF @ 12 V	-	2.8W (TA), 57W (TC)
BCR158E6327	1 0000	RFQ	6105	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR158			200 MW	PG-Sot23-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																	50 V	100 mA						100NA (ICBO)	PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	70 @ 5mA, 5V	200 MHz	2,2 kohms	47 kohms
BC817K-25WH6327	0,0500	RFQ	23	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BC817			500 MW	PG-Sot323-3-1	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	6 217																	45 V	500 mA						100NA (ICBO)		700 mV à 50ma, 500mA	160 @ 100mA, 1V	170 MHz
Ipp65r190cfdaaksa1	-	RFQ	5450	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ipp65r		MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000928266	EAR99	8541.29.0095	500		Canal n			650 V	17.5A (TC)	10V	190mohm @ 7,3a, 10v	4,5 V @ 700µA	68 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 100 V	-	151W (TC)
IPC022N03L3X1SA1	-	RFQ	7557	Infineon Technologies	Optimos ™	En gros	Abandonné à sic	-	Support de surface	Mourir	IPC022N		MOSFET (Oxyde Métallique)		Scion sur le papier d'Aluminium	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			30 V	1A (TJ)	10V	50MOHM @ 2A, 10V	2,2 V @ 250µA		-		-	-
IPB80N04S204ATMA1	-	RFQ	2325	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IPB80N		MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à263-3-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			40 V	80A (TC)	10V	3,4 mohm @ 80a, 10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	± 20V	5300 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IPD5N25S3430ATMA1	1.1400	RFQ	3	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ipd5n25		MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à252-3-313	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n			250 V	5A (TC)	10V	430MOHM @ 5A, 10V	4V @ 13µA	6.2 NC @ 10 V	± 20V	422 PF @ 25 V	-	41W (TC)
ILD03N60	0.1900	RFQ	1024	Infineon Technologies	Lumière	En gros	Actif	-	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Standard		27 W	PG à 252-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 343			400 V, 0,8A, 60 ohms, 10v												250 ns	-	600 V	4.5 A	5.5 A	2.9V @ 10V, 3A	12µJ (ON), 20µJ (OFF)	8,5 NC	15NS / 100NS
SIGC11T60NCX1SA2	-	RFQ	5765	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Mourir	Sigc11	Standard			Mourir	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE		1			300 V, 10A, 27OHM, 15V													NPT	600 V	10 a	30 A	2,5 V @ 15V, 10A	-		20ns / 110ns
Auirf4905xkma1	-	RFQ	4467	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète				Auirf4905					-					OBSOLÈTE		1
Auirfz46nl	-	RFQ	5932	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 262	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001521774	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			55 V	39a (TC)	10V	16,5MOHM @ 28A, 10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	± 20V	1696 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 107W (TC)
IPC302N15N3X7SA1	-	RFQ	7183	Infineon Technologies	Optimos ™ 3	En gros	Actif	-	Support de surface	Mourir	IPC302		MOSFET (Oxyde Métallique)		Mourir	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001155560	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			150 V	-	10V	100MOHM @ 2A, 10V	4V @ 270µA		-		-	-
Irfc3710zeb	-	RFQ	6685	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète									télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1						-
Irfr024ntrlpbf	1.0200	RFQ	5	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Irfr024		MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n			55 V	17A (TC)	10V	75MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	370 pf @ 25 V	-	45W (TC)
FP150R12N3T4PB81BPSA1	447.9833	RFQ	5292	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif				FP150R12					-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	6
Irf40h233xtma1	-	RFQ	5323	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	8-PowerTDFN	IRF40H233		MOSFET (Oxyde Métallique)	-	PG-TDSON-8-900	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000	2 Canaux N (double)				40V	-		-	-	-		-	-
Irfp4310zpbf	4.8200	RFQ	1	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IRFP4310		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		Canal n			100 V	120A (TC)	10V	6MOHM @ 75A, 10V	4V à 150µA	170 NC @ 10 V	± 20V	6860 pf @ 50 V	-	280W (TC)
Ipp016n06nf2sakma1	2.5800	RFQ	954	Infineon Technologies	Strongirfet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à220-3-U05	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			60 V	36a (TA), 194a (TC)	6v, 10v	1,6 mohm @ 100a, 10v	3,3 V @ 186µA	233 NC @ 10 V	± 20V	10500 pf @ 30 V	-	3.8W (TA), 250W (TC)
Irlu8113pbf	-	RFQ	3466	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n			30 V	94a (TC)	4,5 V, 10V	6MOHM @ 15A, 10V	2,25 V @ 250µA	32 NC @ 4,5 V	± 20V	2920 pf @ 15 V	-	89W (TC)
SPI07N65C3IN	-	RFQ	4300	Infineon Technologies	CoolMos ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à262-3-1	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			650 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 4.6a, 10v	3,9 V @ 350µA	27 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 25 V	-	83W (TC)
IPB027N10N5ATMA1	6.2800	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IPB027		MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 263-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			100 V	120A (TC)	6v, 10v	2,7MOHM @ 100A, 10V	3,8 V @ 184µA	139 NC @ 10 V	± 20V	10300 pf @ 50 V	-	250W (TC)
SPB08N03L	3.1700	RFQ	1	Infineon Technologies	-	En gros	Actif									télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1 000
Auirgr4045dtrl	-	RFQ	6363	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Irgr4045	Standard		77 W	À 252aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001511556	EAR99	8541.29.0095	3 000			400V, 6A, 47OHM, 15V												74 ns	Tranché	600 V	12 A	18 a	2V @ 15V, 6A	56µJ (ON), 122µJ (OFF)	19,5 NC	27NS / 75NS
SPP80N04S2-04	-	RFQ	4305	Infineon Technologies	Optimos ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	SPP80N		MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à220-3-1	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n			40 V	80A (TC)	10V	3,7MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	± 20V	6980 pf @ 25 V	-	300W (TC)
BFP196WH6740	0,2000	RFQ	99	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-82A, SOT-343				700mw	PG-Sot343-4-1	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	3 000				19 dB													12V	150m							NPN		70 @ 50mA, 8V	7,5 GHz			1,3 dB ~ 2,3 dB à 900 MHz ~ 1,8 GHz
IPW65R190C7XKSA1	4.8400	RFQ	8939	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ipw65r190		MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n			650 V	13A (TC)	10V	190mohm @ 5.7a, 10v	4V @ 290µA	23 NC @ 10 V	± 20V	1150 pf @ 400 V	-	72W (TC)
Irg7ph44k10dpbf	-	RFQ	4894	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Irg7ph	Standard		320 W	À 247AC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001544958	EAR99	8541.29.0095	25			600V, 25A, 10OHM, 15V												130 ns	-	1200 V	70 A	100 A	2,4 V @ 15V, 25A	2,1mj (on), 1,3mj (off)	200 NC	75ns / 315ns

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