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Transistors (13833)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
BCX 71H E6327	0,0400	RFQ	30	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			330 MW		PG-Sot23	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	7 454														45 V	100 mA		20NA (ICBO)			Pnp	550 mV à 1,25 mA, 50mA	180 @ 2MA, 5V	250 MHz
IPC26N12NX2SA1	-	RFQ	8497	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic				IPC26N					-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000980076		0000.00.0000	2 000				-
Irf6794mtr1pbf	2.2500	RFQ	624	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	DIRECTFET ™ ISOMÉTRIQUE MX		MOSFET (Oxyde Métallique)			DIRECTFET ™ MX	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	25 V	32A (TA), 200A (TC)	4,5 V, 10V	1,7MOHM @ 32A, 10V	2,35 V @ 100µA	47 NC @ 4,5 V	± 20V	4420 PF @ 13 V	Diode Schottky (Corps)	2.8W (TA), 100W (TC)
Irf6636tr1pbf	-	RFQ	8690	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	DirectFet ™ St Isométrique		MOSFET (Oxyde Métallique)			DirectFet ™ ST	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	20 V	18A (TA), 81A (TC)	4,5 V, 10V	4,5 mohm @ 18a, 10v	2 45 V @ 250µA	27 NC @ 4,5 V	± 20V	2420 pf @ 10 V	-	2.2W (TA), 42W (TC)
BSP300 E6327	-	RFQ	2487	Infineon Technologies	Sipmos®	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-Sot223-4-21	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	800 V	190mA (TA)	10V	20OHM @ 190mA, 10V	4V @ 1MA		± 20V	230 pf @ 25 V	-	1.8W (TA)
IRL3713PBF	-	RFQ	3206	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	30 V	260A (TC)	4,5 V, 10V	3MOHM @ 38A, 10V	2,5 V @ 250µA	110 NC @ 4,5 V	± 20V	5890 pf @ 15 V	-	330W (TC)
Irf7473trpbf	1.7100	RFQ	6	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IRF7473	MOSFET (Oxyde Métallique)			8-so	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000		Canal n	100 V	6.9a (TA)	10V	26MOHM @ 4.1A, 10V	5,5 V @ 250µA	61 NC @ 10 V	± 20V	3180 PF @ 25 V	-	2.5W (TA)
Irfz46zstrlpbf	0,7531	RFQ	6464	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfz46	MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	55 V	51A (TC)	10V	13,6MOHM @ 31A, 10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	± 20V	1460 pf @ 25 V	-	82W (TC)
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1	90.3700	RFQ	30	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif				FF33MR12	-				-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté				30											-
IRR3802TRPBF	-	RFQ	1703	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)			D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	12 V	84a (TC)	2,8 V, 4,5 V	8,5MOHM @ 15A, 4,5 V	1,9 V à 250µA	41 NC @ 5 V	± 12V	2490 pf @ 6 V	-	88W (TC)
Ff650r17ie4pbosa1	654.5700	RFQ	7059	Infineon Technologies	PrimePack ™ 2	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C	Soutenir de châssis	Module	FF650R17			Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3	2 indépendant												Arête du Champ de Tranché	1700 V	650 A	2,45 V @ 15V, 650A	5 mA	Oui	54 NF @ 25 V
BCR 158F E6327	-	RFQ	1284	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	SOT-723	BCR 158		250 MW		PG-TSFP-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000														50 V	100 mA		100NA (ICBO)			PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	70 @ 5mA, 5V	200 MHz	2,2 kohms	47 kohms
BSO130P03SHXUMA1	1.3300	RFQ	6663	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	BSO130	MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-DSO-8	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	30 V	9.2a (TA)	10V	13MOHM @ 11.7A, 10V	2,2 V @ 140µA	81 NC @ 10 V	± 25V	3520 pf @ 25 V	-	1 56W (TA)
Auirfn8403tr	-	RFQ	7640	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	IRFN8403	MOSFET (Oxyde Métallique)			8-pqfn (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000		Canal n	40 V	95a (TC)	10V	3,3MOHM @ 50A, 10V	3,9 V @ 100µA	98 NC @ 10 V	± 20V	3174 PF @ 25 V	-	4.3W (TA), 94W (TC)
Irf8010strrpbf	-	RFQ	8704	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	100 V	80A (TC)	10V	15MOHM @ 45A, 10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	± 20V	3830 pf @ 25 V	-	260W (TC)
Irfh7184atrpbf	-	RFQ	4985	Infineon Technologies	*	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète									-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001577910	OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 500
Ipd65r1k0ceauma1	0,3783	RFQ	5975	Infineon Technologies	CoolMos ™	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ipd65r1	MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	650 V	7.2a (TC)	10V	1OHM @ 1,5A, 10V	3,5 V @ 200µA	15.3 NC @ 10 V	± 20V	328 pf @ 100 V	-	68W (TC)
BSC886N03LSG	-	RFQ	6367	Infineon Technologies	Optimos ™ 3	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-TDSON-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n	30 V	13A (TA), 65A (TC)	4,5 V, 10V	6MOHM @ 30A, 10V	2,2 V @ 250µA	26 NC @ 10 V	± 20V	2100 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 39W (TC)
BCX5516H6327XTSA1	0.1920	RFQ	3131	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa	BCX5516		2 W		PG-Sot89	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000														60 V	1 a		100NA (ICBO)			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 2V	100 MHz
IKQB120N75CP2AKSA1	15.8800	RFQ	230	Infineon Technologies	-	Tube	Actif									-	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30
BC858BE6433HTMA1	0,0489	RFQ	8440	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC858		330 MW		PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	10 000														30 V	100 mA		15NA (ICBO)			Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	220 @ 2MA, 5V	250 MHz
Ipp60r385cpxksa1	1.7599	RFQ	6666	Infineon Technologies	CoolMos ™	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ipp60r385	MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	650 V	9A (TC)	10V	385MOHM @ 5.2A, 10V	3,5 V @ 340µA	22 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 100 V	-	83W (TC)
BC847pnh6727xtsa1	0.1029	RFQ	2217	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Support de surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BC847		250mw		Pg-sot363-po	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000														45v	100 mA		15NA (ICBO)			Npn, pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	250 MHz
BCR08PNE6433HTMA1	-	RFQ	2450	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR08		250mw		Pg-sot363-po	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	10 000														50v	100 mA		-			1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 500 µA, 10mA	70 @ 5mA, 5V	170 MHz	2,2 kohms	47 kohms
BSF024N03LT3GXUMA1	1.1500	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	3 WDSON		MOSFET (Oxyde Métallique)			MG-WDSON-2, Canpak M ™	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n	30 V	15A (TA), 106A (TC)	4,5 V, 10V	2,4 mohm @ 20a, 10v	2,2 V @ 250µA	71 NC @ 10 V	± 20V	5500 pf @ 15 V	-	2.2W (TA), 42W (TC)
Irr7821trpbf	-	RFQ	2067	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)			D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	30 V	65A (TC)	4,5 V, 10V	10MOHM @ 15A, 10V	1V @ 250µA	14 NC @ 4,5 V	± 20V	1030 pf @ 15 V	-	75W (TC)
BCR108SE6433HTMA1	-	RFQ	3900	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR108		250mw		Pg-sot363-po	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	10 000														50v	100 mA		-			2 npn - Pré-biaisé (double)	300 mV à 500 µA, 10mA	70 @ 5mA, 5V	170 MHz	2,2 kohms	47 kohms
IPB044N15N5ATMA1	8.8000	RFQ	11	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	IPB044	MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 263-7	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	150 V	174a (TC)	8v, 10v	4.4MOHM @ 87A, 10V	4,6 V @ 264µA	100 nc @ 10 V	± 20V	8000 pf @ 75 V	-	300W (TC)
Irf3808strlpbf	3,9000	RFQ	780	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF3808	MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	75 V	106a (TC)	10V	7MOHM @ 82A, 10V	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	± 20V	5310 PF @ 25 V	-	200W (TC)
BCR183SH6433XTMA1	0,0583	RFQ	5406	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux		Support de surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR183		250mw		Pg-sot363-po	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	10 000														50v	100 mA		-			2 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 500 µA, 10mA	30 @ 5mA, 5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms

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