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Transistors (13833)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Tourtie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
Ikd10n60raatma2	-	RFQ	3514	Infineon Technologies	Trenchstop®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ikd10n	Standard			150 W		PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500				400V, 10A, 23OHM, 15V															62 ns	Tranché	600 V	20 a	30 A	2.1V @ 15V, 10A	-	64 NC	14NS / 192NS
Irfu4105zpbf	-	RFQ	1090	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa				MOSFET (Oxyde Métallique)			Ipak (à-251aa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						55 V	30a (TC)	10V	24,5 mohm @ 18a, 10v	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	± 20V	740 PF @ 25 V	-	48W (TC)
BCX 54-16 E6327	-	RFQ	6927	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa	BCX 54				2 W		PG-Sot89	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000																					45 V	1 a							100NA (ICBO)			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 2V	100 MHz
IRR9343trlpbf	-	RFQ	2497	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic			Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)			D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001567302	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p						55 V	20A (TC)	4,5 V, 10V	105MOHM @ 3,4A, 10V	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	± 20V	660 pf @ 50 V	-	79W (TC)
Ipp80n06s407aksa1	-	RFQ	7039	Infineon Technologies	Optimos ™	Tube	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ipp80n			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à220-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n						60 V	80A (TC)	10V	7,4MOHM @ 80A, 10V	4V @ 40µA	56 NC @ 10 V	± 20V	4500 pf @ 25 V	-	79W (TC)
SPD50N03S2L	0,3500	RFQ	1	Infineon Technologies	CoolMos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 252	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						30 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	6,4MOHM @ 50A, 10V	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	± 20V	2530 pf @ 25 V	-	136W (TC)
Irg4rc10kdpbf	-	RFQ	9908	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Irg4rc10kdpbf	Standard			38 W		D-pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001540504	EAR99	8541.29.0095	75				480v, 5a, 100 ohms, 15v															28 ns	-	600 V	9 A	18 a	2,62 V @ 15V, 5A	250 µJ (ON), 140µJ (OFF)	19 NC	49ns / 97ns
Irfr2405pbf	-	RFQ	5605	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)			D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n						55 V	56a (TC)	10V	16MOHM @ 34A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2430 pf @ 25 V	-	110W (TC)
BC857CWH6433XTMA1	-	RFQ	8299	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière		150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BC857				250 MW		PG-Sot323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	10 000																					45 V	100 mA							15NA (ICBO)			Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	250 MHz
BCX6925H6327XTSA1	0,3105	RFQ	7967	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa	BCX6925				3 W		PG-Sot89	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000																					20 V	1 a							100NA (ICBO)			Pnp	500 MV à 100MA, 1A	160 @ 500mA, 1V	100 MHz
Irf7240tr	-	RFQ	7223	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)				MOSFET (Oxyde Métallique)			8-so	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000		Canal p						40 V	10.5a (TA)	4,5 V, 10V	15MOHM @ 10.5A, 10V	3V à 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	9250 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
Irfs7730trlpbf	2.0637	RFQ	800	Infineon Technologies	Hexfet®, Strongirfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRFS7730			MOSFET (Oxyde Métallique)			D²PAK (à 263AB)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n						75 V	195a (TC)	6v, 10v	2,6MOHM @ 100A, 10V	3,7 V @ 250µA	407 NC @ 10 V	± 20V	13660 pf @ 25 V	-	375W (TC)
IGP03N120H2	1 0000	RFQ	8948	Infineon Technologies	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		Standard			62,5 W		PG à220-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1				800V, 3A, 82OHM, 15V																-	1200 V	9.6 A	9.9 A	2,8 V @ 15V, 3A	290 µJ	22 NC	9.2ns / 281ns
Igw30n60tp	1.1200	RFQ	2402	Infineon Technologies	TRENCHSTOP ™	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Standard			200 W		PG à247-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	232				400V, 30A, 10,5 ohms, 15v																Arête du Champ de Tranché	600 V	53 A	90 A	1,8 V @ 15V, 30A	710 µJ (ON), 420µJ (OFF)	130 NC	15NS / 179NS
BCP49	0.1300	RFQ	31	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa					1,5 w		PG-Sot223-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	2 308																					60 V	500 mA							100NA (ICBO)			Npn - darlington	1V @ 100µA, 100mA	10000 @ 100mA, 5V	200 MHz
Ipw65r060cfd7xksa1	9.2300	RFQ	2692	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD7	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ipw65r060			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						650 V	36a (TC)	10V	60MOHM @ 16.4A, 10V	4,5 V @ 860µA	68 NC @ 10 V	± 20V	3288 PF @ 400 V	-	171W (TC)
IRFS3107-7PPBF	-	RFQ	1315	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet), à 263cb				MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (7-lead)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						75 V	240a (TC)	10V	2,6MOHM @ 160A, 10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	± 20V	9200 pf @ 50 V	-	370W (TC)
BCR108WH6433	0,0500	RFQ	40	Infineon Technologies	-	En gros	Actif			Support de surface	SC-70, SOT-323	BCR108				250 MW		PG-Sot323-3-1	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	7 123																					50 V	100 mA							100NA (ICBO)			NPN - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	70 @ 5mA, 5V	170 MHz	2,2 kohms	47 kohms
BCR141TE6327	0,0200	RFQ	21	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif			Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR141				250 MW		PG-Sot23-3-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	15 000																					50 V	100 mA							100NA (ICBO)			NPN - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	50 @ 5mA, 5V	130 MHz	22 kohms	22 kohms
Fb20r06kl4b1boma1	-	RFQ	8371	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète					FB20R06							-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE		20
FF225R17ME4BOSA1	186.9900	RFQ	3799	Infineon Technologies	Econodual ™ 3	Plateau	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C	Soutenir de châssis	Module	FF225R17				1500 W	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	2 indépendant																			Arête du Champ de Tranché	1700 V	340 A		2.3V @ 15V, 225A					3 mA	Oui	18,5 nf @ 25 V
BSM300GA120DN2S2HDLA1	-	RFQ	1190	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète					BSM300							-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10
PTFA082201EV4R250XTMA1	-	RFQ	1598	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	65 V		Soutenir de châssis	H-36260-2	PTFA082201		894 MHz	LDMOS			H-36260-2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	250			10 µA		1,95 a	220w	18 dB											-										30 V
BCR 151F E6327	-	RFQ	4449	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic			Support de surface	SOT-723	BCR 151				250 MW		PG-TSFP-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																					50 V	50 mA							100NA (ICBO)			PNP - Pré-biaisé	300 mV à 250µa, 5mA	70 @ 5mA, 5V	120 MHz	100 kohms	100 kohms
Ipp80n08s406aksa1	3.1300	RFQ	488	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ipp80n08			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à220-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						80 V	80A (TC)	10V	5,8MOHM @ 80A, 10V	4V @ 90µA	70 NC @ 10 V	± 20V	4800 pf @ 25 V	-	150W (TC)
Ipi60r280c6	1.4900	RFQ	1	Infineon Technologies	CoolMos ™ C6	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa				MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à262-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1		Canal n						600 V	13.8A (TC)		280mohm @ 6.5a, 10v	3,5 V @ 430µA	43 NC @ 10 V	± 20V	950 pf @ 100 V	-	104W (TC)
BSP92PL6327HTSA1	-	RFQ	6726	Infineon Technologies	Sipmos®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	Bsp92			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG-Sot223-4-21	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal p						250 V	260mA (TA)	4,5 V, 10V	12OHM @ 260mA, 10V	2V à 130µA	5.4 NC @ 10 V	± 20V	104 PF @ 25 V	-	1.8W (TA)
BCR183E6433HTMA1	-	RFQ	9453	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic			Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR183				200 MW		PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	10 000																					50 V	100 mA							100NA (ICBO)			PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	30 @ 5mA, 5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
BCX6916E6327HTSA1	-	RFQ	8143	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa	BCX69				3 W		PG-Sot89	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000																					20 V	1 a							100NA (ICBO)			Pnp	500 MV à 100MA, 1A	100 @ 500mA, 1V	100 MHz
BC 817-40 E6433	-	RFQ	8327	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC 817				330 MW		PG-Sot23	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	10 000																					45 V	500 mA							100NA (ICBO)			NPN	700 mV à 50ma, 500mA	250 @ 100mA, 1V	170 MHz

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