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Transistors (3861)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
STF10NK50Z	-	RFQ	2239	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF10N			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						500 V	9A (TC)	10V	700MOHM @ 4.5A, 10V	4,5 V @ 100µA	39.2 NC @ 10 V	± 30V	1219 PF @ 25 V	-	30W (TC)
STP80N340K6	2.1450	RFQ	7774	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP80			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-STP80N340K6	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						800 V	12A (TC)	10V	340MOHM @ 6A, 10V	4V @ 100µA	17.8 NC @ 10 V	± 30V	950 pf @ 400 V	-	115W (TC)
STGW75H65DFB2-4	8.2500	RFQ	54	Stmicroelectronics	HB2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-4	STGW75	Standard			357 W	À 247-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-STGW75H65DFB2-4	EAR99	8541.29.0095	30				400V, 75A, 10OHM, 15V															88 ns	Arête du Champ de Tranché	650 V	115 A	225 A	2v @ 15v, 75a	992µJ (ON), 766µJ (OFF)	207 NC	22ns / 121ns
Bul128fp	-	RFQ	5799	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Bul128				31 W	À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																					400 V	4 A							100 µA	NPN	500 mV @ 1A, 4A	14 @ 2a, 5v	-
STW48N60M6	5.1274	RFQ	1770	Stmicroelectronics	MDMESH ™ M6	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW48			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	600		Canal n						600 V	39a (TC)	10V	69MOHM @ 19,5A, 10V	4,75 V @ 250µA	57 NC @ 10 V	± 25V	2578 PF @ 100 V	-	250W (TC)
Std4n62k3	1.9100	RFQ	433	Stmicroelectronics	SuperMesh3 ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std4n62			MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						620 V	3.8A (TC)	10V	1,95 ohm @ 1,9a, 10v	4,5 V @ 50µA	14 NC @ 10 V	± 30V	450 pf @ 50 V	-	70W (TC)
Stf11n60dm2	1.8900	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH ™ DM2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF11			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-16960	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						600 V	10A (TC)	10V	420 mohm @ 5a, 10v	5V @ 250µA	16,5 NC @ 10 V	± 25V	614 PF @ 100 V	-	25W (TC)
Stgp20v60f	-	RFQ	2243	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STGP20	Standard			167 W	À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50				400V, 20A, 15V																Arête du Champ de Tranché	600 V	40 A	80 A	2.2V @ 15V, 20A	200 µJ (ON), 130 µJ (OFF)	116 NC	38ns / 149ns
ST93003	-	RFQ	4657	Stmicroelectronics	-	Sac	Obsolète		-	Par le trou	À 225aa, à 126-3	ST93				40 W	SOT-32-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500																					400 V	1,5 A							1 mA	Pnp	500 mV à 100ma, 500mA	16 @ 350mA, 5V	-
STW21N65M5	3.8400	RFQ	74	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW21N			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						650 V	17A (TC)	10V	190mohm @ 8,5a, 10v	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 25V	1950 PF @ 100 V	-	125W (TC)
PD85035C	-	RFQ	3106	Stmicroelectronics	-	Boîte	Obsolète	40 V			M243	PD85035		945 MHz	LDMOS		M243	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			8a		350 mA	15W	17,5 dB											-										13,6 V
STLD257N4F7AG	2.1585	RFQ	1715	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F7	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	STLD257			MOSFET (Oxyde Métallique)		Double Côté Powerflat ™ (5x6)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-STLD257N4F7AG	EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						40 V	120A (TC)	6,5 V, 10V	1,1MOHM @ 60A, 10V	4V @ 250µA	66,5 NC @ 10 V	± 20V	5400 pf @ 25 V	-	158W (TC)
STD180N4F6	1.6600	RFQ	409	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std18			MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						40 V	80A (TC)	10V	2,8MOHM @ 40A, 10V	4,5 V @ 250µA	130 NC @ 10 V	± 20V	7735 PF @ 25 V	-	130W (TC)
Sti24n60m6	2.9000	RFQ	90	Stmicroelectronics	MDMESH ™ M6	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Sti24			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						600 V	17A (TJ)	10V	190mohm @ 8,5a, 10v	4,75 V @ 250µA	23 NC @ 10 V	± 25V	960 PF @ 100 V	-	130W (TC)
Std60nf55lat4	1.8300	RFQ	36	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, Superfet® II	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std60			MOSFET (Oxyde Métallique)		D-Pak (à 252)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						55 V	60a (TC)	5v, 10v	15MOHM @ 30A, 10V	2V à 250µA	40 NC @ 5 V	± 15V	1950 PF @ 25 V	-	110W (TC)
STB24N60M2	2.9500	RFQ	7374	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II Plus	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB24			MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						600 V	18A (TC)	10V	190MOHM @ 9A, 10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 25V	1060 pf @ 100 V	-	150W (TC)
STB36NM60N	6.8900	RFQ	7203	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB36			MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						600 V	29A (TC)	10V	105MOHM @ 14,5A, 10V	4V @ 250µA	83,6 NC @ 10 V	± 25V	2722 PF @ 100 V	-	210W (TC)
STF38N65M5	5.9300	RFQ	1	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF38			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						650 V	30a (TC)	10V	95MOHM @ 15A, 10V	5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	± 25V	3000 PF @ 100 V	-	35W (TC)
STB13N80K5	4.5500	RFQ	4066	Stmicroelectronics	SuperMesh5 ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB13			MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						800 V	12A (TC)	10V	450mohm @ 6a, 10v	5V @ 100µA	29 NC @ 10 V	± 30V	870 pf @ 100 V	-	190W (TC)
STH47N60DM6-2AG	7.2900	RFQ	6574	Stmicroelectronics	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STH47			MOSFET (Oxyde Métallique)		H2pak-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						600 V	36a (TC)	10V	80MOHM @ 18A, 10V	4,75 V @ 250µA	55 NC @ 10 V	± 25V	2350 pf @ 100 V	-	250W (TC)
STSJ25NF3LL	-	RFQ	9218	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SIAC (0,154 ", 3,90 mm de grand) Exposé de tampon	STSJ25			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						30 V	25a (TC)	4,5 V, 10V	10,5 mohm @ 12,5a, 10v	1V @ 250µA	33 NC @ 4,5 V	± 16V	1650 pf @ 25 V	-	70W (TC)
STGB20H65FB2	0,8927	RFQ	1330	Stmicroelectronics	HB2	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STGB20	Standard			147 W	D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-STGB20H65FB2TR	EAR99	8541.29.0095	1 000				400V, 20A, 10OHM, 15V																Arête du Champ de Tranché	650 V	40 A	60 a	2.1V @ 15V, 20A	265µJ (ON), 214µJ (OFF)	56 NC	16NS / 78.8NS
Ste48nm50	30.5400	RFQ	3141	Stmicroelectronics	MDMESH ™	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Isotop	STE48			MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n						550 V	48A (TC)	10V	100mohm @ 24a, 10v	5V @ 250µA	117 NC @ 10 V	± 30V	3700 pf @ 25 V	-	450W (TC)
STW62N65M5	14.4700	RFQ	4549	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ V	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW62			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						650 V	46A (TC)	10V	49MOHM @ 23A, 10V	5V @ 250µA	142 NC @ 10 V	± 25V	6420 PF @ 100 V	-	330W (TC)
Stn3nf06	1.0700	RFQ	8532	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	Stn3			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000		Canal n						60 V	4A (TC)	10V	100 mohm @ 1,5a, 10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 20V	315 PF @ 25 V	-	3.3W (TC)
STP13N80K5	3.9100	RFQ	495	Stmicroelectronics	SuperMesh5 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP13			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-13779-5	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						800 V	12A (TC)	10V	450mohm @ 6a, 10v	5V @ 100µA	29 NC @ 10 V	± 30V	870 pf @ 100 V	-	190W (TC)
STW15N95K5	-	RFQ	2839	Stmicroelectronics	SuperMesh5 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW15			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						950 V	12A (TC)	10V	500mohm @ 6a, 10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	± 30V	900 pf @ 100 V	-	170W (TC)
STX13004-AP	-	RFQ	7029	Stmicroelectronics	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	STX13004				2,5 W	To-92ap	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000																					400 V	2 A							1 mA	NPN	1V @ 500mA, 2A	10 @ 1A, 5V	-
STF22N60DM6	1.5867	RFQ	4226	Stmicroelectronics	MDMESH ™ M6	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF22			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						600 V	15A (TC)	10V	230mohm @ 7,5a, 10v	4,75 V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 25V	800 pf @ 100 V	-	30W (TC)
RF5L051K0CB4	172.5000	RFQ	5027	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif	110 V		Soutenir de châssis	D4e	RF5L051K0		500 MHz	LDMOS		D4e	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-RF5L051K0CB4			100	-		1 µA		200 mA	1000W	21 dB											-										50 V

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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