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Transistors (3861)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
STP185N10F3	-	RFQ	8742	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP185		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					100 V	120A (TC)	10V	4,8MOHM @ 60A, 10V	4V @ 250µA		± 20V		-	300W (TC)
Std1hn60k3	1.5900	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh3 ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std1hn60		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n					600 V	1.2A (TC)	10V	8OHM @ 600mA, 10V	4,5 V @ 50µA	9,5 NC @ 10 V	± 30V	140 pf @ 50 V	-	27W (TC)
STF16N50M2	4.1700	RFQ	728	Stmicroelectronics	MDMESH ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF16		MOSFET (Oxyde Métallique)		Emballage complet à 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-15114-5	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					500 V	13A (TC)	10V	280mohm @ 6.5a, 10v	4V @ 250µA	19,5 NC @ 10 V	± 25V	710 PF @ 100 V	-	25W (TC)
2stp535fp	1.7900	RFQ	989	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	2STP535			37 W	À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																		180 V	8 A		50 µA	Npn - darlington	2,5 V @ 80mA, 8A	1000 @ 3A, 4V	-
ULQ2802A	3.0300	RFQ	7211	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		-40 ° C ~ 105 ° C	Par le trou	18 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	ULQ2802			2.25W	18 plombes	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000																		50v	500mA		-	8 npn darlington	1,6 V @ 500µA, 350mA	1000 @ 350mA, 2V	-
STL8P2UH7	-	RFQ	5357	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	6 Powerwdfn	STL8		MOSFET (Oxyde Métallique)		Powerflat ™ (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p					20 V	8A (TC)	1,5 V, 4,5 V	22,5 mohm @ 4a, 4,5 V	1V @ 250µA	22 NC @ 4,5 V	± 8v	2390 pf @ 16 V	-	2.4W (TC)
Sty112N65M5	37.6900	RFQ	2106	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Sty112		MOSFET (Oxyde Métallique)		Max247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n					650 V	96a (TC)	10V	22MOHM @ 47A, 10V	5V @ 250µA	350 NC @ 10 V	± 25V	16870 PF @ 100 V	-	625W (TC)
RF2L16080CF2	63.5250	RFQ	3262	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif	65 V		Support de surface	2L-FLG	RF2L16080	1,3 GHz ~ 1,7 GHz	LDMOS		A2	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-RF2L16080CF2			160	-		1 µA		80W	18 dB											-
STB80NF55-08-1	-	RFQ	2299	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	STB80N		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-3516-5	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n					55 V	80A (TC)	10V	8MOHM @ 40A, 10V	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	± 20V	3850 pf @ 25 V	-	300W (TC)
STP40NS15	-	RFQ	9475	Stmicroelectronics	Mesh Superposition ™	Tube	Obsolète		175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP40N		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					150 V	40A (TC)	10V	52MOHM @ 40A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	140W (TC)
STU6NF10	-	RFQ	5632	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tube	Actif		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	STU6NF10		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251 (ipak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n					100 V	6A (TC)	10V	250 mohm @ 3a, 10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 20V	280 pf @ 25 V	-	30W (TC)
TIP41C	0,8200	RFQ	1977	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	TIP41			65 W	À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																		100 V	6 A		700 µA	NPN	1,5 V @ 600mA, 6A	15 @ 3A, 4V	-
STP5NK50ZFP	1.9700	RFQ	866	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Pas de designs les nouveaux		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STP5NK50		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					500 V	4.4a (TC)	10V	1,5 ohm @ 2,2a, 10v	4,5 V @ 50µA	28 NC @ 10 V	± 30V	535 PF @ 25 V	-	70W (TC)
STS1NK60Z	0,9500	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	STS1NK60		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n					600 V	250mA (TC)	10V	15OHM @ 400mA, 10V	4,5 V @ 50µA	6,9 NC @ 10 V	± 30V	94 PF @ 25 V	-	2W (TC)
Std9n60m2	1.4700	RFQ	9278	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II Plus	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std9		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-13864-2	EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n					600 V	5.5A (TC)	10V	780MOHM @ 3A, 10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	± 25V	320 PF @ 100 V	-	60W (TC)
STX13004G-AP	-	RFQ	8118	Stmicroelectronics	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	STX13004			2,5 W	To-92ap	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000																		400 V	2 A		1 mA	NPN	1V @ 500mA, 2A	10 @ 1A, 5V	-
TIP122FP	-	RFQ	2490	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	TIP122			2 W	À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																		100 V	5 a		500 µA	Npn - darlington	4V @ 20mA, 5A	1000 @ 3A, 3V	-
STP28N60DM2	3,9000	RFQ	1550	Stmicroelectronics	MDMESH ™ DM2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP28		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-16348-5	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					600 V	21A (TC)	10V	160MOHM @ 10.5A, 10V	5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	± 25V	1500 pf @ 100 V	-	170W (TC)
STB60N55F3	-	RFQ	2768	Stmicroelectronics	Stripfet ™ III	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB60N		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n					55 V	80A (TC)	10V	8,5MOHM @ 32A, 10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 20V	2200 pf @ 25 V	-	110W (TC)
STB21NM60N-1	-	RFQ	1868	Stmicroelectronics	MDMESH ™	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	STB21N		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-5728	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					600 V	17A (TC)	10V	220 mOhm @ 8,5a, 10v	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	± 25V	1900 pf @ 50 V	-	140W (TC)
BDX33C	1,3000	RFQ	934	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Bdx33			70 W	À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																		100 V	10 a		500 µA	Npn - darlington	2,5 V @ 6MA, 3A	750 @ 3A, 3V	-
STF16N65M2	2.5300	RFQ	5089	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ m2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF16		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					650 V	11a (TC)	10V	360 MOHM @ 5.5A, 10V	4V @ 250µA	19,5 NC @ 10 V	± 25V	718 PF @ 100 V	-	25W (TC)
PD57002-E	-	RFQ	1219	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	65 V			Paders Powerso-10 Exposé	PD57002	960 MHz	LDMOS		10 Powerso	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			250mA	10 mA	2W	15 dB											-			28 V
STP10NM65N	-	RFQ	2443	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP10		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					650 V	9A (TC)	10V	480mohm @ 4.5a, 10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 25V	850 pf @ 50 V	-	90W (TC)
STB18N60M2	2.8400	RFQ	424	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II Plus	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB18		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n					600 V	13A (TC)	10V	280mohm @ 6.5a, 10v	4V @ 250µA	21,5 NC @ 10 V	± 25V	791 PF @ 100 V	-	110W (TC)
STF3NK100Z	3.8900	RFQ	6314	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF3NK100		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					1000 V	2.5a (TC)	10V	6OHM @ 1 25A, 10V	4,5 V @ 50µA	18 NC @ 10 V	± 30V	601 PF @ 25 V	-	25W (TC)
STH15NB50FI	-	RFQ	6954	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	Isowatt-218-3	STH15N		MOSFET (Oxyde Métallique)		Isowatt-218	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-2783-5	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n					500 V	10.5a (TC)	10V	360 MOHM @ 7,5A, 10V	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	± 30V	3400 pf @ 25 V	-	80W (TC)
STP75NS04Z	2.1200	RFQ	9837	Stmicroelectronics	Mesh Superposition ™ III	Tube	Acheter la Dernière		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP75		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-5981-5	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					33 V	80A (TC)	10V	11MOHM @ 40A, 10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	Serré	1860 PF @ 25 V	-	110W (TC)
STX117-AP	-	RFQ	5731	Stmicroelectronics	-	Tape & Box (TB)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	Stx117			1,2 W	To-92ap	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000																		100 V	2 A		2MA	Pnp	2,5 V @ 8MA, 2A	1000 @ 1A, 4V	-
TIP142	2.4300	RFQ	2169	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	TIP142			125 W	À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30																		100 V	10 a		2MA	Npn - darlington	3V @ 40mA, 10A	1000 @ 5A, 4V	-

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Transistors (3861)

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