SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Condition de test Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
BD681 STMicroelectronics BD681 1.0200
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 225aa, à 126-3 BD681 40 W SOT-32-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 100 V 4 A 500 µA Npn - darlington 2,5 V @ 30mA, 1,5A 750 @ 1,5a, 3v -
STD7N65M2 STMicroelectronics Std7n65m2 1.7100
RFQ
ECAD 73 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std7n65 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 650 V 5A (TC) 10V 1,15 ohm @ 2,5a, 10v 4V @ 250µA 9 NC @ 10 V ± 25V 270 pf @ 100 V - 60W (TC)
STF16N60M2 STMicroelectronics STF16N60M2 2.0400
RFQ
ECAD 216 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET STF16 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-16013-5 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 12A (TC) 10V 320 mohm @ 6a, 10v 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ± 25V 700 pf @ 100 V - 25W (TC)
STW200NF03 STMicroelectronics STW200NF03 -
RFQ
ECAD 8608 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STW200 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 600 Canal n 30 V 120A (TC) 10V 2,8MOHM @ 60A, 10V 4V @ 250µA 280 NC @ 10 V ± 20V 10000 pf @ 25 V - 350W (TC)
BC141-10 STMicroelectronics BC141-10 -
RFQ
ECAD 5468 0,00000000 Stmicroelectronics - En gros Obsolète - Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut BC141 650 MW To-39 - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 500 60 V 1 a 100NA NPN 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 1v 50 MHz
STGF14N60D STMicroelectronics STGF14N60D -
RFQ
ECAD 5777 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Obsolète - Par le trou À 220-3 EXCHET STGF14 Standard 33 W À 220fp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-8897-5 EAR99 8541.29.0095 50 390V, 7A, 10OHM, 15V 37 ns - 600 V 11 A 50 a 2.1V @ 15V, 7A - -
PD84008-E STMicroelectronics PD84008-E -
RFQ
ECAD 9171 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète 25 V Powerso-10rf Pad Exposé pour (2 leads FORMES) PD84008 870 MHz LDMOS Powerso-10rf (Plomb Formé) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 7a 250 mA 2W 16.2db - 7,5 V
STGWA30M65DF2 STMicroelectronics Stgwa30m65df2 3.7400
RFQ
ECAD 100 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Stgwa30 Standard 258 W À 247 Pistes longs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30A, 10OHM, 15V 140 ns Arête du Champ de Tranché 650 V 60 A 120 A 2V @ 15V, 30A 300 µJ (ON), 960µJ (OFF) 80 NC 31,6ns / 115ns
STP5NK40Z STMicroelectronics STP5NK40Z -
RFQ
ECAD 8873 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP5N MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 400 V 3A (TC) 10V 1,8 ohm @ 1,5a, 10v 4,5 V @ 50µA 17 NC @ 10 V ± 30V 305 PF @ 25 V - 45W (TC)
2STF1360 STMicroelectronics 2STF1360 0,6200
RFQ
ECAD 9970 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa 2STF1360 1,4 w SOT-89-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 2 500 60 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 150mA, 3A 160 @ 1A, 2V 130 MHz
PN2907A STMicroelectronics PN2907A -
RFQ
ECAD 2844 0,00000000 Stmicroelectronics - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) PN2907 500 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 2 500 60 V 600 mA 10NA (ICBO) Pnp 1,6 V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200 MHz
STGWA80H65DFB STMicroelectronics Stgwa80h65dfb -
RFQ
ECAD 4317 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Stgwa80 Standard 469 W À 247 Pistes longs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 80A, 10OHM, 15V 85 ns Arête du Champ de Tranché 650 V 120 A 240 A 2v @ 15v, 80a 2,1mj (on), 1,5mj (off) 414 NC 84ns / 280ns
STD12N50DM2 STMicroelectronics Std12n50dm2 1.9400
RFQ
ECAD 1669 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std12 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 500 V 11a (TC) 10V 350mohm @ 5,5a, 10v 5V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 25V 628 PF @ 100 V - 110W (TC)
STL38N65M5 STMicroelectronics STL38N65M5 6.5400
RFQ
ECAD 7977 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn STL38 MOSFET (Oxyde Métallique) Powerflat ™ (8x8) HV télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 650 V 3.5A (TA), 22,5A (TC) 10V 105MOHM @ 12,5A, 10V 5V @ 250µA 71 NC @ 10 V ± 25V 3000 PF @ 100 V - 2.8W (TA), 150W (TC)
STSJ60NH3LL STMicroelectronics STSJ60NH3LL 2.2100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SIAC (0,154 ", 3,90 mm de grand) Exposé de tampon STSJ60 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC-EP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 60a (TC) 4,5 V, 10V 5,7MOHM @ 7,5A, 10V 1V @ 250µA 24 NC @ 4,5 V ± 16V 1810 PF @ 25 V - 3W (TA), 50W (TC)
STD12N50M2 STMicroelectronics Std12n50m2 1.6800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std12 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 500 V 10A (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10v 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 30V 550 pf @ 100 V - 85W (TC)
STD11NM60N STMicroelectronics Std11nm60n -
RFQ
ECAD 8849 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std11 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 10A (TC) 10V 450mohm @ 5a, 10v 4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ± 25V 850 pf @ 50 V - 90W (TC)
STB150NF55T4 STMicroelectronics STB150NF55T4 4.2300
RFQ
ECAD 4535 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STB150 MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 55 V 120A (TC) 10V 6MOHM @ 60A, 10V 4V @ 250µA 190 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STP400N4F6 STMicroelectronics STP400N4F6 -
RFQ
ECAD 6480 0,00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP400 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 40 V 120A (TC) 10V 1,7MOHM @ 60A, 10V 4,5 V @ 250µA 377 NC @ 10 V ± 20V 20000 pf @ 25 V - 300W (TC)
STD9N60M6 STMicroelectronics Std9n60m6 0,8006
RFQ
ECAD 1172 0,00000000 Stmicroelectronics - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std9 MOSFET (Oxyde Métallique) D-Pak (à 252) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 497-STD9N60M6 EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 6A (TC) 10V 750mohm @ 3a, 10v 4,75 V @ 250µA 10 NC @ 10 V ± 25V 273 PF @ 100 V - 76W (TC)
STB11NM60-1 STMicroelectronics STB11NM60-1 -
RFQ
ECAD 9842 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ Tube Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Stb11n MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 11a (TC) 10V 450mohm @ 5.5a, 10v 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 160W (TC)
STW80NE06-10 STMicroelectronics STW80NE06-10 -
RFQ
ECAD 2744 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tube Obsolète 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STW80N MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-2790-5 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 60 V 80A (TC) 10V 10MOHM @ 40A, 10V 4V @ 250µA 189 NC @ 10 V ± 20V 7600 PF @ 25 V - 250W (TC)
STP200NF04L STMicroelectronics STP200NF04L -
RFQ
ECAD 2123 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP200 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 40 V 120A (TC) 5v, 10v 3,8MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 90 NC @ 4,5 V ± 16V 6400 PF @ 25 V - 300W (TC)
STL22N60M6 STMicroelectronics STL22N60M6 1.5489
RFQ
ECAD 4258 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ M6 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn STL22 MOSFET (Oxyde Métallique) Powerflat ™ (5x6) HV télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 600 V 10A (TC) 10V 250 mohm @ 5a, 10v 4,75 V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 25V 800 pf @ 100 V - 57W (TC)
STP42N65M5 STMicroelectronics STP42N65M5 10.9900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP42 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 33A (TC) 10V 79MOHM @ 16,5A, 10V 5V @ 250µA 100 nc @ 10 V ± 25V 4650 pf @ 100 V - 190W (TC)
STL34N65M5 STMicroelectronics STL34N65M5 -
RFQ
ECAD 3899 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn STL34 MOSFET (Oxyde Métallique) Powerflat ™ (8x8) HV télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 650 V 22.5A (TC) 10V 120 MOHM @ 12A, 10V 5V @ 250µA 62,5 NC @ 10 V ± 25V 2700 pf @ 100 V - 2.8W (TA), 150W (TC)
STP30NM30N STMicroelectronics STP30NM30N -
RFQ
ECAD 4961 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Tube Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP30N MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 300 V 30a (TC) 10V 90MOHM @ 15A, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 50 V - 160W (TC)
STX826 STMicroelectronics STX826 -
RFQ
ECAD 9803 0,00000000 Stmicroelectronics - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) STX826 900 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 2 500 30 V 3 A 10 µA Pnp 1.1 V @ 150mA, 3A 100 @ 100mA, 2V 100 MHz
STW29NK50ZD STMicroelectronics STW29NK50ZD -
RFQ
ECAD 8661 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STW29N MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 29A (TC) 10V 130MOHM @ 14,5A, 10V 4,5 V @ 150µA 200 NC @ 10 V ± 30V 6450 pf @ 25 V - 350W (TC)
PD57006S-E STMicroelectronics PD57006S-E -
RFQ
ECAD 5460 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète 65 V Paders Powerso-10 Exposé PD57006 945 MHz LDMOS Powerso-10rf (Tête Droite) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 1A 70 mA 6W 15 dB - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock