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Transistors (3861)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
STP8NM50FP STMicroelectronics STP8NM50FP -
RFQ
 ECAD 8816 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ Tube Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET STP8N MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 550 V 8A (TC) 10V 800MOHM @ 2,5A, 10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 415 PF @ 25 V - 25W (TC)
STP20NM50 STMicroelectronics STP20NM50 5.9600
RFQ
 ECAD 4596 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ Tube Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP20 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 20A (TC) 10V 250 mohm @ 10a, 10v 5V @ 250µA 56 NC @ 10 V ± 30V 1480 pf @ 25 V - 192W (TC)
STX817A STMicroelectronics STX817A -
RFQ
 ECAD 4837 0,00000000 Stmicroelectronics - Sac Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) STX817 900 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 2 500 80 V 1,5 A 1 mA Pnp 500 MV à 100MA, 1A 25 @ 1A, 2V 50 MHz
ESM3045DV STMicroelectronics ESM3045DV -
RFQ
 ECAD 4309 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Isotop ESM3045 125 W Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 450 V 24 A - Npn - darlington 1,4 V @ 1.2A, 20A 120 @ 20A, 5V -
STL64DN4F7AG STMicroelectronics Stl64dn4f7ag 0,8186
RFQ
 ECAD 4480 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn STL64 MOSFET (Oxyde Métallique) 57W (TC) Powerflat ™ (5x6) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 497-stl64dn4f7agtr EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 40V 40A (TC) 8,5 mohm @ 20a, 10v 4V @ 250µA 9.8nc @ 10v 637pf @ 25v -
STP24NM65N STMicroelectronics STP24NM65N -
RFQ
 ECAD 5982 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP24N MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 19A (TC) 10V 190mohm @ 9,5a, 10v 4V @ 250µA 70 NC @ 10 V ± 25V 2500 pf @ 50 V - 160W (TC)
2N5657 STMicroelectronics 2N5657 -
RFQ
 ECAD 9304 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 225aa, à 126-3 2N56 20 W SOT-32-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-2623-5 EAR99 8541.29.0095 50 350 V 500 mA 100 µA NPN 10v @ 100mA, 500mA 30 @ 100mA, 10V 10 MHz
STW10NK80Z STMicroelectronics STW10NK80Z 5.2100
RFQ
 ECAD 9053 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STW10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 800 V 9A (TC) 10V 900mohm @ 4.5a, 10v 4,5 V @ 100µA 72 NC @ 10 V ± 30V 2180 PF @ 25 V - 160W (TC)
STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 2.1900
RFQ
 ECAD 2965 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Stgd5 Standard 75 W Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 960v, 5a, 1kohm, 15v - 1200 V 10 a 10 a 2V @ 15V, 5A 2 59mj (on), 9mj (off) 690ns / 12,1 µs
STW43N60DM2 STMicroelectronics STW43N60DM2 6.9400
RFQ
 ECAD 7706 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STW43 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-16343-5 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 34A (TC) 10V 93MOHM @ 17A, 10V 5V @ 250µA 56 NC @ 10 V ± 25V 2500 pf @ 100 V - 250W (TC)
STB85NF55LT4 STMicroelectronics STB85NF55LT4 1.8110
RFQ
 ECAD 3067 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STB85 MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 55 V 80A (TC) 5v, 10v 8MOHM @ 40A, 10V 2,5 V @ 250µA 110 NC @ 5 V ± 15V 4050 pf @ 25 V - 300W (TC)
STP30NF20 STMicroelectronics STP30NF20 3.0800
RFQ
 ECAD 9666 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-5825-5 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 200 V 30a (TC) 10V 75MOHM @ 15A, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1597 pf @ 25 V - 125W (TC)
STB24N60DM2 STMicroelectronics STB24N60DM2 3.2800
RFQ
 ECAD 9906 0,00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Plus Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STB24 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 18A (TC) 10V 200 mohm @ 9a, 10v 5V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1055 PF @ 100 V - 150W (TC)
STL42P4LLF6 STMicroelectronics Stl42p4llf6 1.6400
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ F6 Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn STL42 MOSFET (Oxyde Métallique) Powerflat ™ (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 40 V 42A (TC) 4,5 V, 10V 18MOHM @ 5A, 10V 2,5 V @ 250µA 22 NC @ 4,5 V ± 20V 2850 pf @ 25 V - 75W (TC)
STB24N60M2 STMicroelectronics STB24N60M2 2.9500
RFQ
 ECAD 7374 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Plus Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STB24 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 18A (TC) 10V 190MOHM @ 9A, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1060 pf @ 100 V - 150W (TC)
STGP7NC60H STMicroelectronics Stgp7nc60h -
RFQ
 ECAD 4367 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STGP7 Standard 80 W À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 390V, 7A, 10OHM, 15V - 600 V 25 A 50 a 2,5 V @ 15V, 7A 95 µJ (ON), 115µJ (OFF) 35 NC 18,5ns / 72ns
STGB30M65DF2 STMicroelectronics STGB30M65DF2 3.3700
RFQ
 ECAD 59 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STGB30 Standard 258 W D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 400 V, 30A, 10OHM, 15V 140 ns Arête du Champ de Tranché 650 V 60 a 120 A 2V @ 15V, 30A 300 µJ (ON), 960µJ (OFF) 80 NC 31,6ns / 115ns
STD35NF3LLT4 STMicroelectronics Std35nf3llt4 0,8700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std35 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 35A (TC) 4,5 V, 10V 19,5 mohm @ 17,5a, 10v 2,5 V @ 250µA 17 NC @ 5 V ± 16V 800 pf @ 25 V - 50W (TC)
STGW80H65FB-4 STMicroelectronics STGW80H65FB-4 -
RFQ
 ECAD 7255 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-4 STGW80 Standard 469 W À 247-4 télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 80A, 10OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 650 V 120 A 240 A 2v @ 15v, 80a 2,1mj (on), 1,5mj (off) 414 NC 84ns / 280ns
STW28N60DM2 STMicroelectronics STW28N60DM2 4.2200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STW28 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 21A (TC) 10V 160MOHM @ 10.5A, 10V 5V @ 250µA 34 NC @ 10 V ± 25V 1500 pf @ 100 V - 170W (TC)
STGW40NC60KD STMicroelectronics STGW40NC60KD 5.2600
RFQ
 ECAD 9530 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STGW40 Standard 250 W À 247 Pistes longs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-8441-5 EAR99 8541.29.0095 30 480v, 30a, 10 ohms, 15v 45 ns - 600 V 70 A 220 A 2,7 V @ 15V, 30A 595µJ (ON), 716µJ (OFF) 135 NC 46NS / 164NS
STF4LN80K5 STMicroelectronics STF4LN80K5 1.6200
RFQ
 ECAD 5794 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET STF4LN80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 3A (TC) 10V 2.6OHM @ 1A, 10V 5V @ 100µA 3,7 NC @ 10 V ± 30V 122 PF @ 100 V - 20W (TC)
STGW60H65DF STMicroelectronics STGW60H65DF -
RFQ
 ECAD 5038 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STGW60 Standard 360 W À 247-3 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 10OHM, 15V 62 ns Arête du Champ de Tranché 650 V 120 A 240 A 1,9 V @ 15V, 60A 1,5mj (on), 1,1mj (off) 206 NC 67ns / 165ns
STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics Stgwa40hp65fb2 4.7900
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 Stmicroelectronics HB2 Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Stgwa40 Standard 227 W À 247 Pistes longs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-19059 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 4,7 ohms, 15v 140 ns Arête du Champ de Tranché 650 V 72 A 120 A 2V @ 15V, 40A 410 µJ (off) 153 NC - / 125ns
STW60NM50N STMicroelectronics STW60NM50N 17.9700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STW60N MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 68A (TC) 10V 43MOHM @ 34A, 10V 4V @ 250µA 178 NC @ 10 V ± 25V 5790 PF @ 100 V - 446W (TC)
STGW60H65F STMicroelectronics STGW60H65F -
RFQ
 ECAD 2073 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STGW60 Standard 360 W À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-12422 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 10OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 650 V 120 A 240 A 1,9 V @ 15V, 60A 750 µJ (ON), 1 05MJ (OFF) 217 NC 65ns / 180ns
STD7NM64N STMicroelectronics Std7nm64n 2.0700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std7 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 640 V 5A (TC) 10V 1 05 ohm @ 2,5a, 10v 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 25V 363 PF @ 50 V - 60W (TC)
ST1510FX STMicroelectronics ST1510FX 3.1400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou Isowatt218fx ST1510 62 W Isowatt-218fx télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 750 V 12 A 200 µA NPN 2V @ 1.5A, 6A 6,5 @ 6a, 5v -
STP14NM50N STMicroelectronics STP14NM50N 4.0100
RFQ
 ECAD 919 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP14 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-10650-5 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 12A (TC) 10V 320 mohm @ 6a, 10v 4V @ 100µA 27 NC @ 10 V ± 25V 816 pf @ 50 V - 90W (TC)
STW25N80K5 STMicroelectronics STW25N80K5 6.5900
RFQ
 ECAD 9365 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STW25 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 800 V 19,5A (TC) 10V 260MOHM @ 19,5A, 10V 5V @ 100µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1600 pf @ 100 V - 250W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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