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Transistors (3861)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Applications Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor
A2P75S12M3 STMicroelectronics A2P75S12M3 84.1400
RFQ
 ECAD 6221 0,00000000 Stmicroelectronics - Plateau Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module A2P75 454,5 W Standard ACEPACK ™ 2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-17744 EAR99 8541.29.0095 18 Onduleur Triphasé Arête du Champ de Tranché 1200 V 75 A 2.3V @ 15V, 75A 100 µA Oui 4.7 NF @ 25 V
STP8N120K5 STMicroelectronics STP8N120K5 6.9500
RFQ
 ECAD 9294 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP8N120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 1200 V 6A (TC) 10V 2ohm @ 2,5a, 10v 5V @ 100µA 13,7 NC @ 10 V ± 30V 505 PF @ 100 V - 130W (TC)
STGB30H60DLLFBAG STMicroelectronics Stgb30h60dllfbag 3.6300
RFQ
 ECAD 2592 0,00000000 Stmicroelectronics HB Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STGB30 Logique 260 W D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 400V, 30A, 10OHM, 5V Arête du Champ de Tranché 600 V 60 a 120 A 2.15V @ 5V, 30A 600 µJ (off) 110 NC - / 320NS
STGWA30H65FB STMicroelectronics Stgwa30h65fb -
RFQ
 ECAD 9184 0,00000000 Stmicroelectronics HB Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Stgwa30 Standard 260 W À 247 Pistes longs - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 600 400 V, 30A, 10OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 650 V 60 a 120 A 2V @ 15V, 30A 151MJ (ON), 293MJ (OFF) 149 NC 37ns / 146ns
STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics Stgya120m65df2ag 13.0600
RFQ
 ECAD 6370 0,00000000 Stmicroelectronics M Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Stgya120 Standard 625 W Max247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 600 400V, 120A, 4,7 ohms, 15v 202 ns Arête du Champ de Tranché 650 V 160 A 360 A 2.15V @ 15V, 120A 1,8MJ (on), 4 41mJ (off) 420 NC 66ns / 185ns
STC03DE170 STMicroelectronics STC03DE170 -
RFQ
 ECAD 6287 0,00000000 Stmicroelectronics ESBT® Tube Obsolète 1700v (1,7 kV) Conducteur de Porte Par le trou À 247-4 STC03D À 247-4L télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 150 3A Npn - Émetteur commandé bipolaire
STS7NF60L STMicroelectronics STS7NF60L 2.2300
RFQ
 ECAD 9986 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) STS7NF60 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 7.5a (TC) 5v, 10v 19,5 mohm @ 3,5a, 10v 1V @ 250µA 34 NC @ 4,5 V ± 16V 1700 pf @ 25 V - 2,5W (TC)
STGP10NB60SD STMicroelectronics STGP10NB60SD 2.8800
RFQ
 ECAD 6173 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STGP10 Standard 80 W À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 480v, 10a, 1kohm, 15v 37 ns - 600 V 29 A 80 A 1,75 V @ 15V, 10A 600 µJ (ON), 5MJ (OFF) 33 NC 700ns / 1,2 µs
STP8NK100Z STMicroelectronics STP8NK100Z 5.2500
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP8NK100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-5021-5 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 1000 V 6.5a (TC) 10V 1 85 ohm @ 3,15a, 10v 4,5 V @ 100µA 102 NC @ 10 V ± 30V 2180 PF @ 25 V - 160W (TC)
STGF10NB60SD STMicroelectronics STGF10NB60SD 2.3800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Stgf10 Standard 25 W À 220fp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 480v, 10a, 1kohm, 15v 37 ns - 600 V 23 A 80 A 1,75 V @ 15V, 10A 600 µJ (ON), 5MJ (OFF) 33 NC 700ns / 1,2 µs
STGP7NC60HD STMicroelectronics Stgp7nc60hd 1.7100
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STGP7 Standard 80 W À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 390V, 7A, 10OHM, 15V 37 ns - 600 V 25 A 50 a 2,5 V @ 15V, 7A 95 µJ (ON), 115µJ (OFF) 35 NC 18,5ns / 72ns
STGW35NB60SD STMicroelectronics STGW35NB60SD -
RFQ
 ECAD 7434 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STGW35 Standard 200 W À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 480V, 20A, 100 ohms, 15v 44 ns - 600 V 70 A 250 A 1,7 V @ 15V, 20A 840µJ (ON), 7,4MJ (OFF) 83 NC 92ns / 1,1 µs
STP30NF10 STMicroelectronics STP30NF10 2.1200
RFQ
 ECAD 9002 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 35A (TC) 10V 45MOHM @ 15A, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 V ± 20V 1180 pf @ 25 V - 115W (TC)
STP8NM50 STMicroelectronics STP8NM50 -
RFQ
 ECAD 8901 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Tube Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP8N MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 550 V 8A (TC) 10V 800MOHM @ 2,5A, 10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 415 PF @ 25 V - 100W (TC)
STB32N65M5 STMicroelectronics STB32N65M5 10.4800
RFQ
 ECAD 3252 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STB32 MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 650 V 24a (TC) 10V 119MOHM @ 12A, 10V 5V @ 250µA 72 NC @ 10 V ± 25V 3320 PF @ 100 V - 150W (TC)
STP4N62K3 STMicroelectronics STP4N62K3 -
RFQ
 ECAD 1373 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3 ™ Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP4N MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 620 V 3.8A (TC) 10V 1,95 ohm @ 1,9a, 10v 4,5 V @ 50µA 14 NC @ 10 V ± 30V 450 pf @ 50 V - 70W (TC)
STP5N52K3 STMicroelectronics STP5N52K3 -
RFQ
 ECAD 6735 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP5N MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 525 V 4.4a (TC) 10V 1,5 ohm @ 2,2a, 10v 4,5 V @ 50µA 14 NC @ 10 V ± 30V 450 pf @ 100 V - 70W (TC)
STF32N65M5 STMicroelectronics STF32N65M5 -
RFQ
 ECAD 5403 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET STF32N MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 24a (TC) 10V 119MOHM @ 12A, 10V 5V @ 250µA 72 NC @ 10 V ± 25V 3320 PF @ 100 V - 35W (TC)
STGD7NB120ST4 STMicroelectronics STGD7NB120ST4 -
RFQ
 ECAD 9865 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète - Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 STGD7 Standard 55 W Dpak - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 960v, 7a, 1kohm, 15v - 1200 V 10 a 20 a 2.1V @ 15V, 7A 3,2 µJ (ON), 15MJ (OFF) 29 NC 570ns / -
STU5N95K3 STMicroelectronics STU5N95K3 2.8700
RFQ
 ECAD 8921 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa STU5N95 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 950 V 4A (TC) 10V 3,5 ohm @ 2a, 10v 5V @ 100µA 19 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 90W (TC)
STB60NF10-1 STMicroelectronics STB60NF10-1 -
RFQ
 ECAD 8504 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa STB60N MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 80A (TC) 10V 23MOHM @ 40A, 10V 4V @ 250µA 104 NC @ 10 V ± 20V 4270 pf @ 25 V - 300W (TC)
STGF12NB60KD STMicroelectronics STGF12NB60KD -
RFQ
 ECAD 9786 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète - Par le trou À 220-3 EXCHET STGF12 Standard 30 W À 220fp télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 480v, 12a, 10 ohms, 15v 37 ns - 600 V 14 A 60 a 2,8 V @ 15V, 12A 152µJ (ON), 258µJ (OFF) 54 NC 25ns / 96ns
STGP6NC60H STMicroelectronics Stgp6nc60h -
RFQ
 ECAD 3178 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Stgp6 Standard 56 W À 220 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 390V, 3A, 10OHM, 15V 21 ns - 600 V 15 A 21 A 2,5 V @ 15V, 3A 20µJ (ON), 68µJ (OFF) 13,6 NC 12ns / 76ns
STGB35N35LZT4 STMicroelectronics STGB35N35LZT4 -
RFQ
 ECAD 8134 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STGB35 Logique 176 W D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 300 V, 15A, 5V - 345 V 40 A 80 A 1,7 V @ 4,5 V, 15A - 49 NC 1,1 µs / 26,5 µs
STGD7NB120S-1 STMicroelectronics Stgd7nb120s-1 -
RFQ
 ECAD 5216 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa STGD7 Standard 55 W À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 960v, 7a, 1kohm, 15v - 1200 V 10 a 20 a 2.1V @ 15V, 7A 15mj (off) 29 NC 570ns / -
STGD10NC60SDT4 STMicroelectronics Stgd10nc60sdt4 2.4500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 STGD10 Standard 60 W Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 390V, 5A, 10OHM, 15V 22 ns - 600 V 18 a 25 A 1,65 V @ 15V, 5A 60 µJ (ON), 340 µJ (OFF) 18 NC 19ns / 160ns
STP17N62K3 STMicroelectronics STP17N62K3 5.4300
RFQ
 ECAD 968 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3 ™ Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP17N MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 620 V 15,5a (TC) 10V 380 mOhm @ 7,5a, 10v 4,5 V @ 100µA 94 NC @ 10 V ± 30V 2500 pf @ 50 V - 190W (TC)
STF9NM60N STMicroelectronics STF9NM60N 2.8900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Stf9nm60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 6.5a (TC) 10V 745MOHM @ 3 25A, 10V 4V @ 250µA 17.4 NC @ 10 V ± 25V 452 PF @ 50 V - 25W (TC)
STGW39NC60VD STMicroelectronics Stgw39nc60vd 5.8000
RFQ
 ECAD 527 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STGW39 Standard 250 W À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-5741 EAR99 8541.29.0095 30 390V, 30A, 10OHM, 15V 45 ns - 600 V 80 A 220 A 2,4 V @ 15V, 30A 333 µJ (ON), 537µJ (OFF) 126 NC 33ns / 178ns
STGE50NB60HD STMicroelectronics STGE50NB60HD -
RFQ
 ECAD 6171 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc STGE50 300 W Standard Isotop télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 497-5269-5 EAR99 8541.29.0095 100 Célibataire - 600 V 100 A 2,8 V @ 15V, 50A 250 µA Non 4,5 nf @ 25 V
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    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

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