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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Condition de test | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | STW72N60DM6AG | 10.2287 | ![]() | 9813 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW72 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 497-STW72N60DM6AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal n | 600 V | 56a (TC) | 10V | 42MOHM @ 28A, 10V | 4,75 V @ 250µA | 98 NC @ 10 V | ± 25V | 4444 PF @ 100 V | - | 390W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
STP95N3llh6 | - | ![]() | 8789 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Tube | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP95 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 30 V | 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,7MOHM @ 40A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 20 NC @ 4,5 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sti33n60m6 | - | ![]() | 9436 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Sti33 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 497-sti33n60m6 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 25a (TC) | 10V | 125 mOhm @ 12,5a, 10v | 4,75 V @ 250µA | 33,4 NC @ 10 V | ± 25V | 1515 pf @ 100 V | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Std38nh02l-1 | - | ![]() | 9552 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ III | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Std38 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 24 V | 38A (TC) | 5v, 10v | 13,5 mohm @ 19a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1070 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stl70n4llf5 | 1.6100 | ![]() | 3484 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ V | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | 8 powervdfn | STL70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 70A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,5 mohm @ 9a, 10v | 1V @ 250µA | 13 NC @ 4,5 V | ± 22V | 1800 pf @ 25 V | - | 72W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STK224N4F7AG | 1.2116 | ![]() | 5089 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | STK224 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 497-STK224N4F7AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 10V | 1,5 mohm @ 50a, 10v | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 4060 PF @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stn6n60m2 | 0,7000 | ![]() | 108 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m2 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-3 | Stn6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 600 V | 5.5A (TC) | 10V | 1,25 ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250µA | 6.2 NC @ 10 V | ± 25V | 220 pf @ 100 V | - | 6W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stl75nh3ll | - | ![]() | 3529 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,7MOHM @ 10A, 10V | 1V @ 250µA | 24 NC @ 4,5 V | ± 16V | 1810 PF @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stl8n6lf6ag | 1.4200 | ![]() | 1661 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 32A (TC) | 4,5 V, 10V | 27MOHM @ 9.6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1340 pf @ 25 V | - | 4.8W (TA), 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL117N4LF7AG | 0,8206 | ![]() | 1540 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL117 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 119a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,5 mohm @ 13a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 27,6 NC @ 10 V | ± 20V | 1780 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF43N60DM2 | 6.4700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF43 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-16344-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 34A (TC) | 10V | 93MOHM @ 17A, 10V | 5V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ± 25V | 2500 pf @ 100 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Bul804 | - | ![]() | 5658 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Bul804 | 70 W | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 V | 4 A | 250 µA | NPN | 1,2 V @ 500mA, 2.5A | 10 @ 2a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP5N62K3 | - | ![]() | 9332 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3 ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP5N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 620 V | 4.2a (TC) | 10V | 1,6 ohm @ 2,1a, 10v | 4,5 V @ 50µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STU5N80K5 | 0,9160 | ![]() | 6384 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ k5 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STU5N80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 800 V | 4A (TC) | 10V | 1 75 ohm @ 2a, 10v | 5V @ 100µA | 5 NC @ 10 V | ± 30V | 177 PF @ 100 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
STGP19NC60SD | 2.5800 | ![]() | 4094 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STGP19 | Standard | 130 W | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480v, 12a, 10 ohms, 15v | 31 ns | - | 600 V | 40 A | 80 A | 1,9 V @ 15V, 12A | 135µJ (ON), 815µJ (OFF) | 54,5 NC | 17,5ns / 175ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
STG3P2M10N60B | - | ![]() | 1586 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Semitop® | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Semitop®2 | Stg3p2 | 56 W | Réception de Pont Monophasé | Semitop®2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Onduleur Triphasé | - | 600 V | 19 a | 2,5 V @ 15V, 7A | 10 µA | Non | 720 pf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
STL23NM60ND | - | ![]() | 6037 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL23 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (8x8) HV | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 19,5A (TC) | 10V | 180MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 25V | 2050 PF @ 50 V | - | 3W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW50NB20 | - | ![]() | 6565 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW50N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-2670-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 200 V | 50A (TC) | 10V | 55MOHM @ 25A, 10V | 5V @ 250µA | 115 NC @ 10 V | ± 30V | 3400 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB20NK50ZT4 | - | ![]() | 3345 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB20N | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 17A (TC) | 10V | 270MOHM @ 8.5A, 10V | 4,5 V @ 100µA | 119 NC @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD2941-10W | 77,5000 | ![]() | 9217 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Plateau | Actif | 130 V | M174 | SD2941 | 175 MHz | Mosfet | M174 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 20A | 250 mA | 175W | 15,8 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ULN2801A | 2.9300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 18 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ULN2801 | 2.25W | 18 plombes | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 50v | 500mA | - | 8 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | 1000 @ 350mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGF30H65DFB2 | 1.2646 | ![]() | 1854 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STGF30 | Standard | 50 W | À 220fp | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 497-STGF30H65DFB2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 400V, 30A, 6,8 ohms, 15v | 115 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 50 a | 90 A | 2.1V @ 15V, 30A | 270 µJ (ON), 310 µJ (OFF) | 90 NC | 18.4ns / 71ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
SD2932 | - | ![]() | 2252 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Boîte | Obsolète | 125 V | M244 | SD2932 | 175 MHz | Mosfet | M244 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Canal n | 40a | 500 mA | 300W | 16 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGE200NB60S | 34.6700 | ![]() | 1138 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | STGE200 | 600 W | Standard | Isotop | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Célibataire | - | 600 V | 200 A | 1,6 V @ 15V, 100A | 500 µA | Non | 1,56 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD54008 | - | ![]() | 2939 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 25 V | Paders Powerso-10 Exposé | PD54008 | 500 MHz | LDMOS | 10 Powerso | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 5A | 150 mA | 8W | 11,5 dB | - | 7,5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB40NF10LT4 | 3.0600 | ![]() | 3585 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 40A (TC) | 5v, 10v | 33MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 64 NC @ 4,5 V | ± 15V | 2300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
BU810 | - | ![]() | 3498 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | BU810 | 75 W | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 7 A | 1 mA | Npn - darlington | 3V @ 700mA, 7A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF10NM60N | 3.1800 | ![]() | 622 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 25V | 540 pf @ 50 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STU6N62K3 | 2.0100 | ![]() | 6495 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3 ™ | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STU6N62 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 620 V | 5.5A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,8a, 10v | 4,5 V @ 50µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 875 PF @ 50 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL100N10F7 | 2.5600 | ![]() | 73 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 80A (TC) | 10V | 7,3MOHM @ 19A, 10V | 4V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 5680 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 100W (TC) |
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