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Transistors (3861)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Std2nc45-1	1.0900	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	Std2nc45			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251 (ipak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n						450 V	1.5A (TC)	10V	4,5 ohm @ 500mA, 10V	3,7 V @ 250µA	7 NC @ 10 V	± 30V	160 pf @ 25 V	-	30W (TC)
STP6NC60	-	RFQ	3031	Stmicroelectronics	PowerMesh ™ II	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP6N			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						600 V	6A (TC)	10V	1,2 ohm @ 3a, 10v	4V @ 250µA	45,5 NC @ 10 V	± 30V	1020 pf @ 25 V	-	125W (TC)
STFU13N80K5	4.3000	RFQ	3282	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ k5	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STFU13			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-17144	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						800 V	12A (TC)	10V	450mohm @ 6a, 10v	5V @ 100µA	29 NC @ 10 V	± 30V	870 pf @ 100 V	-	35W (TC)
Sti6n80k5	-	RFQ	2935	Stmicroelectronics	SuperMesh5 ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Sti6			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						800 V	4.5a (TC)	10V	1,6 ohm @ 2a, 10v	5V @ 100µA	7,5 NC @ 10 V	30V	255 PF @ 100 V	-	85W (TC)
Stgf30m65df2	2.8800	RFQ	1	Stmicroelectronics	M	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STGF30	Standard			38 W	À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50				400 V, 30A, 10OHM, 15V															140 ns	Arête du Champ de Tranché	650 V	60 a	120 A	2V @ 15V, 30A	300 µJ (ON), 960µJ (OFF)	80 NC	31,6ns / 115ns
Stgwa80h65fb	-	RFQ	5060	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Stgwa80	Standard			469 W	À 247 Pistes longs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30				400V, 80A, 10OHM, 15V																Arête du Champ de Tranché	650 V	120 A	240 A	2v @ 15v, 80a	2,1mj (on), 1,5mj (off)	414 NC	84ns / 280ns
STP60NF06FP	1.8100	RFQ	9624	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tube	Pas de designs les nouveaux		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STP60			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						60 V	30a (TC)	10V	16MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	± 20V	1810 PF @ 25 V	-	30W (TC)
BD139	0,6600	RFQ	9233	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3	BD139				1,25 W	SOT-32-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																					80 V	1,5 A							100NA (ICBO)	NPN	500 mV à 50ma, 500mA	40 @ 150mA, 2V	-
Stl7ln65k5ag	3 0000	RFQ	5270	Stmicroelectronics	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	Stl7ln65			MOSFET (Oxyde Métallique)		Powerflat ™ (5x6) VHV	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						650 V	5A (TC)	10V	1,5 ohm @ 2,5a, 10v	5V @ 100µA	11.7 NC @ 10 V	± 30V	270 pf @ 100 V	-	79W (TC)
Std100n10f7	2.8800	RFQ	26	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std100			MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						100 V	80A (TC)	10V	8MOHM @ 40A, 10V	4,5 V @ 250µA	61 NC @ 10 V	± 20V	4369 PF @ 50 V	-	120W (TC)
Std9n65m2	1.6300	RFQ	685	Stmicroelectronics	MDMESH ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std9			MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						650 V	5A (TC)	10V	900 mohm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	± 25V	315 PF @ 100 V	-	60W (TC)
STP318N4F6	-	RFQ	6917	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-STP318N4F6	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						40 V	160a (TC)	10V	2,2MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	± 20V	13800000 PF @ 25 V	-	341W (TC)
STLD125N4F6AG	3.4400	RFQ	2983	Stmicroelectronics	Stripfet ™ F6	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	STLD125			MOSFET (Oxyde Métallique)		Double Côté Powerflat ™ (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-17147-2	EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						40 V	120A (TC)	6,5 V, 10V	3MOHM @ 75A, 10V	4V @ 1MA	91 NC @ 10 V	± 20V	5600 pf @ 10 V	-	130W (TC)
STB10N60M2	1.6400	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II Plus	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB10			MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						600 V	7.5a (TC)	10V	600mohm @ 3a, 10v	4V @ 250µA	13,5 NC @ 10 V	± 25V	400 pf @ 100 V	-	85W (TC)
Std10nm50n	-	RFQ	1757	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std10			MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						500 V	7a (TC)	10V	630mohm @ 3,5a, 10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 25V	450 pf @ 50 V	-	70W (TC)
SD2931-11W	67.1550	RFQ	4432	Stmicroelectronics	-	Plateau	Actif	125 V			M244	SD2931		175 MHz	Mosfet		M244	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25	Canal n		20A		250 mA	150W	15 dB											-										50 V
STW24N60M2	-	RFQ	3726	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II Plus	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW24			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						600 V	18A (TC)	10V	190MOHM @ 9A, 10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 25V	1060 pf @ 100 V	-	150W (TC)
STW43NM60ND	-	RFQ	9367	Stmicroelectronics	FDMESH ™	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW43N			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-8461-5	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						600 V	35A (TC)	10V	88MOHM @ 17,5A, 10V	5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	± 25V	4300 pf @ 50 V	-	255W (TC)
STGB50H65FB2	1.3018	RFQ	1371	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STGB50	Standard			272 W	D²pak (à 263)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-STGB50H65FB2	EAR99	8541.29.0095	1 000				400V, 50A, 4,7 ohms, 15v																Arête du Champ de Tranché	650 V	86 A	150 a	2V @ 15V, 50A	910 µJ (ON), 580µJ (OFF)	151 NC	28NS / 115NS
Stgb10m65df2	2.2700	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STGB10	Standard			115 W	D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000				400 V, 10A, 22OHM, 15V															96 ns	Arête du Champ de Tranché	650 V	20 a	40 A	2V @ 15V, 10A	120 µJ (ON), 270 µJ (OFF)	28 NC	19ns / 91ns
STL19N60M2	1.3035	RFQ	6010	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ m2	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	STL19			MOSFET (Oxyde Métallique)		Powerflat ™ (8x8) HV	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						600 V	11a (TC)	10V		4V @ 250µA	21,5 NC @ 10 V	± 25V	791 PF @ 100 V	-	90W (TC)
PD85025STR-E	-	RFQ	4019	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	40 V			Powerso-10rf Pad Exposé de la	PD85025		870 MHz	LDMOS		Powerso-10rf (Tête Droite)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	600			7a		300 mA	10W	17,3 dB											-										13,6 V
STP7N60M2	1.4700	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II Plus	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP7N60			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						600 V	5A (TC)	10V	950mohm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	8,8 NC @ 10 V	± 25V	271 PF @ 100 V	-	60W (TC)
STGP100N30	6.1000	RFQ	849	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STGP100	Standard			250 W	À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50				180V, 25A, 10OHM, 15V																-	330 V	90 A		2,5 V @ 15V, 50A	-		- / 134ns
STF25N60M2-EP	2.8600	RFQ	360	Stmicroelectronics	MDMESH ™ M2-EP	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF25			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-15886-5	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						600 V	18A (TC)	10V	188MOHM @ 9A, 10V	4,75 V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 25V	1090 pf @ 100 V	-	30W (TC)
STW75N60DM6	13.7100	RFQ	375	Stmicroelectronics	MDMESH ™ DM6	Tube	Actif		-	Par le trou	À 247-3	STW75			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	600		Canal n						600 V	72A (TC)	-	-	-		± 25V		-	-
STP10NK62ZFP	-	RFQ	7863	Stmicroelectronics	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif					STP10						-		1 (illimité)	Atteindre non affecté				1 000
STB34N65M5	6.5400	RFQ	5674	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB34			MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						650 V	28a (TC)	10V	110MOHM @ 14A, 10V	5V @ 250µA	62,5 NC @ 10 V	± 25V	2700 pf @ 100 V	-	190W (TC)
STP80NF55-08AG	3.0300	RFQ	2391	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP80			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-17149	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						55 V	80A (TC)	10V	8MOHM @ 40A, 10V	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	± 20V	3740 pf @ 15 V	-	300W (TC)
STP2NK90Z	2.0400	RFQ	741	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP2NK90			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-4378-5	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						900 V	2.1A (TC)	10V	6,5 ohm @ 1 05a, 10v	4,5 V @ 50µA	27 NC @ 10 V	± 30V	485 PF @ 25 V	-	70W (TC)

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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Fabricants mondiaux
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