RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Transistors (3861)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des émettes de collection (max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
SD3933	130 6800	RFQ	4324	Stmicroelectronics	-	Plateau	Actif	250 V			M177	SD3933		30 MHz	Mosfet			M177	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25	Canal n		20A		250 mA	350W	29 dB											-										100 V
STL30N10F7	1.3400	RFQ	7	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	STL30			MOSFET (Oxyde Métallique)			Powerflat ™ (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						100 V	30a (TC)	10V	35MOHM @ 4A, 10V	4,5 V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 20V	920 PF @ 50 V	-	75W (TC)
STGP20NC60V	3.6600	RFQ	9469	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STGP20	Standard			200 W		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50				390V, 20A, 3,3 ohms, 15v																-	600 V	60 a	100 A	2,5 V @ 15V, 20A	220µJ (ON), 330 µJ (OFF)	100 NC	31ns / 100ns
Std7n80k5	2.4100	RFQ	5671	Stmicroelectronics	SuperMesh5 ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std7n80			MOSFET (Oxyde Métallique)			Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						800 V	6A (TC)	10V	1,2 ohm @ 3a, 10v	5V @ 100µA	13.4 NC @ 10 V	± 30V	360 pf @ 100 V	-	110W (TC)
Sti200n6f3	-	RFQ	3107	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	STI200N			MOSFET (Oxyde Métallique)			I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						60 V	120A (TC)	10V	3,8MOHM @ 60A, 10V	4V @ 250µA	101 NC @ 10 V	± 20V	6265 PF @ 25 V	-	330W (TC)
STL75N8LF6	-	RFQ	2508	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	STL75			MOSFET (Oxyde Métallique)			Powerflat ™ (5x6)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						80 V	75A (TC)	5v, 10v	7,4MOHM @ 9A, 10V	1V @ 250µA	125 NC @ 4,5 V	+ 21v, -16v	6895 PF @ 25 V	-	80W (TC)
STU40N2LH5	-	RFQ	9342	Stmicroelectronics	Stripfet ™ V	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	Stu40			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 251 (ipak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n						25 V	40A (TC)	5v, 10v	12.4MOHM @ 20A, 10V	1V @ 250µA	6.3 NC @ 5 V	± 22V	700 pf @ 20 V	-	35W (TC)
PD84006-E	-	RFQ	5188	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	25 V			Paders Powerso-10 Exposé	PD84006		870 MHz	LDMOS			10 Powerso	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			5A		150 mA	6W	15 dB											-										7,5 V
STFV4N150	-	RFQ	8291	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Stfv4			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-5093-5	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						1500 V	4A (TC)	10V	7OHM @ 2A, 10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 30V	1300 pf @ 25 V	-	40W (TC)
SCTW40N120G2V	21.6100	RFQ	7132	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3				Sicfet (carbure de silicium)			HIP247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497 SCTW40N120G2V	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						1200 V	36a (TC)	18V	100MOHM @ 20A, 18V	4,9 V @ 1MA	61 NC @ 18 V	+ 22V, -10V	1233 PF @ 800 V	-	278W (TC)
STP7N52K3	-	RFQ	7625	Stmicroelectronics	SuperMesh3 ™	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP7N			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						525 V	6A (TC)	10V	980MOHM @ 3.1A, 10V	4,5 V @ 50µA	34 NC @ 10 V	± 30V	737 PF @ 100 V	-	90W (TC)
STGF3NC120HD	2.1700	RFQ	3777	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Stgf3	Standard			25 W		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-4353-5	EAR99	8541.29.0095	50				800 V, 3A, 10OHM, 15V															51 ns	-	1200 V	6 A	20 a	2,8 V @ 15V, 3A	236µJ (ON), 290 µJ (OFF)	24 NC	15NS / 118NS
Stl45p3llh6	0,6306	RFQ	1288	Stmicroelectronics	Stripfet ™ H6	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	STL45			MOSFET (Oxyde Métallique)			Powerflat ™ (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p						30 V	45A (TC)	4,5 V, 10V	13MOHM @ 6A, 10V	1V @ 250µA	24 NC @ 4,5 V	± 20V	2615 PF @ 25 V	-	4.8W (TA), 75W (TC)
STF24N60M6	2.9200	RFQ	1929	Stmicroelectronics	MDMESH ™ M6	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF24			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-18246	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						600 V	17A (TJ)	10V	190mohm @ 8,5a, 10v	4,75 V @ 250µA	23 NC @ 10 V	± 25V	960 PF @ 100 V	-	30W (TC)
STP57N65M5	11.3100	RFQ	7963	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP57			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						650 V	42A (TC)	10V	63MOHM @ 21A, 10V	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	± 25V	4200 pf @ 100 V	-	250W (TC)
Stgfw30v60df	-	RFQ	3369	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET	Stgfw30	Standard			58 W		To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-497-15011-5	EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 30A, 10OHM, 15V															53 ns	Arête du Champ de Tranché	600 V	60 a	120 A	2.3V @ 15V, 30A	383 µJ (ON), 233 µJ (OFF)	163 NC	45NS / 189NS
STF18N65M2	2.7200	RFQ	759	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ m2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF18			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						650 V	12A (TC)	10V	330MOHM @ 6A, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 25V	770 PF @ 100 V	-	25W (TC)
STP85N3LH5	-	RFQ	7158	Stmicroelectronics	Stripfet ™ V	Tube	Obsolète		175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP85N			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-8451-5	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						30 V	80A (TC)	5v, 10v	5.4MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250µA	14 NC @ 5 V	± 22V	1850 pf @ 25 V	-	70W (TC)
STP9NK65ZFP	1.7600	RFQ	78	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STP9NK65			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						650 V	6.4a (TC)	10V	1,2 ohm @ 3,2a, 10v	4,5 V @ 100µA	41 NC @ 10 V	± 30V	1145 PF @ 25 V	-	30W (TC)
Stwa70n65dm6	13.7100	RFQ	15	Stmicroelectronics	MDMESH ™ DM6	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STWA70			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 Pistes longs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	600		Canal n						650 V	68A (TC)	10V	40 mohm @ 34a, 10v	4,75 V @ 250µA	125 NC @ 10 V	± 25V	4900 PF @ 100 V	-	450W (TC)
STU13N65M2	-	RFQ	9847	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ m2	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	STU13N			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 251 (ipak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-15574-5	EAR99	8541.29.0095	75		Canal n						650 V	10A (TC)	10V	430MOHM @ 5A, 10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 25V	590 PF @ 100 V	-	110W (TC)
STL4P2UH7	-	RFQ	8966	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	6 Powerwdfn	STL4			MOSFET (Oxyde Métallique)			Powerflat ™ (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p						20 V	4A (TC)	1,8 V, 4,5 V	100MOHM @ 2A, 4,5 V	1V @ 250µA	4,8 NC @ 4,5 V	± 8v	510 PF @ 10 V	-	2.4W (TC)
STW56N65M2	10.6400	RFQ	243	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ m2	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW56			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-15594-5	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						650 V	49a (TC)	10V	62MOHM @ 24.5A, 10V	4V @ 250µA	93 NC @ 10 V	± 25V	3900 pf @ 100 V	-	358W (TC)
A1P50S65M2	50.2800	RFQ	9897	Stmicroelectronics	-	Plateau	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	A1p50				208 W	Standard	ACEPACK ™ 1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	18	Onduleur Triphasé																			Arête du Champ de Tranché	650 V	50 a		2.3V @ 15V, 50A					100 µA	Oui	4.15 NF @ 25 V
STGP30NC60W	-	RFQ	1242	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STGP30	Standard			200 W		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50				390V, 20A, 10OHM, 15V																-	600 V	60 a	150 A	2,5 V @ 15V, 20A	305µJ (ON), 181µJ (OFF)	102 NC	29,5ns / 118ns
Stgwa75h65dfb2	6.1200	RFQ	6360	Stmicroelectronics	HB2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Stgwa75	Standard			357 W		À 247 Pistes longs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-stgwa75h65dfb2	EAR99	8541.29.0095	30				400V, 75A, 2,2 ohms, 15v															88 ns	Arête du Champ de Tranché	650 V	115 A	225 A	2v @ 15v, 75a	1 428MJ (ON), 1 05MJ (OFF)	207 NC	28ns / 100ns
STW72N60DM6AG	10.2287	RFQ	9813	Stmicroelectronics	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW72			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247-3	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-STW72N60DM6AG	EAR99	8541.29.0095	600		Canal n						600 V	56a (TC)	10V	42MOHM @ 28A, 10V	4,75 V @ 250µA	98 NC @ 10 V	± 25V	4444 PF @ 100 V	-	390W (TC)
STP95N3llh6	-	RFQ	8789	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Tube	Obsolète		175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP95			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						30 V	80A (TC)	4,5 V, 10V	4,7MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250µA	20 NC @ 4,5 V	± 20V	2200 pf @ 25 V	-	70W (TC)
Sti33n60m6	-	RFQ	9436	Stmicroelectronics	MDMESH ™ M6	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Sti33			MOSFET (Oxyde Métallique)			I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-sti33n60m6	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						600 V	25a (TC)	10V	125 mOhm @ 12,5a, 10v	4,75 V @ 250µA	33,4 NC @ 10 V	± 25V	1515 pf @ 100 V	-	190W (TC)
Std38nh02l-1	-	RFQ	9552	Stmicroelectronics	Stripfet ™ III	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	Std38			MOSFET (Oxyde Métallique)			I-pak	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n						24 V	38A (TC)	5v, 10v	13,5 mohm @ 19a, 10v	2,5 V @ 250µA	24 NC @ 10 V	± 20V	1070 pf @ 25 V	-	40W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3861)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²