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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Condition de test | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | Stl75nh3ll | - | ![]() | 3529 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,7MOHM @ 10A, 10V | 1V @ 250µA | 24 NC @ 4,5 V | ± 16V | 1810 PF @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW12NK60Z | - | ![]() | 2497 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW12N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 600 V | 10A (TC) | 10V | 640MOHM @ 5A, 10V | 4,5 V @ 100µA | 59 NC @ 10 V | ± 30V | 1740 PF @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stl8n6lf6ag | 1.4200 | ![]() | 1661 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 32A (TC) | 4,5 V, 10V | 27MOHM @ 9.6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1340 pf @ 25 V | - | 4.8W (TA), 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL117N4LF7AG | 0,8206 | ![]() | 1540 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL117 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 119a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,5 mohm @ 13a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 27,6 NC @ 10 V | ± 20V | 1780 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Std7anm60n | 1.6900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std7anm60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 5A (TC) | 10V | 900 mohm @ 2,5a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 25V | 363 PF @ 50 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF43N60DM2 | 6.4700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF43 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-16344-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 34A (TC) | 10V | 93MOHM @ 17A, 10V | 5V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ± 25V | 2500 pf @ 100 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Bul804 | - | ![]() | 5658 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Bul804 | 70 W | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 V | 4 A | 250 µA | NPN | 1,2 V @ 500mA, 2.5A | 10 @ 2a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP5N62K3 | - | ![]() | 9332 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3 ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP5N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 620 V | 4.2a (TC) | 10V | 1,6 ohm @ 2,1a, 10v | 4,5 V @ 50µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS3P6F6 | - | ![]() | 6119 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | STS3P | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 60 V | 3A (TJ) | 10V | 160MOHM @ 1,5A, 10V | 4V @ 250µA | 6,4 NC @ 10 V | ± 20V | 340 PF @ 48 V | - | 2.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STU5N80K5 | 0,9160 | ![]() | 6384 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ k5 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STU5N80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 800 V | 4A (TC) | 10V | 1 75 ohm @ 2a, 10v | 5V @ 100µA | 5 NC @ 10 V | ± 30V | 177 PF @ 100 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stb36nf06lt4 | 0,8517 | ![]() | 5395 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB36 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 30a (TC) | 5v, 10v | 40 mohm @ 15a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 17 NC @ 5 V | ± 18V | 660 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
STP45N10F7 | 1.9900 | ![]() | 4267 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP45 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 45A (TC) | 10V | 18MOHM @ 22,5A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1640 PF @ 50 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL80N75F6 | 4.6600 | ![]() | 905 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 75 V | 80A (TC) | 10V | 6,3MOHM @ 9A, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 7120 PF @ 25 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
STGP19NC60SD | 2.5800 | ![]() | 4094 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STGP19 | Standard | 130 W | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480v, 12a, 10 ohms, 15v | 31 ns | - | 600 V | 40 A | 80 A | 1,9 V @ 15V, 12A | 135µJ (ON), 815µJ (OFF) | 54,5 NC | 17,5ns / 175ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STU75N3LLH6-S | - | ![]() | 2251 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Stu75n | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,9MOHM @ 37,5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 17 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1690 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STP80N240K6 | 5.9900 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ k6 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-STP80N240K6 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 16A (TC) | 10V | 220mohm @ 7a, 10v | 4V @ 100µA | 25,9 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 100 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
STG3P2M10N60B | - | ![]() | 1586 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Semitop® | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Semitop®2 | Stg3p2 | 56 W | Réception de Pont Monophasé | Semitop®2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Onduleur Triphasé | - | 600 V | 19 a | 2,5 V @ 15V, 7A | 10 µA | Non | 720 pf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Std10pf06-1 | - | ![]() | 3778 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tube | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Std10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 60 V | 10A (TC) | 10V | 200 mohm @ 5a, 10v | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stl11n4llf5 | 1.5900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ V | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | Stl11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 11a (TC) | 4,5 V, 10V | 9.7MOHM @ 5.5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 12,9 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1570 pf @ 25 V | - | 2.9W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STU2N105K5 | 1.9900 | ![]() | 980 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ k5 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STU2N105 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 1050 V | 1.5A (TC) | 10V | 8OHM @ 750mA, 10V | 5V @ 100µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 115 PF @ 100 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF28N60DM2 | 3.7500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF28 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-16351-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 160MOHM @ 10.5A, 10V | 5V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 25V | 1500 pf @ 100 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF19NF20 | 1.6900 | ![]() | 47 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mesh Superposition ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF19 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 15A (TC) | 10V | 160MOHM @ 7,5A, 10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT040H65G3AG | 15.4400 | ![]() | 2242 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca | SCT040 | Sicfet (carbure de silicium) | H2PAK-7 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 497-SCT040H65G3AGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 30a (TC) | 15V, 18V | 55MOHM @ 20A, 18V | 4.2v @ 1MA | 39,5 NC @ 18 V | + 18V, -5V | 920 PF @ 400 V | - | 221W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW30M65DF2 | 3.3700 | ![]() | 421 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STGW30 | Standard | 258 W | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-16485-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30A, 10OHM, 15V | 140 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 60 A | 120 A | 2V @ 15V, 30A | 300 µJ (ON), 960µJ (OFF) | 80 NC | 31,6ns / 115ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stb9nk50zt4 | 1.5800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Stb9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 7.2a (TC) | 10V | 850mohm @ 3,6a, 10v | 4,5 V @ 100µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 910 PF @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
STGP20H60DF | 2.1700 | ![]() | 2746 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STGP20 | Standard | 167 W | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 20A, 10OHM, 15V | 90 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 40 A | 80 A | 2V @ 15V, 20A | 209 µJ (ON), 261µJ (OFF) | 115 NC | 42,5ns / 177ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bex48 | - | ![]() | 7152 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Sac | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | To-204aa, to-3 | Bex48 | 175 W | To-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 400 V | 15 A | 200 µA | NPN | 5V @ 3A, 15A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
SD56120 | - | ![]() | 3613 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Boîte | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | M246 | SD56120 | 860 MHz | LDMOS | M246 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 14A | 400 mA | 100W | 16 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS5NF60L | 1.4500 | ![]() | 5424 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | STS5NF60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 5A (TC) | 4,5 V, 10V | 55MOHM @ 2,5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 17 NC @ 5 V | ± 20V | 1250 pf @ 25 V | - | 2,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stgwa30h60dfb | - | ![]() | 7393 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | HB | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Stgwa30 | Standard | 260 W | À 247 Pistes longs | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 400 V, 30A, 10OHM, 15V | 53 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 60 A | 120 A | 2V @ 15V, 30A | 383 µJ (ON), 293µJ (OFF) | 149 NC | 37ns / 146ns |
Volume de RFQ moyen quotidien
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