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Transistors (17799)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
Ntljd4150ptbg	-	RFQ	1475	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN	Ntljd41		MOSFET (Oxyde Métallique)	700mw	6-WDFN (2x2)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)				30V	1.8a		135MOHM @ 4A, 10V	2V à 250µA	4.5nc @ 4,5 V		300pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
MPS8098_D81Z	-	RFQ	8413	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	MPS809			625 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000																60 V	500 mA					100NA	NPN	400 mV @ 5mA, 100mA	100 @ 1MA, 5V	150 MHz
Fqpf11p06	1.3600	RFQ	5471	onsemi	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Fqpf11		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal p			60 V	8.6a (TC)	10V	175MOHM @ 4.3A, 10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 25V	550 pf @ 25 V	-	30W (TC)
FJNS7565TA	-	RFQ	9233	onsemi	-	Tape & Box (TB)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Court	FJNS75			550 MW	To-92s	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000																10 V	5 a					100NA (ICBO)	NPN	450 mV @ 60m, 3a	450 @ 500mA, 2V	-
2N4410_D75Z	-	RFQ	9773	onsemi	-	Tape & Box (TB)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	2N4410			625 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000																80 V	200 mA					10NA (ICBO)	NPN	200 mV à 100 µA, 1MA	60 @ 10mA, 1V	-
NTD3813N-35G	-	RFQ	4552	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-251-3 Stub Leads, ipak	NTD38		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n			16 V	9.6A (TA), 51A (TC)	4,5 V, 10V	8 75 mOhm @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA	12,8 NC @ 4,5 V	± 16V	963 PF @ 12 V	-	1.2W (TA), 34,9W (TC)
MPSA27_D75Z	-	RFQ	3104	onsemi	-	Tape & Box (TB)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	MPSA27			625 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000																60 V	800 mA					500NA	Npn - darlington	1,5 V @ 100µA, 100mA	10000 @ 100mA, 5V	125 MHz
Fqd4n50tm_ws	-	RFQ	6618	onsemi	QFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Fqd4		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n			500 V	2.6a (TC)	10V	2,7 ohm @ 1,3a, 10v	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 30V	460 pf @ 25 V	-	2,5W (TA), 45W (TC)
BF959RL1	-	RFQ	6210	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes)	BF959			625mw	À 92 (à 226)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	2 000				-												20V	100 mA						NPN		40 @ 20mA, 10V	700 MHz			3 dB à 200mHz
KSC2310YTA	-	RFQ	1743	onsemi	-	Tape & Box (TB)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes)	KSC2310			800 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000																150 V	50 mA					100NA (ICBO)	NPN	500 mV @ 1MA, 10mA	120 @ 10mA, 5V	100 MHz
MJW18020G	9.1300	RFQ	6633	onsemi	-	Tube	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	MJW18020			250 W	À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30																450 V	30 A					100 µA	NPN	1,5 V @ 4A, 20A	14 @ 3a, 5v	13 MHz
2SC6099-TL-E	0,8700	RFQ	700	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	2SC6099			800 MW	TP-FA	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	700																100 V	2 A					1µA (ICBO)	NPN	165 MV à 100MA, 1A	300 @ 100mA, 5V	300 MHz
MJ11016G	8.2100	RFQ	7319	onsemi	-	Plateau	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3	MJ11016			200 W	To-204 (to-3)	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	100																120 V	30 A					1 mA	Npn - darlington	4V @ 300mA, 30A	1000 @ 20A, 5V	4 MHz
FDZ1323NZ	1 5000	RFQ	60	onsemi	PowerTrench®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-xfbga, wlcsp	FDZ1323		MOSFET (Oxyde Métallique)	500mw	6-WLCSP (1.3x2.3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	5 000	2 Canaux N (double) draine commun				20V	10A		13MOHM @ 1A, 4,5 V	1,2 V à 250µA	24 NC @ 10V		2055pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
Nsbc114tpdxv6t1	-	RFQ	3279	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	SOT-563, SOT-666	NSBC114			500mw	SOT-563	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Nsbc114tpdxv6t1os	EAR99	8541.21.0095	4 000																50v	100 mA					500NA	1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double)	250 MV @ 1MA, 10MA	160 @ 5mA, 10V	-	10 kohms	-
HUFA75823D3S	-	RFQ	6229	onsemi	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	HUFA75		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n			150 V	14A (TC)	10V	150 mohm @ 14a, 10v	4V @ 250µA	54 NC @ 20 V	± 20V	800 pf @ 25 V	-	85W (TC)
FQP5N20L	-	RFQ	5286	onsemi	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	FQP5		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			200 V	4.5a (TC)	5v, 10v	1,2 ohm @ 2 25a, 10v	2V à 250µA	6.2 NC @ 5 V	± 20V	325 pf @ 25 V	-	52W (TC)
FJYF2906TF	-	RFQ	3562	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-563, SOT-666	FJYF29			150 MW	SOT-563F	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																40 V	150 mA					-	Pnp	500 mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250 MHz
MJ21194G	8.8600	RFQ	2086	onsemi	-	Plateau	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3	MJ21194			250 W	To-204 (to-3)	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	100																250 V	16 A					100 µA	NPN	4V @ 3.2A, 16A	25 @ 8a, 5v	4 MHz
Sgu20n40ltu	-	RFQ	5286	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	Sgu20	Standard		45 W	I-pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 040			-												Tranché	400 V		150 a	8v @ 4,5 V, 150A	-	-
Ntmjs1d6n06cltwg	4.7500	RFQ	9371	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-1205, 8-LFPAK56	Ntmjs1		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-lfpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n			60 V	38A (TA), 250A (TC)	4,5 V, 10V	1,36MOHM @ 50A, 10V	2V à 250µA	91 NC @ 10 V	± 20V	6660 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 167W (TC)
BD13716	0,5800	RFQ	1	onsemi	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3	BD137			1,25 W	TO-126-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000																60 V	1,5 A					100NA (ICBO)	NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 2V	-
KSE350	-	RFQ	6495	onsemi	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3	KSE35			20 W	TO-126-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000																300 V	500 mA					100 µA (ICBO)	Pnp	-	30 @ 50mA, 10V	-
CPH3116-TL-E	0.4900	RFQ	1533	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	CPH3116			900 MW	3 CPHM	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																50 V	1 a					100NA (ICBO)	Pnp	430 MV @ 10mA, 500mA	200 @ 100mA, 2V	420 MHz
MJL4302A	-	RFQ	9216	onsemi	-	Tube	Obsolète	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	MJL43			230 W	À 264	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	MJL4302AOS	EAR99	8541.29.0075	25																350 V	15 A					100 µA	Pnp	1V @ 800mA, 8A	80 @ 5A, 5V	35 MHz
BC556_J35Z	-	RFQ	6050	onsemi	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC556			500 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000																65 V	100 mA					15NA (ICBO)	Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
Nttfs4943ntwg	-	RFQ	3738	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	NTTFS4		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-WDFN (3.3x3.3)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n			30 V	8A (TA), 41A (TC)	4,5 V, 10V	7,2MOHM @ 20A, 10V	2,2 V @ 250µA	20,4 NC @ 10 V	± 20V	1386 pf @ 15 V	-	840MW (TA), 22,3W (TC)
KSC1507O	-	RFQ	4936	onsemi	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	KSC1507			15 W	À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	200																300 V	200 µA					100 µA (ICBO)	NPN	2v @ 5mA, 50mA	70 @ 10mA, 10V	80 MHz
PN200	-	RFQ	3352	onsemi	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	PN200			625 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000																45 V	500 mA					50na	Pnp	400 mV @ 20mA, 200mA	100 @ 150mA, 1V	250 MHz
MPS6531	-	RFQ	6814	onsemi	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	MPS653			625 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000																40 V	1 a					50NA (ICBO)	NPN	300 mV @ 10mA, 100mA	90 @ 100mA, 1v	-

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