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Transistors (17799)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
BC556_J18Z	-	RFQ	4082	onsemi	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	BC556			500 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000															65 V	100 mA					15NA (ICBO)	Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
FQP90N08	-	RFQ	1001	onsemi	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	FQP9		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n		80 V	71A (TC)	10V	16MOHM @ 35.5A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 25V	3250 pf @ 25 V	-	160W (TC)
2SC3645S-TD-E	0,1600	RFQ	12	onsemi	*	En gros	Actif									télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-2SC3645S-TD-E-488			1
Nvtfws002n04cltag	2.0100	RFQ	7052	onsemi	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	NVTFWS002		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-WDFN (3.3x3.3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 500		Canal n		40 V	28A (TA), 142A (TC)	4,5 V, 10V	2,2MOHM @ 50A, 10V	2V @ 90µA	49 NC @ 10 V	± 20V	2940 PF @ 25 V	-	3.2W (TA), 85W (TC)
KSC945CGTA	-	RFQ	2182	onsemi	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	KSC945			250 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000															50 V	150 mA					100NA (ICBO)	NPN	300 mV @ 10mA, 100mA	200 @ 1MA, 6V	300 MHz
ISL9V3036P3	-	RFQ	8467	onsemi	Ecospark®	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	ISL9	Logique		150 W	À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	400			300V, 1kohm, 5v											-	360 V	21 A	1,6 V @ 4V, 6A	-	17 NC	- / 4,8 µs
PN2222TAR	-	RFQ	9635	onsemi	-	Tape & Box (TB)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	PN2222			625 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000															30 V	600 mA					10NA (ICBO)	NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	300 MHz
KSC5030frtu	-	RFQ	7361	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET	KSC5030			60 W	To-3pf	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30															800 V	6 A					10µA (ICBO)	NPN	2V @ 600mA, 3A	10 @ 600mA, 5V	-
NTMFS4827NET3G	-	RFQ	2009	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERTDFN, 5 pistes	Ntmfs4		MOSFET (Oxyde Métallique)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n		30 V	8.8A (TA), 58,5A (TC)	4,5 V, 11,5 V	6 95MOHM @ 30A, 10V	2,5 V @ 250µA	16 NC @ 4,5 V	± 20V	1400 pf @ 12 V	-	870MW (TA), 38,5W (TC)
KSC2710YTA	-	RFQ	8461	onsemi	-	Tape & Box (TB)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Court	KSC2710			300 MW	To-92s	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000															20 V	500 mA					100NA (ICBO)	NPN	400 mV à 50ma, 500mA	120 @ 100mA, 1V	-
BC487G	-	RFQ	4257	onsemi	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long	BC487			625 MW	À 92 (à 226)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	5 000															60 V	500 mA					100NA (ICBO)	NPN	300 MV à 100MA, 1A	60 @ 100mA, 5V	200 MHz
Ntd24n06l	-	RFQ	3493	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	NTD24		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n		60 V	24a (TA)	5V	45MOHM @ 10A, 5V	2V à 250µA	32 NC @ 5 V	± 15V	1140 PF @ 25 V	-	1.36W (TA), 62,5W (TJ)
MJD200G	0,6300	RFQ	2	onsemi	-	Tube	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MJD200			1,4 w	Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	75															25 V	5 a					100NA (ICBO)	NPN	1,8 V @ 1A, 5A	45 @ 2a, 1v	65 MHz
Ntmfs4701nt3g	-	RFQ	3509	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERTDFN, 5 pistes	Ntmfs4		MOSFET (Oxyde Métallique)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	5 000		Canal n		30 V	7.7a (TA)	4,5 V, 10V	8MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	15 NC @ 4,5 V	± 20V	1280 pf @ 24 V	-	900mw (TA)
FMB3904	0,5800	RFQ	80	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	FMB39			700mw	Supersot ™ -6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000															40V	200m					-	2 npn (double)	300 MV à 5MA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250 MHz
NTGS3443T2G	-	RFQ	3849	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	NTGS34		MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p		20 V	2.2a (TA)	2,5 V, 4,5 V	65MOHM @ 4,4A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	15 NC @ 4,5 V	± 12V	565 pf @ 5 V	-	500mw (TA)
TIP33CG	2.5500	RFQ	487	onsemi	-	Tube	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	TIP33			80 W	À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30															100 V	10 a					700 µA	NPN	4V @ 2,5A, 10A	20 @ 3A, 4V	3 MHz
2SA1381CSTU	-	RFQ	3936	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3	2SA1381			7 W	TO-126-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	60															300 V	100 mA					100NA (ICBO)	Pnp	600 mV @ 2MA, 20mA	40 @ 10mA, 10V	150 MHz
FCH099N65S3-F155	7.4200	RFQ	425	onsemi	Superfet® III	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	FCH099		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	450		Canal n		650 V	30a (TC)	10V	99MOHM @ 15A, 10V	4,5 V @ 3MA	61 NC @ 10 V	± 30V	2480 pf @ 400 V	-	227W (TC)
Fd70n20pwd	-	RFQ	6070	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	FD70		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3p	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		200 V	70A (TA)		-	-				-	-
KSD1588RTU	-	RFQ	4348	onsemi	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	KSD1588			2 W	À 220f-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000															60 V	7 A					10µA (ICBO)	NPN	500 MV à 500mA, 5A	40 @ 3a, 1v	-
CPH6531-TL-E	-	RFQ	2619	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	CPH653			1.1W	6 cmph	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	3 000															50v	1A					100NA (ICBO)	2 pnp (double)	380 MV @ 10mA, 500mA	200 @ 100mA, 2V	420 MHz
Bub323zt4	-	RFQ	8218	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Bub323			150 W	D²pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Bub323zt4os	EAR99	8541.29.0095	800															350 V	10 a					100 µA	Npn - darlington	1,7 V @ 250mA, 10A	500 @ 5A, 4,6 V	2 MHz
TIP141T	-	RFQ	1941	onsemi	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	TIP141			80 W	À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 200															80 V	10 a					2MA	Npn - darlington	3V @ 40mA, 10A	1000 @ 5A, 4V	-
NTP6448ang	-	RFQ	9642	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	À 220-3	NTP644		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		100 V	80A (TC)	10V	13MOHM @ 76A, 10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	± 20V	4500 pf @ 25 V	-	-
FCH072N60F	9.3300	RFQ	1350	onsemi	FRFET®, Superfet® II	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	FCH072		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		600 V	52A (TC)	10V	72MOHM @ 26A, 10V	5V @ 250µA	215 NC @ 10 V	± 20V	8660 pf @ 100 V	-	481W (TC)
Efc6612r-tf	0,4053	RFQ	5	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	150 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	EFC6612		MOSFET (Oxyde Métallique)	2,5 W	6-CSP (1 77x3,54)	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000	2 Canaux N (double) draine commun			-	-		-	-	27nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique, Lecenteur de 2,5 V
Fdc699p	-	RFQ	8432	onsemi	PowerTrench®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-SSOT À PLAGE PLAT, SuperSot ™ -6 FLMP	FDC699		MOSFET (Oxyde Métallique)		Supersot ™ -6 flmp	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p		20 V	7a (ta)	2,5 V, 4,5 V	22MOHM @ 7A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	38 NC @ 5 V	± 12V	2640 PF @ 10 V	-	2W (ta)
MMUN2233LT1G	0.1400	RFQ	103	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMUN2233			246 MW	SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000															50 V	100 mA					500NA	NPN - Pré-biaisé	250 mV à 300 µA, 10mA	80 @ 5mA, 10V		4,7 kohms	47 kohms
Ntmfs4701nt1g	-	RFQ	5321	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERTDFN, 5 pistes	Ntmfs4		MOSFET (Oxyde Métallique)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1 500		Canal n		30 V	7.7a (TA)	4,5 V, 10V	8MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	15 NC @ 4,5 V	± 20V	1280 pf @ 24 V	-	900mw (TA)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (17799)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²