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Transistors (17799)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
TIP142	-	RFQ	8781	onsemi	-	Tube	Obsolète	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	TIP142		125 W	À 247-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	TIP142OS	EAR99	8541.29.0095	30													100 V	10 a	2MA	Npn - darlington	3V @ 40mA, 10A	1000 @ 5A, 4V	-
MUN5136DW1T1G	0,0553	RFQ	4878	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MUN5136		250mw	SC-88 / SC70-6 / SOT-363	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	2832-MUN5136DW1T1GTR	EAR99	8541.21.0095	3 000													50v	100 mA	500NA	2 PNP - Pré-biaisé (double)	250 mV à 300 µA, 10mA	80 @ 5mA, 10V	-	100 kohms	100 kohms
Irfi740btu	-	RFQ	9515	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Irfi7	MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	400 V	10A (TC)	10V	540MOHM @ 5A, 10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	± 30V	1800 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 134W (TC)
KSD288OTU	-	RFQ	1737	onsemi	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	KSD288		25 W	À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50													55 V	3 A	50 µA (ICBO)	NPN	1V @ 100mA, 1A	70 @ 500mA, 5V	-
FDS5672	1.7200	RFQ	47	onsemi	PowerTrench®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDS56	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	60 V	12A (TC)	6v, 10v	10MOHM @ 12A, 10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 20V	2200 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
BC557TA	-	RFQ	5988	onsemi	-	Tape & Box (TB)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC557		500 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000													45 V	100 mA	15NA (ICBO)	Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
Nvmfs5c430nlaft1g	2.7700	RFQ	6522	onsemi	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERTDFN, 5 pistes	Nvmfs5	MOSFET (Oxyde Métallique)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 500		Canal n	40 V	38A (TA), 200A (TC)	4,5 V, 10V	1,4 mohm @ 50a, 10v	2V à 250µA	70 NC @ 10 V	± 20V	4300 pf @ 20 V	-	3.8W (TA), 110W (TC)
Nsbc123jdxv6t5	-	RFQ	3423	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	SOT-563, SOT-666	NSBC123		500mw	SOT-563	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	8 000													50v	100 mA	500NA	2 npn - Pré-biaisé (double)	250 mV à 300 µA, 10mA	80 @ 5mA, 10V	-	2,2 kohms	47 kohms
BD234STU	-	RFQ	5057	onsemi	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3	BD234		25 W	TO-126-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	60													45 V	2 A	100 µA (ICBO)	Pnp	600 MV à 100MA, 1A	25 @ 1A, 2V	3 MHz
BSS138LT3	-	RFQ	5479	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS138	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	10 000		Canal n	50 V	200mA (TA)	5V	3,5 ohm @ 200mA, 5V	1,5 V @ 1MA		± 20V	50 pf @ 25 V	-	225MW (TA)
Nsbc144edxv6t5	0,0500	RFQ	7	onsemi	-	En gros	Obsolète				NSBC14				télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	8 000
MJE172	-	RFQ	6444	onsemi	-	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3	MJE172		1,5 w	TO-126	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	MJE172OS	EAR99	8541.29.0075	500													80 V	3 A	100NA (ICBO)	Pnp	1,7 V @ 600mA, 3A	50 @ 100mA, 1V	50 MHz
HUFA75842P3	-	RFQ	9665	onsemi	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	HUFA75	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	400		Canal n	150 V	43A (TC)	10V	42MOHM @ 43A, 10V	4V @ 250µA	175 NC @ 20 V	± 20V	2730 pf @ 25 V	-	230W (TC)
Nsbc114epdxv6t5	0,0700	RFQ	242	onsemi	*	En gros	Actif								télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	8 000
2N5550TAR	0,4000	RFQ	39	onsemi	-	Ruban de Coupé (CT)	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	2N5550		625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000													140 V	600 mA	100NA (ICBO)	NPN	250 mV @ 5mA, 50mA	60 @ 10mA, 5V	300 MHz
NTB18N06L	-	RFQ	8338	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	NTB18	MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	60 V	15A (TC)	5V	100 mohm @ 7,5a, 5v	2V à 250µA	20 nc @ 5 V	± 10V	440 PF @ 25 V	-	48.4W (TC)
FDFS6N303	-	RFQ	6601	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDFS6	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 500		Canal n	30 V	6a (ta)	4,5 V, 10V	35MOHM @ 6A, 10V	3V à 250µA	17 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 15 V	Diode Schottky (isolé)	900mw (TA)
2N5323	-	RFQ	8599	onsemi	-	En gros	Obsolète	-	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N532		10 W	To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	200													50 V	2 A	-	Pnp	1,2 V @ 50mA, 500mA	40 @ 500mA, 4V	-
TIP122	-	RFQ	3323	onsemi	-	Tube	Obsolète	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	TIP122		2 W	À 220	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50													100 V	5 a	500 µA	Npn - darlington	4V @ 20mA, 5A	1000 @ 3A, 3V	-
2N3859A	-	RFQ	8817	onsemi	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	2N3859		625 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000													60 V	500 mA	500NA (ICBO)	NPN	-	100 @ 1MA, 1V	250 MHz
2N3904_D81Z	-	RFQ	6618	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	2N3904		625 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000													40 V	200 mA	-	NPN	300 MV à 5MA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	300 MHz
Umz1nt1g	0,2600	RFQ	1	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMZ1		250mw	SC-88 / SC70-6 / SOT-363	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000													50v	200m	2µA	Npn, pnp	250 MV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA	200 @ 2MA, 6V	114 MHz, 142 MHz
2N2369	-	RFQ	7115	onsemi	-	En gros	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N2369		360 MW	À 18	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	500													15 V	200 mA	-	NPN	250 MV @ 1MA, 10MA	40 @ 10mA, 1v	-
2N6427_D27Z	-	RFQ	1885	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	2N6427		625 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000													40 V	1.2 A	1 µA	Npn - darlington	1,5 V @ 500µA, 500mA	14000 @ 500mA, 5V	-
BC846BLT3G	0,1500	RFQ	193	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC846		300 MW	SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	10 000													65 V	100 mA	15NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	100 MHz
EMH2604-TL-H	-	RFQ	3568	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	8 mm, plomb plat	EMH2604	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.2W	8-EMH	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n et p		20V	4a, 3a		45MOHM @ 4A, 4,5 V	-	4.7nc @ 4,5 V		345pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
FCP20N60	5.5100	RFQ	1	onsemi	Superfet ™	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	FCP20	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	600 V	20A (TC)	10V	190MOHM @ 10A, 10V	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	± 30V	3080 PF @ 25 V	-	208W (TC)
NTD4808N-1G	-	RFQ	1748	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	NTD4808	MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n	30 V	10A (TA), 63A (TC)	4,5 V, 11,5 V	8MOHM @ 30A, 10V	2,5 V @ 250µA	13 NC @ 4,5 V	± 20V	1538 pf @ 12 V	-	1.4W (TA), 54,6W (TC)
2N5307_D74Z	-	RFQ	8629	onsemi	-	Tape & Box (TB)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	2N5307		625 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000													40 V	1.2 A	100NA (ICBO)	Npn - darlington	1,4 V @ 200µA, 200mA	2000 @ 2MA, 5V	-
2N6040	-	RFQ	3704	onsemi	-	Tube	Obsolète	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	2N6040		75 W	À 220	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	2N6040OS	EAR99	8541.29.0095	50													60 V	8 A	20 µA	PNP - Darlington	2v @ 16mA, 4A	1000 @ 4A, 4V	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (17799)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²