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Transistors (17799)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
HGTG30N60A4	-	RFQ	2245	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Hgtg30	Standard		463 W	À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	450			390V, 30A, 3OHM, 15V												-	600 V	75 A	240 A	2,6 V @ 15V, 30A	280 µJ (ON), 240µJ (OFF)	225 NC	25ns / 150ns
MCH6336-P-TL-E	-	RFQ	3790	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, plombes plombes	MCH63		-		6 MCPH	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		-			5A (TJ)		-	-				-	-
Ntmfs5c612nlwft1g	-	RFQ	2811	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERTDFN, 5 pistes	Ntmfs5		MOSFET (Oxyde Métallique)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 500		Canal n		60 V	235a (TC)	4,5 V, 10V	1,5 mohm @ 50a, 10v	2V à 250µA	41 NC @ 4,5 V	± 20V	6660 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 167W (TC)
Irfr230btm_am002	-	RFQ	9299	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Irfr2		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		200 V	7.5a (TC)	10V	400 mOhm @ 3 75a, 10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 30V	720 pf @ 25 V	-	2,5W (TA), 50W (TC)
Fqd6n40ctm	1.2000	RFQ	3505	onsemi	QFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	FQD6N40		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		400 V	4.5a (TC)	10V	1OHM @ 2 25A, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 30V	625 PF @ 25 V	-	2.5W (TA), 48W (TC)
BC849clt1g	0.1400	RFQ	4	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC849			300 MW	SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																30 V	100 mA									15NA (ICBO)		NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
FGH40T100SMD	-	RFQ	4651	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	FGH40	Standard		333 W	À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			600v, 40a, 10hm, 15v											78 ns	Arête du Champ de Tranché	1000 V	80 A	120 A	2.3 V @ 15V, 40A	2 35MJ (ON), 1 15MJ (OFF)	265 NC	29NS / 285NS
FDP047AN08A0-F102	2.4883	RFQ	1199	onsemi	-	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	FDP047		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		75 V	15A (TC)	6v, 10v	-	-		± 20V		-	310W (TC)
FDB2670	-	RFQ	5252	onsemi	PowerTrench®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	FDB267		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		200 V	19A (TA)	10V	130 mohm @ 10a, 10v	4,5 V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	1320 pf @ 100 V	-	93W (TC)
KSD401YTU	-	RFQ	4705	onsemi	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	KSD401			25 W	À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																150 V	2 A									50 µA (ICBO)		NPN	1V @ 50mA, 500mA	120 @ 400mA, 10V	5 MHz
J105_D27Z	-	RFQ	1110	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	J105			625 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000		Canal n									-												25 V	500 mA @ 15 V	4,5 V @ 1 µA		3 ohms
2SK4177-DL-1E	-	RFQ	9948	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	2SK4177		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		1500 V	2a (ta)	10V	13OHM @ 1A, 10V	-	37,5 NC @ 10 V	± 20V	380 pf @ 30 V	-	80W (TC)
FQI34P10TU	-	RFQ	1353	onsemi	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	FQI3		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal p		100 V	33,5a (TC)	10V	60 mohm @ 16 75a, 10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 25V	2910 PF @ 25 V	-	3,75W (TA), 155W (TC)
NTB30N20G	-	RFQ	2737	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	NTB30		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		200 V	30A (TA)	10V	81MOHM @ 15A, 10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	± 30V	2335 PF @ 25 V	-	2W (TA), 214W (TC)
HUF75637S3S	-	RFQ	8119	onsemi	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	HUF75		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	400		Canal n		100 V	44a (TC)	10V	30MOHM @ 44A, 10V	4V @ 250µA	108 NC @ 20 V	± 20V	1700 pf @ 25 V	-	155W (TC)
NTC020N120SC1	-	RFQ	6068	onsemi	-	Plateau	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	Mourir			Sicfet (carbure de silicium)		Mourir	-	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	488-NTC020N120SC1	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		1200 V	103a (TC)	20V	28MOHM @ 60A, 20V	4.3 V @ 20mA	203 NC @ 20 V	+ 25V, -15V	2890 pf @ 800 V	-	535W (TC)
BCX799_J35Z	-	RFQ	3610	onsemi	-	En gros	Obsolète	-	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	BCX799			625 MW	To-92-3	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000																45 V	500 mA									10na		Pnp	600 mV à 2,5 mA, 100mA	80 @ 10mA, 1v	-
ATP216-TL-H	-	RFQ	9454	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	Atpak (2 leads + onglet)	ATP216		MOSFET (Oxyde Métallique)		Atpak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n		50 V	35A (TA)	1,8 V, 4,5 V	23MOHM @ 18A, 4,5 V	-	30 NC @ 4,5 V	± 10V	2700 pf @ 20 V	-	40W (TC)
Svd5867nlt4g	0,7900	RFQ	9243	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	SVD5867		MOSFET (Oxyde Métallique)		DPAK-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		60 V	22A (TC)	4,5 V, 10V	39MOHM @ 11A, 10V	2,5 V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 20V	675 PF @ 25 V	-	3.3W (TA), 43W (TC)
FDU8580	-	RFQ	2141	onsemi	PowerTrench®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	FDU85		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n		20 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	9MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250µA	27 NC @ 10 V	± 20V	1445 PF @ 10 V	-	49,5W (TC)
Ntd4857nat4g	-	RFQ	7422	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	NTD48		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		25 V	12A (TA), 78A (TC)		5,7MOHM @ 30A, 10V	2,5 V @ 250µA	24 NC @ 4,5 V		1960 PF @ 12 V	-	-
FDW2511NZ	-	RFQ	3232	onsemi	PowerTrench®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	FDW25		MOSFET (Oxyde Métallique)	1.6W	8-TSSOP	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double) draine commun			20V	7.1a		20 mohm @ 7.1a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	17.3nc @ 4,5 V		1000pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
2N6042G	-	RFQ	6761	onsemi	-	Tube	Obsolète	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	2N6042			75 W	À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																100 V	8 A									20 µA		PNP - Darlington	2V @ 12mA, 3A	1000 @ 3A, 4V	-
NDD03N40Z-1G	-	RFQ	2777	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	NDD03		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n		400 V	2.1A (TC)	10V	3,4 ohm @ 600mA, 10V	4,5 V @ 50µA	6,6 NC @ 10 V	± 30V	140 pf @ 50 V	-	37W (TC)
NTB75N06T4G	-	RFQ	2263	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	NTB75		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		60 V	75A (TA)	10V	9,5MOHM @ 37,5A, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	± 20V	4510 PF @ 25 V	-	2.4W (TA), 214W (TJ)
NDS9953A	-	RFQ	7292	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	NDS995		MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 500	2 Canal P (double)			30V	2.9a		130 mohm @ 1a, 10v	2,8 V @ 250µA	25nc @ 10v		350pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
FDZ191P	-	RFQ	7635	onsemi	PowerTrench®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-ufbga, wlcsp	FDZ191		MOSFET (Oxyde Métallique)		6-WLCSP (1x1,5)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal p		20 V	3a (ta)	1,5 V, 4,5 V	85MOHM @ 1A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 8v	800 pf @ 10 V	-	1.9W (TA)
PZTA92T1	-	RFQ	6004	onsemi	*	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète				PZTA92					télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000
FQU1N80TU	0,9400	RFQ	4	onsemi	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	Fqu1n80		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	70		Canal n		800 V	1A (TC)	10V	20OHM @ 500mA, 10V	5V @ 250µA	7.2 NC @ 10 V	± 30V	195 PF @ 25 V	-	2,5W (TA), 45W (TC)
2SC5706-P-TL-E	-	RFQ	1057	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	2SC5706			800 MW	TP-FA	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	700																100 V	5 a									1µA (ICBO)		NPN	240mV à 100MA, 2A	200 @ 500mA, 2V	400 MHz

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