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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RM2020ES9 | 0,0550 | ![]() | 9570 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RM2020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 150mw (TA), 800mw (TA) | SOT-363-6L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM202SES9TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n et p | 20V | 750mA (TA), 800mA (TA) | 1,2 ohm @ 500mA, 4,5 V, 380MOHM @ 650mA, 4,5 V | 1V @ 250µA, 1,1 V @ 250µA | 0,0018nc @ 10v, 0,75nc @ 4,5 V | 87pf @ 10v, 120pf @ 16v | - | |||||
![]() | RM2309E | 0,0540 | ![]() | 4943 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2309etr | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal p | 30 V | - | 4,5 V, 10V | 38MOHM @ 1A, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | - | - | ||||||
![]() | RM30P55LD | 0,3300 | ![]() | 9543 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm30p55ldtr | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal p | 55 V | 30a (TC) | 10V | 40 mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250µA | ± 20V | 3500 pf @ 30 V | - | 65W (TC) | |||||
![]() | RM3N700S4 | 0 2900 | ![]() | 2302 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM3N700S4TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 700 V | 3A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | ± 20V | 225 PF @ 100 V | - | 6.2W (TC) | |||||
![]() | RM80N30DN | 0 2900 | ![]() | 6630 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-PPAK (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm80n30dntr | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 30 V | 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,8MOHM @ 24A, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 3190 PF @ 25 V | - | 66W (TC) | |||||
![]() | RM150N40DF | 0,5600 | ![]() | 3261 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM150N40DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 40 V | 150a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,8MOHM @ 75A, 10V | 2,2 V @ 250µA | ± 20V | 7150 pf @ 20 V | - | 88W (TC) | |||||
![]() | RM4N650IP | 0,3300 | ![]() | 6734 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM4N650IP | 8541.10.0080 | 4 000 | Canal n | 650 V | 4A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 280 pf @ 50 V | - | 46W (TC) | |||||
![]() | RM21N700T2 | 1.3300 | ![]() | 4395 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM21N700T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 700 V | 21A (TC) | 10V | 190mohm @ 10.5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 1950 PF @ 50 V | - | 200W (TC) | |||||
![]() | RM20N150LD | 0,2600 | ![]() | 1142 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM20N150LDTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 150 V | 20A (TA) | 10V | 65MOHM @ 10A, 10V | 4,5 V @ 250µA | ± 20V | 600 pf @ 75 V | - | 68W (TA) | |||||
![]() | RM80N20DN | 0,2600 | ![]() | 3119 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-PPAK (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM80N20DNTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 20 V | 80A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 3,5 mohm @ 15a, 4,5 V | 1V @ 250µA | ± 12V | 5500 pf @ 10 V | - | 66W (TC) | |||||
![]() | RM35N30DN | 0,2500 | ![]() | 1173 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN-EP (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM35N30DNTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 30 V | 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 12a, 10v | 3V à 250µA | ± 20V | 1265 pf @ 15 V | - | 35W (TC) | |||||
![]() | RM830 | 0 2400 | ![]() | 2168 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM830 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 2,5a, 10v | 4V @ 250µA | ± 30V | 900 pf @ 25 V | - | 87,5W (TC) | |||||
![]() | RM50N60T2 | 0 2400 | ![]() | 2291 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM50N60T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 10V | 20mohm @ 20a, 10v | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 2050 PF @ 30 V | - | 85W (TC) | |||||
![]() | RM12N100LD | 0,1600 | ![]() | 6776 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM12N100LDTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 100 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 112MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 1535 pf @ 15 V | - | 34,7w (TC) | |||||
![]() | RM5N800IP | 0,6900 | ![]() | 4172 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM5N800IP | 8541.10.0080 | 4 000 | Canal n | 800 V | 5A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 81W (TC) | |||||
![]() | RM2A3P60S4 | 0,1000 | ![]() | 2753 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2A3P60S4TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal p | 60 V | 2.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 180mohm @ 2a, 10v | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 600 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA) | |||||
![]() | RM80N60LD | 0,3100 | ![]() | 7058 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM80N60LDTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 60 V | 80A (TC) | 10V | 8,5 mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250µA | ± 20V | 4000 pf @ 30 V | - | 110W (TC) | |||||
![]() | RM5A1P30S6 | 0,0760 | ![]() | 4647 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM5A1P30S6TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal p | 30 V | 5.1a (TA) | 4,5 V, 10V | 32MOHM @ 4A, 10V | 2,2 V @ 250µA | ± 20V | 1280 pf @ 15 V | - | 1 56W (TA) | |||||
![]() | RM12P30S8 | 0,1650 | ![]() | 7635 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM12P30S8TR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal p | 30 V | 12A (TA) | 4,5 V, 10V | 15MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | ± 20V | 1750 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||
![]() | RM20N650HD | 1.0400 | ![]() | 5912 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM20N650HDTR | 8541.10.0080 | 8 000 | Canal n | 650 V | 20A (TC) | 10V | 210MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | ± 30V | 2600 pf @ 50 V | - | 180W (TC) | |||||
![]() | RM50N60IP | 0 2200 | ![]() | 1701 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM50N60IP | 8541.10.0080 | 4 000 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 10V | 20mohm @ 20a, 10v | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | |||||
![]() | RM50N200T2 | 1.2200 | ![]() | 3702 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM50N200T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 200 V | 51A (TC) | 10V | 32MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 1598 pf @ 100 V | - | 214W (TC) | |||||
![]() | RM110N82T2 | 0.4400 | ![]() | 9356 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM110N82T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 82 V | 110a (TC) | 10V | 7MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 6400 PF @ 40 V | - | 200W (TC) | |||||
![]() | RM12N650IP | 0,5400 | ![]() | 5130 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM12N650IP | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 650 V | 11.5A (TC) | 10V | 360MOHM @ 7A, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 870 pf @ 50 V | - | 101W (TC) | |||||
![]() | RM45p20d3 | 0,2500 | ![]() | 9074 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN-EP (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM45p20d3tr | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal p | 19 V | 45A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 7MOHM @ 20A, 4,5 V | 1V @ 250µA | ± 12V | 3500 pf @ 10 V | - | 80W (TC) | |||||
![]() | RM2305B | 0,0390 | ![]() | 9804 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2305BTR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal p | 20 V | 3A (TA), 4.1A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 52MOHM @ 4.1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | ± 12V | 740 PF @ 4 V | - | 1.7W (TA) | |||||
![]() | RM4N650T2 | 0 4500 | ![]() | 6988 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM4N650T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 650 V | 4A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 280 pf @ 50 V | - | 46W (TC) | |||||
![]() | RM11n800ti | 1.4400 | ![]() | 3242 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM11n800ti | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 800 V | 11a (TJ) | 10V | 420mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | ± 30V | 2600 pf @ 50 V | - | 33,8W (TC) | |||||
![]() | RM2308 | 0,0690 | ![]() | 1219 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2308TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 60 V | 3a (ta) | 4,5 V, 10V | 105MOHM @ 3A, 10V | 1,9 V à 250µA | ± 20V | 247 PF @ 30 V | - | 1.7W (TA) | |||||
![]() | RM2306E | 0,0550 | ![]() | 7571 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2306ETR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 30 V | 5.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 31MOHM @ 6.7A, 10V | 3V à 250µA | ± 20V | 370 pf @ 15 V | - | 1.39W (TA) |
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