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Transistors (257)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM4N650T2 | 0 4500 |  | 6988 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM4N650T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 650 V | 4A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 280 pf @ 50 V | - | 46W (TC) | |||||||||||||||
 | RM11n800ti | 1.4400 | | 3242 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM11n800ti | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 800 V | 11a (TJ) | 10V | 420mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | ± 30V | 2600 pf @ 50 V | - | 33,8W (TC) | |||||||||||||||
 | RM2308 | 0,0690 | | 1219 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2308TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 60 V | 3a (ta) | 4,5 V, 10V | 105MOHM @ 3A, 10V | 1,9 V à 250µA | ± 20V | 247 PF @ 30 V | - | 1.7W (TA) | |||||||||||||||
| RM2306E | 0,0550 | | 7571 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2306ETR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 30 V | 5.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 31MOHM @ 6.7A, 10V | 3V à 250µA | ± 20V | 370 pf @ 15 V | - | 1.39W (TA) | |||||||||||||||
| RM8N650Ti | 0,5200 | | 1596 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm8n650ti | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 650 V | 8A (TJ) | 10V | 450mohm @ 4a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 31.7W (TC) | |||||||||||||||
 | RM4N700S4 | 0,3200 | | 2116 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM4N700S4TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 700 V | 4A (TC) | 10V | 1,3 ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250µA | ± 30V | 304 PF @ 50 V | - | 5.2W (TC) | |||||||||||||||
 | RM75N60LD | 0 2900 | | 6542 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM75N60LDTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 60 V | 75A (TC) | 10V | 11,5MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||
| RM11N800T2 | 1.4400 | | 7116 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM11N800T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 800 V | 11a (TC) | 10V | 420mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | ± 30V | 2600 pf @ 50 V | - | 188W (TC) | |||||||||||||||
| RM8N650LD | 0,5200 | | 4458 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm8n650ldtr | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 650 V | 8A (TC) | 10V | 540MOHM @ 4A, 10V | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||
 | RM30N250DF | 1.2100 | | 4091 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM30N250DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 250 V | 29A (TC) | 10V | 64MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 1584 pf @ 100 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||
| RM100N30DF | 0,3600 | | 1653 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM100N30DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 30 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,5 mohm @ 20a, 10v | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 5000 pf @ 15 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||
 | CMBT2222A-T | 0,0240 | | 198 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-CMBT222AA-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 000 | 40 V | 600 mA | 10na | NPN | 300 mV @ 15mA, 150mA | 100 @ 150mA, 10V | 300 MHz | |||||||||||||||||
 | Rmp3n90ip | 0,3300 | | 8056 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rmp3n90ip | 8541.10.0080 | 4 000 | Canal n | 900 V | 3A (TC) | 10V | 3,2 ohm @ 1,5a, 10v | 5V @ 250µA | ± 30V | 850 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||
 | Dtc123jka | 0,0410 | | 8984 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC123 | 200 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-DTC123JKATr | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 250µa, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2,2 kohms | 46,2 kohms | |||||||||||||||
| RM15P55LD | 0,2800 | | 7424 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm15p55ldtr | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal p | 55 V | 15A (TC) | 10V | 75MOHM @ 5A, 10V | 3,5 V @ 250µA | ± 20V | 1450 pf @ 20 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||
| RM6N800IP | 0,7000 | | 8536 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM6N800IP | 8541.10.0080 | 4 000 | Canal n | 800 V | 6A (TC) | 10V | 900MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 1290 pf @ 50 V | - | 98W (TC) | |||||||||||||||
| RM4N650LD | 0,3300 | | 3330 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM4N650LDTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 650 V | 4A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 280 pf @ 50 V | - | 46W (TC) | |||||||||||||||
 | RM100N60T7 | 0,6800 | | 4789 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM100N60T7 | 8541.10.0080 | 1 800 | Canal n | 60 V | 100A (TC) | 10V | 6,5 mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250µA | ± 20V | 4800 PF @ 30 V | - | 170W (TC) | |||||||||||||||
| RM2A8N60S4 | 0,1100 | | 9497 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2A8N60S4TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 60 V | 2.8A (TA) | 4,5 V, 10V | 100 mohm @ 2,5a, 10v | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 715 PF @ 15 V | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||||
| RM60N75LD | 0,4100 | | 3866 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM60N75LDTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 75 V | 60a (TC) | 10V | 8,5MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 4400 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||
| RM6N800LD | 0,7000 | | 3906 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM6N800LDTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 800 V | 6A (TC) | 10V | 900MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 1290 pf @ 50 V | - | 98W (TC) | |||||||||||||||
 | RM8810 | 0,0900 | | 4687 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 | RM88 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.5W (TA) | SOT-23-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM8810TR | 8541.10.0080 | 30 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 7a (ta) | 20 mohm @ 6a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 14nc @ 4,5 V | 1295pf @ 10v | - | |||||||||||||||
 | Rmd7n40dn | 0 2400 | | 1566 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | RMD7N | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.9W (TA), 12W (TC) | 8-DFN (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RMD7N40DNTR | 8541.10.0080 | 25 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 7A (TA), 20A (TC) | 20 mohm @ 7a, 10v | 3V à 250µA | 11nc @ 10v | 720pf @ 20v | - | |||||||||||||||
| RM15N650T2 | 0,9200 | | 4091 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM15N650T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 650 V | 15A (TC) | 10V | 260MOHM @ 8A, 10V | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 1360 pf @ 50 V | - | 145W (TC) | |||||||||||||||
 | RM13P40S8 | 0,2700 | | 7991 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM13P40S8TR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal p | 40 V | 13a (ta) | 10V | 15MOHM @ 12A, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 2800 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
| RM35P100T2 | 0 4700 | | 6451 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM35P100T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal p | 100 V | 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 50MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 6516 PF @ 25 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||||
| RM180N100T2 | 1.5100 | | 5783 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM180N100T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 100 V | 180a (TC) | 10V | 3MOHM @ 100A, 10V | 4,5 V @ 250µA | ± 20V | 1150 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||
| RM4435 | 0.1400 | | 5534 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM4435TR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal p | 30 V | 9.1A (TA), 11A (TC) | 4,5 V, 10V | 20MOHM @ 9.1A, 10V | 3V à 250µA | ± 20V | 1600 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||||
| RM3401Y | 0,0460 | | 5047 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM3401YTR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal p | 30 V | 4.2a (TA) | 2,5 V, 10V | 55MOHM @ 4.2A, 10V | 1,3 V à 250µA | ± 12V | 880 pf @ 15 V | - | 1.2W (TA) | |||||||||||||||
| RM100N60T2 | 0,3500 | | 6793 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM100N60T2TR | 8541.10.0080 | 4 000 | Canal n | 60 V | 100A (TC) | 10V | 6,5 mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250µA | ± 20V | 4800 PF @ 30 V | - | 170W (TC) |
2000+
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30 000 000
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2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m2
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