SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
RM8N700T2 Rectron USA RM8N700T2 0,6800
RFQ
ECAD 4384 0,00000000 Rectron USA - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM8N700T2 8541.10.0080 5 000 Canal n 700 V 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10v 3,5 V @ 250µA ± 30V 680 pf @ 50 V - 80W (TC)
RM130N30D3 Rectron USA RM130N30D3 0 2200
RFQ
ECAD 2210 0,00000000 Rectron USA - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn MOSFET (Oxyde Métallique) 8-DFN-EP (3x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM130N30D3TR 8541.10.0080 25 000 Canal n 30 V 130a (TC) 4,5 V, 10V 3,2MOHM @ 30A, 10V 2,4 V @ 250µA ± 20V 4200 PF @ 15 V - 45W (TC)
RM2301 Rectron USA RM2301 0,0420
RFQ
ECAD 2341 0,00000000 Rectron USA - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM2301TR 8541.10.0080 30 000 Canal p 20 V 3a (ta) 2,5 V, 4,5 V 110MOHM @ 3A, 4,5 V 1V @ 250µA ± 12V 405 PF @ 10 V - 1W (ta)
RM80N80HD Rectron USA RM80N80HD 0,5200
RFQ
ECAD 6436 0,00000000 Rectron USA - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) À 263-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM80N80HDTR 8541.10.0080 8 000 Canal n 80 V 80A (TA) 10V 8,5MOHM @ 40A, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4400 pf @ 25 V - 170W (TA)
RM60N100DF Rectron USA RM60N100DF 0.4900
RFQ
ECAD 7225 0,00000000 Rectron USA - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn MOSFET (Oxyde Métallique) 8-DFN (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM60N100DFTR 8541.10.0080 40 000 Canal n 100 V 60a (TC) 10V 8,5MOHM @ 30A, 10V 4,5 V @ 250µA ± 20V 3500 pf @ 50 V - 105W (TC)
DTC123JUA Rectron USA Dtc123jua 0,0410
RFQ
ECAD 9963 0,00000000 Rectron USA - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 DTC123 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-DTC123JUATr EAR99 8541.10.0080 24 000 50 V 100 mA 500NA Npn - diode pré-biaisée + 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2,2 kohms 46,2 kohms
RM120N85T2 Rectron USA RM120N85T2 0,5300
RFQ
ECAD 3830 0,00000000 Rectron USA - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM120N85T2 8541.10.0080 5 000 Canal n 85 V 120A (TC) 10V 5,3MOHM @ 60A, 10V 4,5 V @ 250µA ± 20V 5500 pf @ 40 V - 160W (TC)
RM3003S6 Rectron USA RM3003S6 0,0980
RFQ
ECAD 2601 0,00000000 Rectron USA - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 RM3003 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.2W (TA) TSOT-23-6L télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM3003S6TR 8541.10.0080 30 000 Canal n et p 30V 3.5A (TA), 2.7A (TA) 58MOHM @ 3,5A, 10V, 100MOHM @ 2,7A, 10V 1,3 V @ 250µA, 2,5 V @ 250µA 5nc @ 10v 210pf @ 15v, 199pf @ 15v -
RM20N650TI Rectron USA RM20N650Ti 1.0400
RFQ
ECAD 3696 0,00000000 Rectron USA - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM20N650Ti 8541.10.0080 5 000 Canal n 650 V 20A (TC) 10V 210MOHM @ 10A, 10V 5V @ 250µA ± 30V 2600 pf @ 50 V - 33W (TC)
RM6A5P30S8 Rectron USA RM6A5P30S8 0.1900
RFQ
ECAD 7721 0,00000000 Rectron USA - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) RM6A5 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.5W (TA) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM6A5P30S8TR 8541.10.0080 40 000 2 Canal P (double) 30V 6.5A (TA) 25MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 12.6nc @ 4,5 V 1345pf @ 15v -
RM6005S4 Rectron USA RM6005S4 0,1550
RFQ
ECAD 1297 0,00000000 Rectron USA - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-223-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM6005S4TR 8541.10.0080 30 000 Canal n 60 V 5A (TA) 4,5 V, 10V 55MOHM @ 4.5A, 10V 2,5 V @ 250µA ± 20V 450 pf @ 25 V - 2W (ta)
RM150N30LT2 Rectron USA RM150N30LT2 0,2800
RFQ
ECAD 9826 0,00000000 Rectron USA - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM150N30LT2 8541.10.0080 5 000 Canal n 30 V 150a (TC) 4,5 V, 10V 3MOHM @ 30A, 10V 3V à 250µA ± 20V 3400 pf @ 25 V - 150W (TC)
RM130N100T2 Rectron USA RM130N100T2 0,6900
RFQ
ECAD 9163 0,00000000 Rectron USA - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM130N100T2 8541.10.0080 5 000 Canal n 100 V 130a (TC) 10V 5,5 mohm @ 50a, 10v 4V @ 250µA ± 20V 4570 pf @ 25 V - 120W (TC)
2N7002K36 Rectron USA 2N7002K36 0,0450
RFQ
ECAD 2683 0,00000000 Rectron USA - Ruban Adhésif (tr) Actif - Support de surface SOT-23-6 2N7002 MOSFET (Oxyde Métallique) 350MW (TA) SOT-23-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-2n7002k36tr 8541.10.0080 30 000 2 Canaux N (double) 60V 250mA (TA) 3OHM @ 500mA, 10V 1,9 V à 250µA - - -
RM10N100LD Rectron USA RM10N100D 0.1480
RFQ
ECAD 2964 0,00000000 Rectron USA - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM10N100LDTR 8541.10.0080 25 000 Canal n 100 V 10A (TC) 4,5 V, 10V 130 mohm @ 10a, 10v 2V à 250µA ± 20V 730 pf @ 50 V - 40W (TC)
RM45N60DF Rectron USA RM45N60DF 0 4500
RFQ
ECAD 9267 0,00000000 Rectron USA - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn MOSFET (Oxyde Métallique) 8-DFN (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM45N60DFTR 8541.10.0080 40 000 Canal n 60 V 45A (TC) 4,5 V, 10V 13MOHM @ 20A, 10V 2,2 V @ 250µA ± 20V 2180 PF @ 30 V - 60W (TC)
RM6N800T2 Rectron USA RM6N800T2 0,8200
RFQ
ECAD 9372 0,00000000 Rectron USA - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM6N800T2 8541.10.0080 5 000 Canal n 800 V 6A (TC) 10V 900MOHM @ 4A, 10V 4V @ 250µA ± 30V 1320 pf @ 50 V - 98W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock