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Transistors (6028)

Numéro de produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Emballer	État du produit	Tension - notée	Température de fonctionnement	Applications	Type de montage	Package / étui	Numéro de produit de base	Technologie	Power - Max	Package de périphérique fournisseur	Fiche de données	Statut ROHS	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	Statut de portée	Autres noms	ECCN	HTSUS	Package standard	Configuration	Type FET	Évaluation actuelle (AMPS)	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - drain continu (id) @ 25 ° C	Tension d'entraînement (max RDS sur, min RDS)	Rds sur (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Charge de porte (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Capacité d'entrée (CISS) (max) @ VDS	Fonction FET	Dissipation de puissance (max)	Tension - Répartition des émetteurs de collection (max)	Courant - collectionneur (IC) (max)	Courant - coupure de collecteur (max)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gain de courant CC (hfe) (min) @ ic, vce	Fréquence - transition	Résistance - base (R1)	Résistance - base d'émetteur (R2)
FZT956QTA	0,5778	RFQ	3513	Diodes incorporées	Automobile, AEC-Q101	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	À 261-4, à 261aa			1,6 W	SOT-223-3	télécharger			Atteindre non affecté	31-fzt956qtatr	EAR99	8541.29.0075	1 000														200 V	2 A	50na	Pnp	275 mV @ 400mA, 2A	100 @ 1A, 5V	110 MHz
Dmc1030ufdbq-13	0.1866	RFQ	3414	Diodes incorporées	Automobile, AEC-Q101	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	PAD EXPOSÉ 6-UDFN	DMC1030	MOSFET (oxyde métallique)	1.36W	U-DFN2020-6 (Type B)	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10 000	N et P-canal P complémentaire			12V	5.1a		34MOHM @ 4.6A, 4.5 V	1V @ 250µA	23.1nc @ 10v		1003pf @ 6v	-
FCX1053A-7	-	RFQ	3941	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Obsolète										-	Rohs conforme	1 (illimité)		31-FCX1053A-7TR	OBSOLÈTE		3 000
Dmn2011ufx-7	0,8200	RFQ	4	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	PAD EXPOSÉ 4-VFDFN	DMN2011	MOSFET (oxyde métallique)	2.1W	V-DFN2050-4	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 canaux n (double) drain commun			20V	12.2A (TA)		9,5MOHM @ 10A, 4.5 V	1V @ 250µA	56nc @ 10v		2248pf @ 10v	-
DCP52-13	-	RFQ	2288	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	À 261-4, à 261aa	Dcp52		1 W	SOT-223-3	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	2 500														60 V	1 a	100NA (ICBO)	Pnp	500 mV à 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 2V	200 MHz
DMC4050SSDQ-13	0,8300	RFQ	13	Diodes incorporées	Automobile, AEC-Q101	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largeur)	DMC4050	MOSFET (oxyde métallique)	1.8 W	8-so	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	N et P-canal P complémentaire			40V	5.3a		45MOHM @ 3A, 10V	1,8 V à 250µA	37.56nc @ 10v		1790.8pf @ 20v	-
Dmht6016lfj-13	1.5800	RFQ	19	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	PAD EXPOSÉ 12-VDFN	DMHT6016	MOSFET (oxyde métallique)		V-DFN5045-12	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	4 n-canal (demi-pont)			60V	14.8A (TA)		22MOHM @ 10A, 10V	3V à 250µA	8.4nc @ 4.5 V		864pf @ 30v	-
Dmn2250ufb-7b	0,4200	RFQ	10	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	3-UFDFN	DMN2250	MOSFET (oxyde métallique)		X1-DFN1006-3	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	10 000		Channel n		20 V	1.35A (TA)	1,8 V, 4,5 V	170MOHM @ 1A, 4,5 V	1V @ 250µA	3.1 NC @ 10 V	± 8v	94 PF @ 16 V	-	500mw (TA)
Dmg6898lsdq-13	0,8900	RFQ	2285	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largeur)	DMG6898	MOSFET (oxyde métallique)	1.28W	8-so	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 canaux n (double)			20V	9.5a		16MOHM @ 9.4A, 4.5 V	1,5 V @ 250µA	26nc @ 10v		1149pf @ 10v	-
ADTC143TUAQ-13	0,0320	RFQ	4328	Diodes incorporées	Automobile, AEC-Q101	Ruban adhésif (TR)	Actif				Support de surface	SC-70, SOT-323	ADTC143		330 MW	SOT-323	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	10 000														50 V	100 mA	500NA (ICBO)	Npn - pré-biaisé	300 mV à 250 µA, 2,5 mA	100 @ 1MA, 5V	250 MHz	4,7 kohms
DMN4009LK3-13	-	RFQ	7240	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	DMN4009	MOSFET (oxyde métallique)		À 252-3	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Channel n		40 V	18A (TA)	4.5 V, 10V	8,5MOHM @ 14A, 10V	3V à 250µA	21 NC @ 4,5 V	± 20V	2072 PF @ 20 V	-	2.19W (TA)
DCP54-16-13	-	RFQ	7708	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	À 261-4, à 261aa	Dcp54		1 W	SOT-223-3	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	2 500														45 V	1 a	100NA (ICBO)	NPN	500 mV à 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 2V	200 MHz
DMB53D0UV-13	-	RFQ	6204	Diodes incorporées	-	En gros	Obsolète	45V NPN, 50V N-canal		But général	Support de surface	SOT-563, SOT-666	DMB53			SOT-563	télécharger				31-DMB53D0UV-13	EAR99	8541.21.0095	1			100ma npn, 160ma n canal														Npn, n canal
DMC2057UVT-7	0.1084	RFQ	9515	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	DMC2057	MOSFET (oxyde métallique)	700MW (TA)	TSOT-26	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	N et P-canal P complémentaire			20V	4A (TA), 3,3A (TA)		42MOHM @ 5A, 4,5 V, 70MOHM @ 3,5A, 4,5 V	1,2 V @ 250µA, 1V @ 250µA	10.5nc @ 10v, 6.5nc @ 4.5 V		416pf @ 10v, 536pf @ 10v	-
DMN6010SCTBQ-13	1.7042	RFQ	6784	Diodes incorporées	Automobile, AEC-Q101	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	DMN6010	MOSFET (oxyde métallique)		À 263ab (d²pak)	télécharger			Atteindre non affecté	31-DMN6010SCTBQ-13TR	EAR99	8541.29.0095	800		Channel n		60 V	128A (TC)	10V	10MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA	46 NC @ 10 V	± 20V	2692 PF @ 25 V	-	5W (TA), 312W (TC)
Dmp2004wk-7	0,4600	RFQ	2	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	SC-70, SOT-323	DMP2004	MOSFET (oxyde métallique)		SOT-323	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p		20 V	400mA (TA)	1,8 V, 4,5 V	900mohm @ 430mA, 4.5 V	1V @ 250µA		± 8v	175 PF @ 16 V	-	250mw (TA)
DMC2450UV-13	0,0863	RFQ	2777	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	SOT-563, SOT-666	DMC2450	MOSFET (oxyde métallique)	450mw	SOT-563	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	DMC2450UV-13DI	EAR99	8541.21.0095	10 000	N et p channel			20V	1.03a, 700mA		480MOHM @ 200mA, 5V	900 mV à 250 µA	0,5 nc à 4,5 V		37.1pf @ 10v	-
ZXTN19100CZTA	0,7400	RFQ	9	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	À 243aa	Zxxn19100		2,4 W	SOT-89-3	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000														100 V	5.25 A	50NA (ICBO)	NPN	350 mV @ 525mA, 5.25A	200 @ 100mA, 2V	150 MHz
Zxmn2a03e6ta	0,8300	RFQ	4	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	SOT-23-6	Zxmn2	MOSFET (oxyde métallique)		SOT-23-6	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Channel n		20 V	3.7A (TA)	2,5 V, 4,5 V	55MOHM @ 7.2A, 4,5 V	700 mV à 250 µA (min)	8,2 NC @ 4,5 V	± 12V	837 PF @ 10 V	-	1.1W (TA)
DSS5240TQ-7	0,3700	RFQ	13	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	DSS5240		730 MW	SOT-23-3	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000														40 V	2 A	100NA (ICBO)	Pnp	350 mV @ 200mA, 2A	210 @ 1A, 2V	100 MHz
DMTH4004SCTBQ-13	1.6300	RFQ	730	Diodes incorporées	Automobile, AEC-Q101	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	DMTH4004	MOSFET (oxyde métallique)		À 263	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Channel n		40 V	100A (TC)	10V	3MOHM @ 100A, 10V	4V @ 250µA	68,6 NC @ 10 V	± 20V	4305 PF @ 25 V	-	4.7W (TA), 136W (TC)
DMS2085LSD-13	0,3500	RFQ	8244	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largeur)	DMS2085	MOSFET (oxyde métallique)		8-so	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p		20 V	3.3A (TA)	4.5 V, 10V	85MOHM @ 3.05A, 10V	2.2 V @ 250µA	7,8 NC @ 10 V	± 20V	353 pf @ 15 V	Diode Schottky (isolé)	1.1W (TA)
DDTC144EUA-7-F-50	0,0391	RFQ	1007	Diodes incorporées	Automotive, AEC-Q101, DDTC (R1 = R2 Series) UA	En gros	Actif				Support de surface	SC-70, SOT-323	DDTC144		200 MW	SOT-323	télécharger				31-DDTC144EUA-7-F-50	EAR99	8541.21.0095	3 000														50 V	100 mA	500NA	Npn - pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	68 @ 5mA, 5V	250 MHz	47 kohms	47 kohms
DMNH4026SSD-13	0,8100	RFQ	2	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largeur)	DMNH4026	MOSFET (oxyde métallique)		8-so	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 canaux n (double)				7.5a (TA)		24MOHM @ 6A, 10V	3V à 250µA	8.8nc @ 4.5 V		1060pf @ 20v	-
DMNH6042SPSQ-13	0,7400	RFQ	2	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Support de surface	8-PowerTDFN	DMNH6042	MOSFET (oxyde métallique)		Powerdi5060-8	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Channel n		60 V	24a (TC)	4.5 V, 10V	50MOHM @ 5.1A, 10V	3V à 250µA	8,8 NC @ 10 V	± 20V	584 pf @ 25 V	-	2.9W (TA)
Dmg302pu-7	0.1247	RFQ	7991	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	Dmg302	MOSFET (oxyde métallique)		SOT-23-3	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p		25 V	170mA (TA)	2,7 V, 4,5 V	10OHM @ 200mA, 4.5 V	1,5 V @ 250µA	0,35 NC à 4,5 V	-8v	27.2 PF @ 10 V	-	330mw
Dmn32d0lfb4-7b	0,0739	RFQ	1554	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	3-xfdfn	Dmn32	MOSFET (oxyde métallique)		X2-DFN1006-3	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Dmn32d0lfb4-7bdi	EAR99	8541.21.0095	10 000		Channel n		30 V	440mA (TA)	1,8 V, 2,5 V, 4,5 V	1,2 ohm @ 100mA, 4V	1,2 V à 250µA	0,6 NC @ 4,5 V	± 10V	44,8 pf @ 15 V	-	350MW (TA)
Dmt69m8lfv-7	0,7800	RFQ	980	Diodes incorporées	Automobile, AEC-Q101	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	8 powervdfn	DMT69	MOSFET (oxyde métallique)		PowerDi3333-8 (Type UX)	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Channel n		60 V	45A (TC)	4.5 V, 10V	9,5mohm @ 13,5a, 10v	3V à 250µA	33,5 NC @ 10 V	± 16V	1925 PF @ 30 V	-	42W (TC)
DMP2010UFV-13	0,6200	RFQ	2	Diodes incorporées	-	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	8 powervdfn	DMP2010	MOSFET (oxyde métallique)		Powerdi333-8	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p		20 V	50A (TC)	2,5 V, 4,5 V	9,5 mOhm @ 3,6a, 4,5 V	1,2 V à 250µA	103 NC @ 10 V	± 10V	3350 pf @ 10 V	-	2W (ta)
Dmn6013lfgq-7	0,8900	RFQ	2	Diodes incorporées	Automobile, AEC-Q101	Ruban adhésif (TR)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	8 powervdfn	DMN6013	MOSFET (oxyde métallique)		Powerdi333-8	télécharger	ROHS3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Channel n		60 V	10.3a (TA), 45A (TC)	4.5 V, 10V	13MOHM @ 10A, 10V	3V à 250µA	55,4 NC @ 10 V	± 20V	2577 PF @ 30 V	-	1W (ta)

2000+
Daily average RFQ Volume
30,000,000
Standard Product Unit
2800+
Worldwide Manufacturers
15,000 m²
In-stock Warehouse

Transistors (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²