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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RF4E110GNTR | 0,5600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-Powerudfn | RF4E110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | HUML2020L8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 11.3MOHM @ 11A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 7.4 NC @ 10 V | ± 20V | 504 PF @ 15 V | - | 2W (ta) | ||||||||||||||||||||
![]() | Rd3t100cntl1 | 1.5900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | RD3T100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 10A (TC) | 10V | 182MOHM @ 5A, 10V | 5.25V @ 1MA | 25 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | Rd3p130spfratl | 1.9100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | RD3P130 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 100 V | 13a (ta) | 4V, 10V | 200 mohm @ 6.5a, 10v | 2,5 V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | RE1L002SNTL | 0,4000 | ![]() | 52 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-89, SOT-490 | RE1L002 | MOSFET (Oxyde Métallique) | EMT3F (SOT-416FL) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 250mA (TA) | 10V | 2,4 ohm @ 250mA, 10V | 2.3V @ 1mA | ± 20V | 15 pf @ 25 V | - | 150mw (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | Rf6e045ajtcr | 0,6300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 mm, plombes plombes | RF6E045 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Tumt6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 4.5a (TA) | 4,5 V | 23,7MOHM @ 4,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 1MA | 8.1 NC @ 4,5 V | ± 12V | 900 pf @ 15 V | - | 1W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | RQ6C050BCTCR | 0,8900 | ![]() | 4833 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | RQ6C050 | MOSFET (Oxyde Métallique) | TSMT6 (SC-95) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 5A (TC) | 4,5 V | 36MOHM @ 5A, 4,5 V | 1,2 V @ 1MA | 10.4 NC @ 4,5 V | ± 8v | 740 pf @ 10 V | - | 1,25W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | Rgpr30bm40hrtl | 0,8260 | ![]() | 2776 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | RGPR30 | Standard | 125 W | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 300 V, 8A, 100OHM, 5V | - | 430 V | 30 A | 2.0V @ 5V, 10A | - | 22 NC | 500ns / 4 µs | ||||||||||||||||||||||
![]() | R8008Anx | 3.3082 | ![]() | 4350 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | En gros | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | R8008 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 800 V | 8a (ta) | 10V | 1.03OHM @ 4A, 10V | 5V @ 1MA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1080 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | RP1H065SPTR | - | ![]() | 3004 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 mm, plombes plombes | RP1H065 | MOSFET (Oxyde Métallique) | MPT6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 45 V | 6.5A (TA) | 4V, 10V | 31MOHM @ 6.5A, 10V | 3V @ 1MA | 28 NC @ 5 V | ± 20V | 3200 pf @ 10 V | - | 2W (ta) | ||||||||||||||||||||
![]() | RSJ400N10TL | 3.8400 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | RSJ400 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Lpts | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 40A (TC) | 4V, 10V | 27MOHM @ 40A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3600 pf @ 25 V | - | 1.35W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | Rsh100N03TB1 | 0.4998 | ![]() | 7702 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | - | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | RSH | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 10A (TA) | 4V, 10V | 13.3MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 20 nc @ 5 V | ± 20V | 1070 PF @ 10 V | - | 2W (ta) | ||||||||||||||||||||
![]() | Sh8m24tb1 | 1.6800 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Sh8m24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 45v | 4.5a, 3.5a | 46MOHM @ 4.5A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 9.6nc @ 5v | 550pf @ 10v | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | RSJ450N04TL | 1.2439 | ![]() | 7358 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | RSJ450 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Lpts | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 40 V | 45A (TA) | 10V | 13,5MOHM @ 25A, 10V | 3V @ 1MA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | RS1E280GNTB | 1 0000 | ![]() | 557 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Rs1e | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 28a (ta) | 4,5 V, 10V | 2,6MOHM @ 28A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 2300 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 31W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E130MNTB1 | 0 5072 | ![]() | 8762 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | RQ3E130 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSMT (3.2x3) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 13a (ta) | 4,5 V, 10V | 8.1MOHM @ 13A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 840 pf @ 15 V | - | 2W (ta) | ||||||||||||||||||||
![]() | Rcj120n25tl | 0,9561 | ![]() | 3173 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Rcj120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Lpts | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | Canal n | 250 V | 12A (TC) | 10V | 235MOHM @ 6A, 10V | 5V @ 1MA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1800 pf @ 25 V | - | 1 56W (TA), 107W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | QH8KB6TCR | 1.1100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | QH8KB6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W (TA) | Tsmt8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 8a (ta) | 17.7MOHM @ 8A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 10.6nc @ 10v | 530pf @ 20v | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGSX5TS65EHRC11 | 11.7500 | ![]() | 450 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Rgsx5ts65 | Standard | 404 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGSX5TS65EHRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75A, 10OHM, 15V | 116 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 114 A | 225 A | 2.15V @ 15V, 75A | 3 44MJ (ON), 1,9MJ (off) | 79 NC | 43ns / 113ns | |||||||||||||||||||
![]() | RGSX5TS65HRC11 | 8.9300 | ![]() | 395 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Rgsx5ts65 | Standard | 404 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGSX5TS65HRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75A, 10OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 114 A | 225 A | 2.15V @ 15V, 75A | 3,32MJ (on), 1,9mJ (off) | 79 NC | 43ns / 113ns | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR563F3TR | 0,9000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 3-UDFN | 1 W | HUML2020L3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 3 000 | 50 V | 6 A | 1µA (ICBO) | NPN | 350 MV @ 150mA, 3A | 180 @ 500mA, 3V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6520NXC7G | 5.3400 | ![]() | 987 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | R6520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-R6520Enxc7g | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 20A (TA) | 10V | 205MOHM @ 9.5A, 10V | 4V à 630µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | R6020knxc7g | 4.9000 | ![]() | 775 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | R6020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-R6020KNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 20A (TA) | 10V | 196MOHM @ 9.5A, 10V | 5V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1550 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | R6524knxc7g | 5.5800 | ![]() | 990 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | R6524 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-R6524KNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 24a (TA) | 10V | 185MOHM @ 11.3A, 10V | 5V @ 750µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1850 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||||||||||||||||
RRS090P03HZGTB | 1.6500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | RRS090 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 9a (ta) | 4V, 10V | 15.4MOHM @ 9A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 30 NC @ 5 V | ± 20V | 3000 pf @ 10 V | - | 2W (ta) | |||||||||||||||||||||
![]() | Sct2280kehrc11 | 15.1500 | ![]() | 450 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | SCT2280 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-SCT2280KRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 14A (TC) | 18V | 364MOHM @ 4A, 18V | 4V @ 1,4mA | 36 NC @ 400 V | + 22V, -6V | 667 PF @ 800 V | - | 108W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | RGW80TS65HRC11 | 6.9900 | ![]() | 5388 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RGW80 | Standard | 214 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGW80TS65HRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 20A, 10OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 80 A | 160 A | 1,9 V @ 15V, 40A | 110 NC | 42ns / 148ns | |||||||||||||||||||||
![]() | Sct2160kehrc11 | 21.9300 | ![]() | 450 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | SCT2160 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-SCT2160KRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 22A (TC) | 18V | 208MOHM @ 7A, 18V | 4V @ 2,5mA | 62 NC @ 18 V | + 22V, -6V | 1200 pf @ 800 V | - | 165W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | RQ3G110ATTB | 1.6100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | RQ3G110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSMT (3.2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 40 V | 11A (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 12.4MOHM @ 11A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 2750 pf @ 20 V | - | 2W (ta) | ||||||||||||||||||||
![]() | R6511knd3tl1 | 2.2900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | R6511 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 650 V | 11a (TC) | 10V | 400mohm @ 3,8a, 10v | 5V à 320µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 760 pf @ 25 V | - | 124W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | BSS138BKT116 | 0,4200 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 400mA (TA) | 2,5 V, 10V | 680MOHM @ 400mA, 10V | 2V @ 10µA | ± 20V | 47 PF @ 30 V | - | 200MW (TA) |
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