SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce RÉSISTANCE - RDS (ON) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition Drain de Courant (ID) - Max
APT70GR120L Microchip Technology Apt70gr120l 13.2200
RFQ
ECAD 4409 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Apt70gr120 Standard 961 W À 264 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 600v, 70a, 4,3 ohms, 15v NPT 1200 V 160 A 280 A 3.2v @ 15v, 70a 3 82MJ (ON), 2 58MJ (OFF) 544 NC 33ns / 278ns
APT70GR120J Microchip Technology APT70GR120J 29.8400
RFQ
ECAD 7380 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4 Apt70gr120 543 W Standard SOT-227 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire NPT 1200 V 112 A 3.2v @ 15v, 70a 1 mA Non 7.26 NF @ 25 V
APTC60DSKM24T3G Microchip Technology Aptc60dskm24t3g 129.7000
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Technologie des micropuces CoolMos ™ Plateau Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP3 Aptc60 MOSFET (Oxyde Métallique) 462W SP3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (hachoir à double masse) 600 V 95a 24MOHM @ 47,5A, 10V 3,9 V @ 5mA 300nc @ 10v 14400pf @ 25v Super jonction
APT42F50S Microchip Technology APT42F50S 11.1900
RFQ
ECAD 1036 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 8 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Apt42f50 MOSFET (Oxyde Métallique) D3pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 42A (TC) 10V 130MOHM @ 21A, 10V 5V @ 1MA 170 NC @ 10 V ± 30V 6810 PF @ 25 V - 625W (TC)
APTGL90A120T1G Microchip Technology APTGL90A120T1G 72.0600
RFQ
ECAD 6424 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou SP1 Aptgl90 385 W Standard SP1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Demi-pont Arête du Champ de Tranché 1200 V 110 A 2.25V @ 15V, 75A 250 µA Oui 4.4 NF @ 25 V
APTGL90DA120T1G Microchip Technology AptGl90da120t1g 53.1400
RFQ
ECAD 9378 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP1 Aptgl90 385 W Standard SP1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire Arête du Champ de Tranché 1200 V 110 A 2.25V @ 15V, 75A 250 µA Oui 4.4 NF @ 25 V
DN1509N8-G Microchip Technology DN1509N8-G 0,9500
RFQ
ECAD 6937 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa DN1509N8 MOSFET (Oxyde Métallique) À 243aa (SOT-89) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 90 V 360mA (TJ) 0v 6OHM @ 200mA, 0V - ± 20V 150 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 1.6W (TA)
LND150N8-G Microchip Technology LND150N8-G 0,7900
RFQ
ECAD 4221 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa LND150 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-89-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 500 V 30mA (TJ) 0v 1000 ohm @ 500µA, 0V - ± 20V 10 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 1.6W (TA)
TN0104N3-G-P003 Microchip Technology TN0104N3-G-P003 0,9800
RFQ
ECAD 2284 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) TN0104 MOSFET (Oxyde Métallique) To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 40 V 450mA (TA) 3V, 10V 1,8 ohm @ 1a, 10v 1,6 V @ 500µA ± 20V 70 pf @ 20 V - 1W (TC)
DN2535N3-G Microchip Technology Dn2535n3-g 0,9100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Technologie des micropuces - Sac Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) DN2535 MOSFET (Oxyde Métallique) À 92 (à 226) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 350 V 120mA (TJ) 0v 25OHM @ 120mA, 0V - ± 20V 300 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 1W (TC)
TN0620N3-G Microchip Technology Tn0620n3-g 1.6300
RFQ
ECAD 7299 0,00000000 Technologie des micropuces - Sac Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) TN0620 MOSFET (Oxyde Métallique) To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 200 V 250mA (TJ) 5v, 10v 6OHM @ 500mA, 10V 1,6 V @ 1MA ± 20V 150 pf @ 25 V - 1W (TC)
VN10KN3-G Microchip Technology Vn10kn3-g 0,6000
RFQ
ECAD 5338 0,00000000 Technologie des micropuces - Sac Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) Vn10kn3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 60 V 310mA (TJ) 5v, 10v 5OHM @ 500mA, 10V 2,5 V @ 1MA ± 30V 60 pf @ 25 V - 1W (TC)
VN1206L-G Microchip Technology VN1206L-G 2.1600
RFQ
ECAD 156 0,00000000 Technologie des micropuces - Sac Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) VN1206 MOSFET (Oxyde Métallique) To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 120 V 230mA (TJ) 2,5 V, 10V 6OHM @ 500mA, 10V 2v @ 1MA ± 30V 125 PF @ 25 V - 1W (TC)
2N4091UB Microchip Technology 2N4091UB 47.6539
RFQ
ECAD 1416 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 2N4091 360 MW 3-UB (3.09x2.45) - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 40 V 16pf @ 20V 40 V 30 ma @ 20 V 30 ohms
2N4393 Microchip Technology 2N4393 18.2875
RFQ
ECAD 5710 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Par le trou - 2N4393 1,8 W À 18 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 2N4393ms EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 14pf @ 20V 40 V 5 ma @ 20 V 500 mV @ 1 na 100 ohms
2N4860 Microchip Technology 2N4860 57.9082
RFQ
ECAD 1753 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2N4860 360 MW À 18 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 30 V 18pf @ 10v 30 V 100 mA @ 15 V 6 V @ 500 PA 40 ohms
2N4860UB Microchip Technology 2N4860UB 86.7825
RFQ
ECAD 5573 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 2N4860 360 MW - télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 30 V 18pf @ 10v 30 V 100 mA @ 15 V 6 V @ 500 PA 40 ohms
2N5115UB Microchip Technology 2N5115UB 52.5483
RFQ
ECAD 7812 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 2N5115 500 MW Ub télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal p 30 V 25pf @ 15v 30 V 60 mA @ 15 V 6 V @ 1 na 100 ohms
MV2N4092 Microchip Technology MV2N4092 70.7693
RFQ
ECAD 9741 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/431 En gros Actif -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN MV2N4092 360 MW À 18 (à 206aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 40 V 16pf @ 20V 40 V 15 ma @ 20 V 50 ohms
MV2N4859 Microchip Technology MV2N4859 57.2964
RFQ
ECAD 3496 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/385 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN MV2N4859 360 MW À 18 (à 206aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 30 V 18pf @ 10v 30 V 175 Ma @ 15 V 10 V @ 500 PA 25 ohms
MV2N4860UB Microchip Technology MV2N4860UB 80.4916
RFQ
ECAD 5752 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Actif MV2N4860 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
MV2N4861 Microchip Technology MV2N4861 57.2964
RFQ
ECAD 9081 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/385 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN MV2N4861 360 MW À 18 (à 206aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 30 V 18pf @ 10v 30 V 80 mA @ 15 V 4 V @ 0,5 Na 60 ohms
MV2N5116 Microchip Technology MV2N5116 -
RFQ
ECAD 6422 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN MV2N5116 500 MW À 18 (à 206aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal p 30 V 27pf @ 15v 30 V 25 ma @ 15 V 6 V @ 1 na 100 ohms
MX2N4856UB Microchip Technology MX2N4856UB 68.7743
RFQ
ECAD 3847 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Actif 2N4856 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
MX2N4858UB Microchip Technology MX2N4858UB 68.7743
RFQ
ECAD 7152 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Actif 2N4858 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
MX2N4861 Microchip Technology MX2N4861 50.8193
RFQ
ECAD 2285 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/385 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2N4861 360 MW À 18 (à 206aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 30 V 18pf @ 10v 30 V 80 mA @ 15 V 4 V @ 0,5 Na 60 ohms
MQ2N5116 Microchip Technology MQ2N5116 55.0487
RFQ
ECAD 2867 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN MQ2N5116 500 MW À 18 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal p 30 V 27pf @ 15v 30 V 5 ma @ 15 V 1 V @ 1 mA 175 ohms
2N2609 Microchip Technology 2N2609 11.4114
RFQ
ECAD 4430 0,00000000 Technologie des micropuces - Sac Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2N2609 300 MW À 18 (à 206aa) télécharger Atteindre non affecté 2N2609ms EAR99 8541.21.0095 1 Canal p 10pf @ 5v 30 V 2 ma @ 5 V 750 mV @ 1 a 10 mA
MSC060SMA070B Microchip Technology MSC060SMA070B 9.6400
RFQ
ECAD 8354 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MSC060 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 90 Canal n 700 V 39a (TC) 20V 75MOHM @ 20A, 20V 2,4 V @ 1MA 56 NC @ 20 V + 23v, -10V 1175 PF @ 700 V - 143W (TC)
JANTXV2N5004 Microchip Technology Jantxv2n5004 -
RFQ
ECAD 6331 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/534 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Soutien À 210aa, à 59-4, Étalon 2 W To-59 - Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 80 V 50 µA 50 µA NPN 1,5 V @ 500mA, 5A 70 @ 2,5a, 5v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock