SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce RÉSISTANCE - RDS (ON) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
DN2535N3-G Microchip Technology Dn2535n3-g 0,9100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Technologie des micropuces - Sac Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) DN2535 MOSFET (Oxyde Métallique) À 92 (à 226) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 350 V 120mA (TJ) 0v 25OHM @ 120mA, 0V - ± 20V 300 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 1W (TC)
TN0620N3-G Microchip Technology Tn0620n3-g 1.6300
RFQ
ECAD 7299 0,00000000 Technologie des micropuces - Sac Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) TN0620 MOSFET (Oxyde Métallique) To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 200 V 250mA (TJ) 5v, 10v 6OHM @ 500mA, 10V 1,6 V @ 1MA ± 20V 150 pf @ 25 V - 1W (TC)
DN1509N8-G Microchip Technology DN1509N8-G 0,9500
RFQ
ECAD 6937 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa DN1509N8 MOSFET (Oxyde Métallique) À 243aa (SOT-89) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 90 V 360mA (TJ) 0v 6OHM @ 200mA, 0V - ± 20V 150 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 1.6W (TA)
LND150N8-G Microchip Technology LND150N8-G 0,7900
RFQ
ECAD 4221 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa LND150 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-89-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 500 V 30mA (TJ) 0v 1000 ohm @ 500µA, 0V - ± 20V 10 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 1.6W (TA)
VN10KN3-G Microchip Technology Vn10kn3-g 0,6000
RFQ
ECAD 5338 0,00000000 Technologie des micropuces - Sac Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) Vn10kn3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 60 V 310mA (TJ) 5v, 10v 5OHM @ 500mA, 10V 2,5 V @ 1MA ± 30V 60 pf @ 25 V - 1W (TC)
VN1206L-G Microchip Technology VN1206L-G 2.1600
RFQ
ECAD 156 0,00000000 Technologie des micropuces - Sac Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) VN1206 MOSFET (Oxyde Métallique) To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 120 V 230mA (TJ) 2,5 V, 10V 6OHM @ 500mA, 10V 2v @ 1MA ± 30V 125 PF @ 25 V - 1W (TC)
JANTX2N3421 Microchip Technology Jantx2N3421 13.4200
RFQ
ECAD 32 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PF-19500/393 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 2N3421 1 W To-5 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 80 V 3 A 5µA NPN 500 MV @ 200mA, 2A 40 @ 1A, 2V -
APTM20AM08FTG Microchip Technology APTM20AM08FTG 178.3214
RFQ
ECAD 2593 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP4 APTM20 MOSFET (Oxyde Métallique) 781w SP4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 N-Canal (Demi-pont) 200 V 208a 10MOHM @ 104A, 10V 5V @ 5mA 280nc @ 10v 14400pf @ 25v -
APTM20DUM04G Microchip Technology APTM20DUM04G 300.2300
RFQ
ECAD 3564 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP6 APTM20 MOSFET (Oxyde Métallique) 1250W SP6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) 200 V 372A 5mohm @ 186a, 10v 5V @ 10mA 560nc @ 10v 28900pf @ 25v -
APTM50SKM19G Microchip Technology APTM50SKM19G 200 7200
RFQ
ECAD 9424 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP6 APTM50 MOSFET (Oxyde Métallique) SP6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 163a (TC) 10V 22,5MOHM @ 81,5A, 10V 5V @ 10mA 492 NC @ 10 V ± 30V 22400 pf @ 25 V - 1136W (TC)
APTGT300DA170D3G Microchip Technology APTGT300DA170D3G 269.3100
RFQ
ECAD 3890 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module d-3 Aptgt300 1470 W Standard D3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire Arête du Champ de Tranché 1700 V 530 A 2,4 V @ 15V, 300A 8 mA Non 26 NF @ 25 V
APTM100A18FTG Microchip Technology APTM100A18FTG 195.3300
RFQ
ECAD 9603 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP4 APTM100 MOSFET (Oxyde Métallique) 780W SP4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 N-Canal (Demi-pont) 1000v (1kV) 43a 210MOHM @ 21,5A, 10V 5V @ 5mA 372nc @ 10v 10400pf @ 25v -
APTM100DAM90G Microchip Technology APTM100DAM90G 230.0917
RFQ
ECAD 9653 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP6 APTM100 MOSFET (Oxyde Métallique) SP6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1000 V 78A (TC) 10V 105MOHM @ 39A, 10V 5V @ 10mA 744 NC @ 10 V ± 30V 20700 PF @ 25 V - 1250W (TC)
APTM10DAM05TG Microchip Technology APTM10DAM05TG 126.6100
RFQ
ECAD 3900 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP4 APTM10 MOSFET (Oxyde Métallique) SP4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 278A (TC) 10V 5MOHM @ 125A, 10V 4V @ 5mA 700 NC @ 10 V ± 30V 20000 pf @ 25 V - 780W (TC)
APT150GN60LDQ4G Microchip Technology APT150GN60LDQ4G 28.3800
RFQ
ECAD 6569 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa APT150 Standard 536 W À 264 [l] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 400V, 150A, 1OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 600 V 220 A 450 A 1,85 V @ 15V, 150A 8,81mj (on), 4 295mj (off) 970 NC 44ns / 430ns
2N4860 Microchip Technology 2N4860 57.9082
RFQ
ECAD 1753 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2N4860 360 MW À 18 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 30 V 18pf @ 10v 30 V 100 mA @ 15 V 6 V @ 500 PA 40 ohms
2N4860UB Microchip Technology 2N4860UB 86.7825
RFQ
ECAD 5573 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 2N4860 360 MW - télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 30 V 18pf @ 10v 30 V 100 mA @ 15 V 6 V @ 500 PA 40 ohms
2N5115UB Microchip Technology 2N5115UB 52.5483
RFQ
ECAD 7812 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 2N5115 500 MW Ub télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal p 30 V 25pf @ 15v 30 V 60 mA @ 15 V 6 V @ 1 na 100 ohms
MV2N4859 Microchip Technology MV2N4859 57.2964
RFQ
ECAD 3496 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/385 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN MV2N4859 360 MW À 18 (à 206aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 30 V 18pf @ 10v 30 V 175 Ma @ 15 V 10 V @ 500 PA 25 ohms
MV2N4861 Microchip Technology MV2N4861 57.2964
RFQ
ECAD 9081 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/385 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN MV2N4861 360 MW À 18 (à 206aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 30 V 18pf @ 10v 30 V 80 mA @ 15 V 4 V @ 0,5 Na 60 ohms
MV2N5116 Microchip Technology MV2N5116 -
RFQ
ECAD 6422 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN MV2N5116 500 MW À 18 (à 206aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal p 30 V 27pf @ 15v 30 V 25 ma @ 15 V 6 V @ 1 na 100 ohms
MX2N4856UB Microchip Technology MX2N4856UB 68.7743
RFQ
ECAD 3847 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Actif 2N4856 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
MX2N4858UB Microchip Technology MX2N4858UB 68.7743
RFQ
ECAD 7152 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Actif 2N4858 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
MX2N4861 Microchip Technology MX2N4861 50.8193
RFQ
ECAD 2285 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/385 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2N4861 360 MW À 18 (à 206aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 30 V 18pf @ 10v 30 V 80 mA @ 15 V 4 V @ 0,5 Na 60 ohms
APL602LG Microchip Technology APL602LG 58.7804
RFQ
ECAD 8710 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa AP602 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264 [l] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 49a (TC) 12V 125 mohm @ 24,5a, 12v 4V @ 2,5mA ± 30V 9000 pf @ 25 V - 730W (TC)
APT10086BVFRG Microchip Technology APT10086BVFRG 20.4800
RFQ
ECAD 5331 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS V® Tube Actif Par le trou À 247-3 APT10086 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1000 V 13A (TC) 860MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 1MA 275 NC @ 10 V 4440 PF @ 25 V -
APT100GT60JR Microchip Technology Apt100gt60jr -
RFQ
ECAD 3381 0,00000000 Technologie des micropuces Thunderbolt igbt® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Isotop APT100 500 W Standard Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire NPT 600 V 148 A 2,5 V @ 15V, 100A 25 µA Non 5.15 NF @ 25 V
APT10M19SVRG Microchip Technology Apt10m19svrg 13.2200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS V® Tube Actif Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Apt10m19 MOSFET (Oxyde Métallique) D3 [s] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 75A (TC) 19MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 1MA 300 NC @ 10 V 6120 pf @ 25 V -
APT6021BLLG Microchip Technology Apt6021bllg 17.6700
RFQ
ECAD 9254 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif Par le trou À 247-3 Apt6021 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 29A (TC) 210MOHM @ 14.5A, 10V 5V @ 1MA 80 NC @ 10 V 3470 PF @ 25 V -
APT65GP60J Microchip Technology APT65GP60J 36.0500
RFQ
ECAD 3440 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Apt65gp60 431 W Standard Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire Pt 600 V 130 A 2,7 V @ 15V, 65A 1 mA Non 7.4 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock