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Transistors (427)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD16404Q5A | 1.0900 |  | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16404 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 21A (TA), 81A (TC) | 4,5 V, 10V | 5.1MOHM @ 20A, 10V | 2,1 V @ 250µA | 8,5 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 1220 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | ||||||||||
| CSD18510Q5B | 2.3200 | | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 300A (TC) | 4,5 V, 10V | 0,96MOHM @ 32A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 11400 pf @ 20 V | - | 156W (TC) | ||||||||||
 | CSD18502KCS | 2.6400 | | 159 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD18502 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,9MOHM @ 100A, 10V | 2,1 V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 4680 pf @ 20 V | - | 259W (TC) | ||||||||||
 | CSD25211W1015 | 0,6600 | | 383 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD25211 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 3.2a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 33MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 4.1 NC @ 4,5 V | -6v | 570 pf @ 10 V | - | 1W (ta) | ||||||||||
 | CSD17581Q3AT | 0,9700 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD17581 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,8MOHM @ 16A, 10V | 1,7 V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 3640 PF @ 15 V | - | 2.8W (TA), 63W (TC) | ||||||||||
 | CSD22202W15 | 0,7300 | | 53 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-ufbga, dsbga | CSD22202 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 9-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 10A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 12.2MOHM @ 2A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 8,4 NC @ 4,5 V | -6v | 1390 pf @ 4 V | - | 1.5W (TA) | ||||||||||
| CSD18503Q5A | 1.6100 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18503 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 19A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,3MOHM @ 22A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 2640 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 120W (TC) | ||||||||||
 | CSD16411Q3 | 0,8700 | | 22 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD16411 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 14A (TA), 56A (TC) | 4,5 V, 10V | 10MOHM @ 10A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 3,8 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 570 pf @ 12,5 V | - | 2.7W (TA) | ||||||||||
| CSD16413Q5A | 1 4000 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16413 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 24A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,9MOHM @ 24A, 10V | 1,9 V à 250µA | 11,7 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 1780 pf @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||
 | CSD22205L | 0,5400 | | 13 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-xflga | CSD22205 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 7.4a (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 9.9MOHM @ 1A, 4,5 V | 1 05 V @ 250µA | 8,5 NC @ 4,5 V | -6v | 1390 pf @ 4 V | - | 600mw (TA) | ||||||||||
| CSD16403Q5A | 1.6500 | | 16 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16403 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 28a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,8MOHM @ 20A, 10V | 1,9 V à 250µA | 18 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 2660 PF @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||
 | CSD13380F3 | 0 4500 | | 79 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD13380 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 3.6A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 76MOHM @ 400mA, 4,5 V | 1,3 V à 250µA | 1,2 NC @ 4,5 V | 8v | 156 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
| CSD17577Q5AT | 1.4100 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17577 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 60a (TA) | 4,5 V, 10V | 4.2MOHM @ 18A, 10V | 1,8 V à 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2310 PF @ 15 V | - | 3W (TA), 53W (TC) | ||||||||||
| CSD16409Q3 | 0,9700 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16409 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 15A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,2MOHM @ 17A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 5.6 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 800 pf @ 12,5 V | - | 2.6W (TA) | ||||||||||
 | CSD88539NDT | 1 0000 | | 12 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CSD88539 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) | 60V | 15A | 28MOHM @ 5A, 10V | 3,6 V @ 250µA | 9.4nc @ 10v | 741pf @ 30v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
 | CSD18532NQ5B | 2.6000 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18532 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 22A (TA), 100A (TC) | 6v, 10v | 3,4MOHM @ 25A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 5340 PF @ 30 V | - | 3.2W (TA) | ||||||||||
| CSD19538Q3A | 0,6500 | | 9125 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD19538 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 15A (TA) | 6v, 10v | 59MOHM @ 5A, 10V | 3,8 V @ 250µA | 4.3 NC @ 10 V | ± 20V | 454 pf @ 50 V | - | 2.8W (TA), 23W (TC) | ||||||||||
| CSD18513Q5A | 1.2300 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18513 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 124A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,3MOHM @ 19A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 4280 PF @ 20 V | - | 96W (TC) | ||||||||||
| CSD18503Q5AT | 1.7100 | | 733 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18503 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,3MOHM @ 22A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 16 NC @ 4,5 V | ± 20V | 2640 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 120W (TC) | ||||||||||
 | CSD19532KTT | 2.6600 | | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa | CSD19532 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 100 V | 200A (TA) | 6v, 10v | 5,6MOHM @ 90A, 10V | 3,2 V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 5060 PF @ 50 V | - | 250W (TC) | ||||||||||
| CSD18532NQ5BT | 2.9700 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18532 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 60 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 3,4MOHM @ 25A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 5340 PF @ 30 V | - | 3.1W (TA), 156W (TC) | ||||||||||
| CSD19531Q5A | 1.7700 | | 2626 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD19531 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 100A (TC) | 6v, 10v | 6,4MOHM @ 16A, 10V | 3,3 V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 3870 PF @ 50 V | - | 3.3W (TA), 125W (TC) | ||||||||||
| CSD19505KCS | 3.2800 | | 1261 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD19505 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 80 V | 150A (TA) | 6v, 10v | 3,8MOHM @ 100A, 6V | 3,2 V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ± 20V | 7820 PF @ 40 V | - | 300W (TC) | ||||||||||
 | SN75468NSRG4 | - | | 8967 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | 75468 | - | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 100V | 500mA | - | 7 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||
 | Sn75469ne4 | - | | 5657 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD18504Q5AT | 1.3700 | | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18504 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 40 V | 50A (TA) | 4,5 V, 10V | 6,6MOHM @ 17A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 9.2 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1656 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 77W (TC) | ||||||||||
 | CSD17585F5T | 0,9600 | | 22 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, pas de plomb | CSD17585 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 5.9A (TA) | 4,5 V, 10V | 27MOHM @ 900mA, 10V | 1,7 V @ 250µA | 5.1 NC @ 10 V | 20V | 380 pf @ 15 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
| TPS1120D | 1.6926 | | 6836 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TPS1120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 840mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 75 | 2 Canal P (double) | 15V | 1.17A | 180MOHM @ 1,5A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 5.45nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
| CSD18532KCS | 2.3900 | | 5784 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD18532 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 4.2MOHM @ 100A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 4680 pf @ 30 V | - | 250W (TC) | ||||||||||
| CSD18541F5T | 0,9500 | | 29 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, pas de plomb | CSD18541 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal n | 60 V | 2.2a (TA) | 4,5 V, 10V | 65MOHM @ 1A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 777 PF @ 30 V | - | 500mw (TA) |
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