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Transistors (427)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD17577Q3A | 0,6500 |  | 32 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD17577 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 35A (TA) | 4,5 V, 10V | 4,8MOHM @ 16A, 10V | 1,8 V à 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2310 PF @ 15 V | - | 2.8W (TA), 53W (TC) | ||||||||||||
 | CSD16570Q5B | 2.2200 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16570 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 0,59MOHM @ 50A, 10V | 1,9 V à 250µA | 250 NC @ 10 V | ± 20V | 14000 pf @ 12 V | - | 3.2W (TA), 195W (TC) | ||||||||||||
| CSD18502Q5BT | 2.7900 | | 341 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18502 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 40 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 2,3MOHM @ 30A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 33 NC @ 4,5 V | ± 20V | 5070 PF @ 20 V | - | 3.2W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||
 | CSD13381F4 | 0.4400 | | 503 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD13381 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 2.1A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 180MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 1,4 NC @ 4,5 V | 8v | 200 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||||
| CSD17556Q5B | 2 5000 | | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17556 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 34A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,4 mohm @ 40a, 10v | 1,65 V @ 250µA | 39 NC @ 4,5 V | ± 20V | 7020 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 191W (TC) | ||||||||||||
 | CSD75207W15 | 0,6800 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-ufbga, dsbga | CSD75207 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 700mw | 9-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Source Commun du Canal P (double) | - | 3.9a | 162MOHM @ 1A, 1,8 V | 1,1 V @ 250µA | 3.7NC @ 4,5 V | 595pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||
 | CSD18542KTT | 2.6600 | | 153 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa | CSD18542 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 60 V | 200A (TA) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 100A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 5070 PF @ 30 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||
 | Ntk3134nt1h | 0,0800 | | 191 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-723 | NTK3134 | - | SOT-723 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | - | 890mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V | - | - | ± 6V | - | - | |||||||||||||||
 | CSD18536KCS | 4.7600 | | 478 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD18536 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 200A (TA) | 4,5 V, 10V | 1,6 mohm @ 100a, 10v | 2,2 V @ 250µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 11430 pf @ 30 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||
 | LP395Z / NOPB | 1 8000 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | LP395 | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | 36 V | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||
| CSD25484F4T | 0,9100 | | 16 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD25484 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 20 V | 2.5a (TA) | 1,8 V, 8V | 94MOHM @ 500mA, 8V | 1,2 V à 250µA | 1,42 NC @ 4,5 V | -12v | 230 pf @ 10 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||||
| CSD18537NQ5AT | 1.1000 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18537 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 6v, 10v | 13MOHM @ 12A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1480 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 75W (TC) | ||||||||||||
 | CSD86330Q3D | 2.1100 | | 23 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD86330Q3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6W | 8 Lans (3,3x3,3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 25V | 20A | 9.6MOHM @ 14A, 8V | 2,1 V @ 250µA | 6.2nc @ 4,5 V | 920pf à 12,5v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | 2.0900 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16414 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 34A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,9MOHM @ 30A, 10V | 2V à 250µA | 21 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 3650 pf @ 12,5 V | - | 3.2W (TA) | ||||||||||||
 | CSD85301Q2T | 1.1300 | | 6130 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD85301 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.3W | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) | 20V | 5A | 27MOHM @ 5A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 5.4nc @ 4,5 V | 469pf @ 10v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | ||||||||||||||
 | LM3046M / NOPB | - | | 6076 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | LM3046 | 750mw | 14-SOIC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 55 | - | 15V | 50m | 5 npn | 40 @ 1MA, 3V | - | 3,25 dB à 1KHz | ||||||||||||||||
 | CSD13306WT | 1.0900 | | 930 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD13306 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 12 V | 3.5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 10,2MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1,3 V à 250µA | 11.2 NC @ 4,5 V | ± 10V | 1370 pf @ 6 V | - | 1.9W (TA) | ||||||||||||
| CSD18502Q5B | 2.6200 | | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18502 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 26A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,3MOHM @ 30A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 5070 PF @ 20 V | - | 3.2W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||
 | CSD18543Q3A | 0,9600 | | 5344 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD18543 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 9.9MOHM @ 12A, 10V | 2,7 V @ 250µA | 14,5 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 30 V | Standard | 66W (TC) | ||||||||||||
| CSD19533Q5AT | 1.6900 | | 1254 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD19533 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 100 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 9.4MOHM @ 13A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2670 PF @ 50 V | - | 3.2W (TA), 96W (TC) | ||||||||||||
| CSD16323Q3C | - | | 1183 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16323 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-son-ep (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 21A (TA), 60A (TC) | 3v, 8v | 4,5 mohm @ 24a, 8v | 1,4 V @ 250µA | 8,4 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 1300 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||
 | LM395T / NOPB | 3.7500 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | À 220-3 | LM395 | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 45 | 36 V | 2.2 A | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||
 | CSD88537ND | 1.3900 | | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CSD88537 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 60V | 15A | 15MOHM @ 8A, 10V | 3,6 V @ 250µA | 18nc @ 10v | 1400pf @ 30v | - | ||||||||||||||
| CSD16340Q3T | 1.4300 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16340 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 25 V | 60a (TC) | 2,5 V, 8V | 4,5 mohm @ 20a, 8v | 1,1 V @ 250µA | 9.2 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 1350 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||
| CSD18504KCS | 1.6200 | | 103 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD18504 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 53A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 7MOHM @ 40A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 20 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||
| CSD18532Q5B | 2.4800 | | 753 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18532 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 25A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 5070 PF @ 30 V | - | 3.2W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||
| CSD16556Q5B | 2.3200 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16556 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1.07MOHM @ 30A, 10V | 1,7 V @ 250µA | 47 NC @ 4,5 V | ± 20V | 6180 PF @ 15 V | - | 3.2W (TA), 191W (TC) | ||||||||||||
| CSD13381F4T | 0,9300 | | 6 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD13381F4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal n | 12 V | 2.1A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 180MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 1,4 NC @ 4,5 V | 8v | 200 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||||
 | CSD87333Q3D | 1,3000 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Csd87333q3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6W | 8-VSON (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 canal n (double) asymétrique | 30V | 15A | 14.3MOHM @ 4A, 8V | 1,2 V à 250µA | 4.6nc @ 4,5 V | 662pf @ 15v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | ||||||||||||||
| CSD23203WT | 1.1000 | | 40 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD23203 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 8 V | 3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 19.4MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 6,3 NC @ 4,5 V | -6v | 914 PF @ 4 V | - | 750MW (TA) |
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