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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Applications | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - test | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor |
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![]() | MMRF1016HR5 | - | ![]() | 5779 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 120 V | Soutenir de châssis | SOT-979A | MMRF1 | 225 MHz | LDMOS | NI-1230-4H | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935322153178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | - | 2.6 A | 125W | 25 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P20165WHSR3 | - | ![]() | 6590 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Support de surface | NI-780S-4L | MRF8 | 1,98 GHz ~ 2,01 GHz | LDMOS | NI-780S-4L | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935314475128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | - | 550 mA | 37w | 14,8 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||
![]() | BF1208,115 | - | ![]() | 8171 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 6 V | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | BF120 | 400 MHz | Mosfet | SOT-666 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 30m | 19 MA | - | 32 dB | 1,3 dB | 5 V | |||||||||||||||||||||
![]() | Mrf6v2150nbr5 | - | ![]() | 8852 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 110 V | Soutenir de châssis | À 272bb | MRF6 | 220 MHz | LDMOS | À 272 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 450 mA | 150W | 25 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | PhU77NQ03T, 127 | - | ![]() | 8351 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Phu77 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 25 V | 75A (TC) | 10V | 9.5MOHM @ 25A, 10V | 3.2v @ 1mA | 17.1 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 12 V | - | 107W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | PMN25UN, 115 | - | ![]() | 7744 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | PMN2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-74 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 27MOHM @ 6A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 10 NC @ 4,5 V | ± 8v | 470 pf @ 10 V | - | 530MW (TA), 6,25W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | PMT21en, 135 | - | ![]() | 8722 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | PMT2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-73 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 30 V | 7.4a (TA) | 4,5 V, 10V | 21MOHM @ 7.4A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 14.4 NC @ 10 V | ± 20V | 588 pf @ 15 V | - | 820MW (TA), 8,33W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | MRF8S9102NR3 | - | ![]() | 2105 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 70 V | Support de surface | OM-780-2 | MRF8 | 920 MHz | LDMOS | OM-780-2 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 750 mA | 28W | 23.1 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | A2I25H060NR1 | - | ![]() | 3321 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Support de surface | Variante à 270-17, | A2I25 | 2,59 GHz | LDMOS | À 270wb-17 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935322312528 | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | Double | - | 26 MA | 10,5 W | 26.1 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1312GSR5 | 654.7590 | ![]() | 1104 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 112 V | Support de surface | NI-1230-4S GW | MMRF1312 | 1,03 GHz | LDMOS | Ni-1230-4S Gull | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Double | - | 100 mA | 1000W | 19,6 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6VP6600GNR3 | 93.4822 | ![]() | 1720 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 133 V | Support de surface | OM-780G-4L | MRFE6 | 230 MHz | LDMOS | OM-780G-4L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935323761528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | - | 100 mA | 600W | 24,7 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||
![]() | PMN23UN, 165 | - | ![]() | 1948 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | PMN2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-74 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 000 | Canal n | 20 V | 6.3A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 28MOHM @ 2A, 4,5 V | 700 MV @ 1MA (TYP) | 10.6 NC @ 4,5 V | ± 8v | 740 pf @ 10 V | - | 1,75W (TC) | ||||||||||||||||||
MRF1517NT1 | - | ![]() | 4699 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 25 V | Support de surface | PLD-1.5 | MRF15 | 520 MHz | LDMOS | PLD-1.5 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 4A | 150 mA | 8W | 14 dB | - | 7,5 V | |||||||||||||||||||||||
MRF18085ALSR5 | - | ![]() | 5502 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF18 | 1,81 GHz ~ 1,88 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8542.31.0001 | 50 | - | 800 mA | 85W | 15 dB | - | 26 V | |||||||||||||||||||||||
Mrf7s21170hr5 | - | ![]() | 4660 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF7 | 2,17 GHz | LDMOS | NI-880H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 1.4 A | 50W | 16 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | MRF7S19170HSR5 | - | ![]() | 7511 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Support de surface | Ni-880 | MRF7 | 1,99 GHz | LDMOS | Ni-880 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 1.4 A | 50W | 17.2db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | MRFG35010R1 | - | ![]() | 9778 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 15 V | Soutenir de châssis | NI-360HF | MRFG35 | 3,55 GHz | Phemt Fet | NI-360HF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 180 mA | 10W | 10 dB | - | 12 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | PMD4002K, 115 | - | ![]() | 6984 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 40V | Conducteur de Porte | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMD40 | SMT3; Mpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 3 000 | 600mA | Diode npn + imiter de base | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMD4003K, 115 | - | ![]() | 1900 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 40V | Conducteur de Porte | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMD40 | SMT3; Mpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 3 000 | 1A | Diode npn + imiter de base | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMD5003K, 115 | - | ![]() | 1869 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 40V | Conducteur de Porte | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMD50 | SMT3; Mpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 3 000 | 1A | Diode de base-émetteur PNP + | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMD9002D, 115 | - | ![]() | 8580 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 50v NPN, 45V NPN | Conducteur mosfet | Support de surface | SC-74, SOT-457 | PMD90 | SC-74 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | 100MA NPN, 100MA NPN | 2 npn (Pôle Totem) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1102,115 | - | ![]() | 7660 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 7 V | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF110 | 800 MHz | Mosfet | 6-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 40m | 15 mA | - | - | 2db | 5 V | |||||||||||||||||||||
![]() | BF1202R, 215 | - | ![]() | 7326 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 10 V | À 253-4, à 253aa | BF120 | 400 MHz | Mosfet | SOT-143R | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 30m | 12 mA | 200 MW | 30,5 dB | 0,9 dB | 5 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | BF904AR, 215 | - | ![]() | 4053 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 7 V | Support de surface | SOT-143R | BF904 | 200 MHz | Mosfet | SOT-143R | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 30m | 10 mA | - | - | 1 dB | 4 V | |||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P23080HSR3 | - | ![]() | 7619 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Support de surface | NI-780S-4L | MRF8 | 2,3 GHz | LDMOS | NI-780S-4L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 935321471128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | - | 280 mA | 16W | 14,6 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||
MRF8S21140HR5 | - | ![]() | 6340 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF8 | 2,14 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 970 mA | 34W | 17,9 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | PMBFJ108,215 | - | ![]() | 1537 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBFJ1 | 250 MW | SOT-23 (à 236ab) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 30pf @ 10v (VGS) | 25 V | 80 mA @ 15 V | 10 V @ 1 µA | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | PMBFJ110,215 | - | ![]() | 2273 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBFJ1 | 250 MW | SOT-23 (à 236ab) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 30pf @ 10v (VGS) | 25 V | 10 ma @ 15 V | 4 V @ 1 µA | 18 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSN254,126 | - | ![]() | 5940 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | Bsn2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 250 V | 310mA (TA) | 2,4 V, 10V | 5OHM @ 300mA, 10V | 2v @ 1MA | ± 20V | 120 pf @ 25 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||
![]() | BSN304,126 | - | ![]() | 9918 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | Bsn3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 300 V | 300mA (TA) | 2,4 V, 10V | 6OHM @ 250mA, 10V | 2v @ 1MA | ± 20V | 120 pf @ 25 V | - | 1W (ta) |
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