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Transistors (3825)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
FDS6680	0,5200	RFQ	42	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	11.5A (TA)	4,5 V, 10V	11MOHM @ 11.5A, 10V	3V à 250µA	24 NC @ 5 V	± 20V	2010 PF @ 15 V	-	2.5W (TA)
FDU8878	0,3000	RFQ	41	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	75		Canal n	30 V	11A (TA), 40A (TC)	4,5 V, 10V	15MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250µA	26 NC @ 10 V	± 20V	880 pf @ 15 V	-	40W (TC)
Fqpf3n80cydtu	0,6600	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3 (formage y)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	800 V	3A (TC)	10V	4,8 ohm @ 1,5a, 10v	5V @ 250µA	16,5 NC @ 10 V	± 30V	705 PF @ 25 V	-	39W (TC)
FQAF16N25C	0,9200	RFQ	360	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	360		Canal n	250 V	11.4a (TC)	10V	270MOHM @ 5.7A, 10V	4V @ 250µA	53,5 NC @ 10 V	± 30V	1080 PF @ 25 V	-	73W (TC)
Jftj105	-	RFQ	9816	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa			1 W	SOT-223-4	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n								-					25 V	500 mA @ 15 V	4,5 V @ 1 µA		3 ohms
SFI9510TU	0,7300	RFQ	950	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal p	100 V	3.6A (TC)	10V	1,2 ohm @ 1,8a, 10v	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	± 30V	335 PF @ 25 V	-	3.8W (TA), 32W (TC)
FDMS86152	2.6400	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	114		Canal n	100 V	14A (TA), 45A (TC)	6v, 10v	6MOHM @ 14A, 10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 20V	3370 PF @ 50 V	-	2.7W (TA), 125W (TC)
Fdme910pzt	1 0000	RFQ	3527	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6 powerufdfn		MOSFET (Oxyde Métallique)		Microfet 1,6x1,6 hachce	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal p	20 V	8a (ta)	1,8 V, 4,5 V	24MOHM @ 8A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	21 NC @ 4,5 V	± 8v	2110 PF @ 10 V	-	2.1W (TA)
FDMA1025P	0 2900	RFQ	92	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-VDFN	FDMA1025	MOSFET (Oxyde Métallique)	700mw	6 microfet (2x2)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	2 Canal P (double)		20V	3.1a		155MOHM @ 3.1A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	4.8nc @ 4,5 V		450pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
BS170	-	RFQ	9226	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92	télécharger					0000.00.0000	1		Canal n	60 V	300mA (TA)		5OHM @ 200mA, 10V	3V @ 1MA			60 pf @ 10 V	-
FQAF40N25	2.9800	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	360		Canal n	250 V	24a (TC)	10V	70MOHM @ 12A, 10V	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 30V	4000 pf @ 25 V	-	108W (TC)
FQPF9N50T	0,9600	RFQ	11	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	500 V	5.3A (TC)	10V	730mohm @ 2 65a, 10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 30V	1450 pf @ 25 V	-	50W (TC)
FDS7060N7	1,6000	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-so	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	188		Canal n	30 V	19A (TA)	4,5 V, 10V	5MOHM @ 19A, 10V	3V à 250µA	56 NC @ 5 V	± 20V	3274 PF @ 15 V	-	3W (TA)
FQPF5N80	0 7700	RFQ	610	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	800 V	2.8A (TC)	10V	2.6OHM @ 1.4A, 10V	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 30V	1250 pf @ 25 V	-	47W (TC)
HUFA76429P3	-	RFQ	2376	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	437		Canal n	60 V	47a (TC)	4,5 V, 10V	22MOHM @ 47A, 10V	3V à 250µA	46 NC @ 10 V	± 16V	1480 pf @ 25 V	-	110W (TC)
Fqnl2n50bbu	-	RFQ	4931	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes)		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	6 000		Canal n	500 V	350mA (TC)	10V	5,3 ohm @ 175mA, 10v	3,7 V @ 250µA	8 NC @ 10 V	± 30V	230 pf @ 25 V	-	1,5 W (TC)
SFW9530TM	0,3500	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	800		Canal p	100 V	10.5a (TC)	10V	300mohm @ 5.3a, 10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 30V	1035 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 66W (TC)
NDS8425	0,8200	RFQ	60	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	NDS842	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	20 V	7.4a (TA)	2,7 V, 4,5 V	22MOHM @ 7.4A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	18 NC @ 4,5 V	± 8v	1098 PF @ 15 V	-	2.5W (TA)
Fdma6023pzt	0,3800	RFQ	369	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-UDFN	FDMA6023	MOSFET (Oxyde Métallique)	700mw	6 microfet (2x2)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	792	2 Canal P (double)		20V	3.6a		60 mohm @ 3,6a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	17nc @ 4,5 V		885pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
FDS8670	0,7800	RFQ	25	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	21A (TA)	4,5 V, 10V	3,7MOHM @ 21A, 10V	3V à 250µA	82 NC @ 10 V	± 20V	4040 PF @ 15 V	-	2.5W (TA)
SI9926DY	0 2200	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI9926	MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw (TA)	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)		20V	6.5A (TA)		30 mohm @ 6,5a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	10nc @ 4,5 V		700pf @ 10v	-
FDP6035AL	1.3600	RFQ	106	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	Tube	Obsolète	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	30 V	48A (TA)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 24A, 10V	3V à 250µA	18 NC @ 5 V	± 20V	1250 pf @ 15 V	-	52W (TC)
HUFA75345P3	2.2600	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	400		Canal n	55 V	75A (TC)	10V	7MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	± 20V	4000 pf @ 25 V	-	325W (TC)
Irf614bfp001	1 0000	RFQ	7644	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	250 V	2.8A (TC)		2OHM @ 1.4A, 10V	4V @ 250µA	10,5 NC @ 10 V	± 30V	275 PF @ 25 V	-	40W (TC)
KSD1616AGTA	0,1000	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			750 MW	To-92-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	2 950													60 V	1 a				100NA (ICBO)		NPN	300 mV @ 50mA, 1A	200 @ 100mA, 2V	160 MHz
FDMC2610	1 0000	RFQ	1155	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8 MLP (3,3x3,3)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	200 V	2.2A (TA), 9.5A (TC)	6v, 10v	200 mohm @ 2.2a, 10v	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	960 PF @ 100 V	-	2.1W (TA), 42W (TC)
FDB12N50FTM	0,9500	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				FDB12N	-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	1											-
Ksp94ta	-	RFQ	1014	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	2 000													400 V	300 mA				1 µA		Pnp	750 MV à 5MA, 50mA	50 @ 10mA, 10V	-
FDB6035L	3 4000	RFQ	800	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	30 V	58A (TC)	4,5 V, 10V	11MOHM @ 26A, 10V	3V à 250µA	46 NC @ 10 V	± 20V	1230 pf @ 15 V	-	75W (TC)
FQI9N25CTU	1.1200	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	250 V	8.8A (TC)	10V	430MOHM @ 4.4A, 10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 30V	710 PF @ 25 V	-	3.13W (TA), 74W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Transistors (3825)

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