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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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MRF553 | - | ![]() | 5786 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | 3W | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | 11,5 dB | 16V | 500mA | NPN | 30 @ 250mA, 5V | 175 MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64065 | - | ![]() | 7262 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Non applicable | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 62091 | - | ![]() | 3637 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Non applicable | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1517-110m | - | ![]() | 2881 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Soutenir de châssis | 55AW-1 | 350W | 55AW-1 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7,3 dB ~ 8,6 dB | 70V | 9A | NPN | 20 @ 1A, 5V | 1,48 GHz ~ 1,65 GHz | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF15H120T1G | - | ![]() | 2749 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Soutenir de châssis | SP1 | 140 W | Standard | SP1 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ONDULEUR DE PONT ACHET | NPT | 1200 V | 25 A | 3,7 V @ 15V, 15A | 250 µA | Oui | 1 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n3811u | - | ![]() | 9759 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/336 | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-78-6 Metal Can | 2N3811 | 350mw | To-78-6 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50m | 10µA (ICBO) | 2 pnp (double) | 250 mV à 100 µA, 1MA | 300 @ 1MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | SD1372-01H | - | ![]() | 3176 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT33N90JCCU3 | - | ![]() | 9937 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | CoolMos ™ | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-227 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 900 V | 33A (TC) | 10V | 120 mohm @ 26a, 10v | 3,5 V @ 3MA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 6800 pf @ 100 V | - | 290W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | MS2203 | - | ![]() | 7051 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | M220 | 5W | M220 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 10,8 dB ~ 12,3 dB | 20V | 300mA | NPN | 120 @ 100mA, 5V | 1,09 GHz | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jansr2n7261u | - | ![]() | 2055 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PF-19500/601 | Plateau | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | 18-CLCC | MOSFET (Oxyde Métallique) | 18-ULCC (9.14x7.49) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 8A (TC) | 12V | 185MOHM @ 8A, 12V | 4V @ 1MA | 50 NC @ 12 V | ± 20V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Tpr1000 | - | ![]() | 5851 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 55 kV | 2900W | 55 kV | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 6 dB | 65v | 80A | NPN | 10 @ 1A, 5V | 1,09 GHz | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 60180 | - | ![]() | 8885 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Non applicable | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2N6766T1 | - | ![]() | 9088 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/543 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 254-3, à 254aa (Tête Droite) | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 254aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 200 V | 30a (TC) | 10V | 90MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | MRF4427R1 | - | ![]() | 1510 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | 1,5 w | 8-DBGA (2x1,5) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 500 | 20 dB | 20V | 400mA | NPN | 10 @ 10mA, 5V | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n6764t1 | - | ![]() | 4486 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/543 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 254-3, à 254aa (Tête Droite) | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 254aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 38A (TC) | 10V | 65MOHM @ 38A, 10V | 4V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | APTML202UM18R010T3AG | - | ![]() | 7447 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP3 | Aptml202 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 480W | SP3 | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canaux N (double) | 200 V | 109a (TC) | 19MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 2,5mA | - | 9880pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||
![]() | Tan150a | - | ![]() | 5032 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 80275h | - | ![]() | 5778 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N7335 | - | ![]() | 9634 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/599 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 14-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | 2N733 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 P-channel | 100V | 750mA | 1,4 ohm @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 10A015 | - | ![]() | 8272 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutien | 55 PIEDS | 6W | 55 PIEDS | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 9 dB ~ 9,5 dB | 24V | 750mA | NPN | 20 @ 100mA, 5V | 2,7 GHz | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 80005 | - | ![]() | 3193 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aptc60dskm70t1g | - | ![]() | 4912 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | CoolMos ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP1 | Aptc60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 250W | SP1 | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canaux N (hachoir à double masse) | 600 V | 39a | 70MOHM @ 39A, 10V | 3,9 V @ 2,7mA | 259nc @ 10v | 700pf @ 25v | Super jonction | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N6250 | - | ![]() | 747 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | To-204aa, to-3 | 6 W | To-204aa (to-3) | télécharger | Rohs non conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 275 V | 10 a | 1 mA | NPN | 1,5 V @ 1,25A, 10A | 8 @ 10a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTM120DA29TG | - | ![]() | 6353 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SP4 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 1200 V | 34A (TC) | 10V | 348MOHM @ 17A, 10V | 5V @ 5mA | 374 NC @ 10 V | ± 30V | 10300 pf @ 25 V | - | 780W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | APTM120SK56T1G | - | ![]() | 5832 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SP1 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 1200 V | 18A (TC) | 10V | 672MOHM @ 14A, 10V | 5V @ 2,5mA | 300 NC @ 10 V | ± 30V | 7736 PF @ 25 V | - | 390W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n3960ub | - | ![]() | 5193 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/399 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, pas de plomb | 2N3960 | 400 MW | Ub | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 12 V | 10µA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 3MA, 30mA | 60 @ 10mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n6804 | - | ![]() | 2685 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PF-19500/562 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-204aa, to-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-204aa (to-3) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 100 V | 11a (TC) | 10V | 360mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 75W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | APT5F100K | - | ![]() | 2014 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 8 ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 [k] | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 1000 V | 5A (TC) | 10V | 2,8 ohm @ 3a, 10v | 5V @ 500µA | 43 NC @ 10 V | ± 30V | 1409 PF @ 25 V | - | 225W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | MSC74070 | - | ![]() | 5459 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 62028 | - | ![]() | 8529 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Non applicable | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 |
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