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Transistors (1315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - test	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
Aptgf90a60d1g	-	RFQ	3083	Microsemi Corporation	-	En gros	Abandonné à sic		-	Soutenir de châssis	D1					Standard	D1	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont																NPT			-					Non
0912-45	-	RFQ	1694	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55CT				225W		55CT	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1					8 dB ~ 9db													60V	4.5a								NPN		10 @ 300mA, 5V	960 MHz ~ 1 215 GHz	-
2N5014S	-	RFQ	2439	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/727	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1																		900 V	200 mA					10NA (ICBO)			NPN	1,6 V @ 5mA, 20mA	30 @ 20mA, 10V	-
APT40SM120B	-	RFQ	7432	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			Sicfet (carbure de silicium)			À 247	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	100		Canal n				1200 V	41A (TC)	20V	100MOHM @ 20A, 20V	3V @ 1MA (TYP)	130 NC @ 20 V	+ 25V, -10V	2560 pf @ 1000 V	-	273W (TC)
SD1330-06H	-	RFQ	5342	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MS2393	-	RFQ	9370	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M138				583W		M138	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1					8,2 dB													65v	11A								NPN		5 @ 300mA, 5V	1 025 GHz ~ 1,15 GHz	-
SD1430-02	-	RFQ	9209	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Jan2n6782	-	RFQ	7371	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/556	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-205af Métal Peut			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-39	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				100 V	3.5a (TC)	10V	610mohm @ 3,5a, 10v	4V @ 250µA	8.1 NC @ 10 V	± 20V		-	800mw (TA), 15W (TC)
MRF586	-	RFQ	8941	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1W		To-39	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1					13,5 dB													17V	200m								NPN		40 @ 50mA, 5V	3 GHz	-
APT30N60SC6	-	RFQ	1509	Microsemi Corporation	CoolMos ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D3pak	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				600 V	30a (TC)	10V	125MOHM @ 14.5A, 10V	3,5 V @ 960µA	88 NC @ 10 V	± 20V	2267 pf @ 25 V	-	219W (TC)
MRF553GT	-	RFQ	6828	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-	Support de surface	Macro de puissance				3W		Macro de puissance	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1 000					11,5 dB													16V	500mA								NPN		30 @ 250mA, 5V	175 MHz	-
75101h	-	RFQ	4834	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
2N5012S	-	RFQ	5149	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/727	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1																		700 V	200 mA					10NA (ICBO)			NPN	1,6 V @ 5mA, 25mA	30 @ 25mA, 10V	-
Jantx2n6898	-	RFQ	4635	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-3	-	Rohs non conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	4		Canal p				100 V	25a (TC)	10V	200 mohm @ 15,8a, 10v	4V @ 250µA		± 20V	3000 pf @ 25 V	-	150W (TC)
Jantx2n3251a	-	RFQ	7162	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PF-19500/323	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3251			360 MW		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1																		60 V	200 mA					10µA (ICBO)			Pnp	500 mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	-
MS1402	-	RFQ	1217	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M122				5W		M122	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1					10 dB													16V	750mA								NPN		20 @ 100mA, 5V	450 MHz ~ 512 MHz	-
42126	-	RFQ	6211	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
2N5013S	-	RFQ	6071	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/727	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1																		800 V	200 mA					10NA (ICBO)			NPN	1,6 V @ 5mA, 20mA	30 @ 20mA, 10V	-
APTM50TDUM65PG	-	RFQ	7413	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM50		MOSFET (Oxyde Métallique)	390W		SP6-P	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phases Pont 3)					500 V	51a		78MOHM @ 25,5A, 10V	5V @ 2,5mA	140nc @ 10v		7000pf @ 25v	-
SD1019	-	RFQ	2226	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C	Soutien	M130				117W		M130	-		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1					4,5 dB													35V	9A								NPN		5 @ 500mA, 5V	136 MHz	-
MS2265	-	RFQ	8379	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Jantxv2n6802u	-	RFQ	8616	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/557	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	18-CLCC			MOSFET (Oxyde Métallique)			18-ULCC (9.14x7.49)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				500 V	2.5a (TC)	10V	1,6 ohm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V		-	800mw (TA), 25W (TC)
Arf448ag	-	RFQ	1461	Microsemi Corporation	-	Tube	Obsolète	450 V			À 247-3	ARF448	40,68 MHz	Mosfet			À 247	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		15A	230W	15 dB											-					150 V
Jantx2n4093ub	126.9800	RFQ	88	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/431	En gros	Actif		-	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N4093			360 MW		Ub	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1		Canal n				40 V							16pf @ 20V									40 V	8 ma @ 20 V			80 ohms
Apt4012bvrg	-	RFQ	5068	Microsemi Corporation	Power MOS V®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				400 V	37a (TC)	10V	120MOHM @ 18,5A, 10V	4V @ 1MA	290 NC @ 10 V	± 30V	5400 pf @ 25 V	-	370W (TC)
2N7228	-	RFQ	4400	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 254aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				500 V	12A (TC)	10V	415MOHM @ 8A, 10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
23A025	-	RFQ	9756	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55BT				9W		55BT	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1					6 dB ~ 6,3 dB													22V	1.2A								NPN		20 @ 420mA, 5V	3,7 GHz	-
2N7225	-	RFQ	7882	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 254aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				200 V	27.4A (TC)	10V	100mohm @ 17a, 10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
MS2348	-	RFQ	9738	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Jantxv2n6798	-	RFQ	8573	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/557	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-205af Métal Peut			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-205af (to-39)	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				200 V	5.5A (TC)	10V	420mohm @ 5.5a, 10v	4V @ 250µA	42.07 NC @ 10 V	± 20V		-	800mw (TA), 25W (TC)

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