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Transistors (1315)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition Figure de Bruit (db typ @ f)
JANTX2N3811 Microsemi Corporation Jantx2n3811 -
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 ECAD 5550 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/336 En gros Obsolète -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-78-6 Metal Can 2N3811 350mw To-78-6 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60V 50m 10µA (ICBO) 2 pnp (double) 250 mV à 100 µA, 1MA 300 @ 1MA, 5V -
APTGT75DA170D1G Microsemi Corporation Aptgt75da170d1g -
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 ECAD 5980 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - Soutenir de châssis D1 520 W Standard D1 - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire Arête du Champ de Tranché 1700 V 120 A 2,4 V @ 15V, 75A 5 mA Non 6,5 nf @ 25 V
APTGV50H60BG Microsemi Corporation Aptgv50h60bg -
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 ECAD 2293 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - Soutenir de châssis SP4 176 W Standard SP4 - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Chopper de booster, Pont Complets NPT, Trench Field Stop 600 V 80 A 1,9 V @ 15V, 50A 250 µA Non 3,15 nf @ 25 V
APT1204R7KFLLG Microsemi Corporation Apt1204r7kfllg -
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 ECAD 5351 0,00000000 Microsemi Corporation Power MOS 7® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 [k] télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 1200 V 3.5a (TC) 10V 4,7 ohm @ 1,75a, 10v 5V @ 1MA 31 NC @ 10 V ± 30V 715 PF @ 25 V - 135W (TC)
JANTX2N7225U Microsemi Corporation Jantx2N7225U -
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 ECAD 4249 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PF-19500/592 En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 267ab MOSFET (Oxyde Métallique) À 267ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 200 V 27.4A (TC) 10V 105MOHM @ 27.4A, 10V 4V @ 250µA 115 NC @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
2N6764T1 Microsemi Corporation 2N6764T1 -
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 ECAD 8974 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-204ae 2N6764 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 38A (TC) 10V 65MOHM @ 38A, 10V 4V @ 250µA 125 NC @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
APT80SM120S Microsemi Corporation Apt80sm120 -
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 ECAD 4284 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sicfet (carbure de silicium) D3pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1200 V 80A (TC) 20V 55MOHM @ 40A, 20V 2,5 V @ 1MA 235 NC @ 20 V + 25V, -10V - 625W (TC)
2N6901 Microsemi Corporation 2N6901 -
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 ECAD 1597 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205af Métal Peut MOSFET (Oxyde Métallique) To-39 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 1.69A (TC) 5V 2.6OHM @ 1.07A, 5V 2v @ 1MA 1 NC @ 5 V ± 10V - 8.33W (TC)
APTGT150A170D1G Microsemi Corporation APTGT150A170D1G -
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 ECAD 8558 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Abandonné à sic - Soutenir de châssis D1 780 W Standard D1 - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Demi-pont Arête du Champ de Tranché 1700 V 280 A 2,4 V @ 15V, 150A 4 mA Non 13 nf @ 25 V
APT30N60SC6 Microsemi Corporation APT30N60SC6 -
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 ECAD 1509 0,00000000 Microsemi Corporation CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D3pak télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 30a (TC) 10V 125MOHM @ 14.5A, 10V 3,5 V @ 960µA 88 NC @ 10 V ± 20V 2267 pf @ 25 V - 219W (TC)
APT15GP60BDLG Microsemi Corporation Apt15gp60bdlg -
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 ECAD 1687 0,00000000 Microsemi Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Apt15gp60 Standard 250 W À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 400V, 15A, 5OHM, 15V Pt 600 V 56 A 65 A 2,7 V @ 15V, 15A 130 µJ (ON), 121µJ (OFF) 55 NC 8ns / 29ns
2N7225U Microsemi Corporation 2N7225U -
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 ECAD 2166 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 267ab MOSFET (Oxyde Métallique) À 267ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 200 V 27.4A (TC) 10V 100mohm @ 17a, 10v 4V @ 250µA 115 NC @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
APTM20DUM05TG Microsemi Corporation APTM20DUM05TG -
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 ECAD 9604 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP4 APTM20 MOSFET (Oxyde Métallique) 1250W SP4 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) 200 V 333a 5MOHM @ 166.5A, 10V 4V @ 8mA 1184nc @ 10v 40800pf @ 25v -
APT17N80BC3G Microsemi Corporation APT17N80BC3G -
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 ECAD 9033 0,00000000 Microsemi Corporation CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 800 V 17A (TC) 10V 290MOHM @ 11A, 10V 3,9 V @ 1MA 90 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 208W (TC)
APTGF250A60D3G Microsemi Corporation Aptgf250a60d3g -
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 ECAD 8252 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - Soutenir de châssis Module d-3 1250 W Standard D3 - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Demi-pont NPT 600 V 400 A 2,45 V @ 15V, 300A 500 µA Non 13 nf @ 25 V
62012T Microsemi Corporation 62012T -
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 ECAD 9375 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - Non applicable OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
MRF559 Microsemi Corporation MRF559 -
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 ECAD 2633 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - Support de surface Macro-x 2W Macro-x télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 000 9,5 dB 16V 150m NPN 30 @ 50mA, 10V 870 MHz -
APTJC120AM13VCT1AG Microsemi Corporation APTJC120AM13VCT1AG -
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 ECAD 1840 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - Soutenir de châssis Module Aptjc120 - - Module - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 7 - - - - - - - -
1214-150L Microsemi Corporation 1214-150L -
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 ECAD 6228 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète 200 ° C (TJ) Soutenir de châssis 55E-1 320W 55E-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 7,15 dB ~ 8,7 dB 65v 15A NPN 20 @ 1A, 5V 1,2 GHz ~ 1,4 GHz -
JAN2N7334 Microsemi Corporation Jan2N7334 -
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 ECAD 7192 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/597 En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 14-Dip (0,300 ", 7,62 mm) 2N733 MOSFET (Oxyde Métallique) 1,4 W MO-036AB télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 4 N-Canal 100V 1A 700MOHM @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 60nc @ 10v - -
JANTXV2N6764 Microsemi Corporation Jantxv2n6764 -
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 ECAD 5780 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/543 En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-204ae MOSFET (Oxyde Métallique) To-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 38A (TC) 10V 65MOHM @ 38A, 10V 4V @ 250µA 125 NC @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
APTM50DUM35TG Microsemi Corporation APTM50DUM35TG -
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 ECAD 5820 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP4 APTM50 MOSFET (Oxyde Métallique) 781w SP4 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) 500 V 99a 39MOHM @ 49.5A, 10V 5V @ 5mA 280nc @ 10v 14000pf @ 25v -
JANTXV2N6790 Microsemi Corporation Jantxv2n6790 -
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 ECAD 7839 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/555 En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205af Métal Peut MOSFET (Oxyde Métallique) To-205af (to-39) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 200 V 3.5a (TC) 10V 850mohm @ 3,5a, 10v 4V @ 250µA 14.3 NC @ 10 V ± 20V - 800mw (TC)
APTM100H80FT1G Microsemi Corporation APTM100H80FT1G -
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 ECAD 9861 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP1 APTM100 MOSFET (Oxyde Métallique) 208W SP1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 4 N-Canal (Demi-pont) 1000v (1kV) 11A 960MOHM @ 9A, 10V 5V @ 1MA 150nc @ 10v 3876pf @ 25v -
2N6790 Microsemi Corporation 2N6790 -
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 ECAD 6717 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205af Métal Peut MOSFET (Oxyde Métallique) To-39 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 Canal n 200 V 3.5a (TC) 10V 800mohm @ 2 25a, 10v 4V @ 250µA 14.3 NC @ 10 V ± 20V - 800mw (TC)
JANTX2N6802 Microsemi Corporation Jantx2n6802 -
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 ECAD 3743 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/557 En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205af Métal Peut MOSFET (Oxyde Métallique) To-205af (to-39) - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 2.5a (TC) 10V 1,6 ohm @ 2,5a, 10v 4V @ 250µA 33 NC @ 10 V ± 20V - 800mw (TA), 25W (TC)
JAN2N6796 Microsemi Corporation Jan2n6796 -
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 ECAD 9131 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/557 En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205af Métal Peut MOSFET (Oxyde Métallique) To-39 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 8A (TC) 10V 195MOHM @ 8A, 10V 4V @ 250µA 28.51 NC @ 10 V ± 20V - 800mw (TA), 25W (TC)
JAN2N6802 Microsemi Corporation Jan2N6802 -
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 ECAD 2975 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/557 En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205af Métal Peut MOSFET (Oxyde Métallique) To-39 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 2.5a (TC) 10V 1,6 ohm @ 2,5a, 10v 4V @ 250µA 33 NC @ 10 V ± 20V - 800mw (TA), 25W (TC)
JAN2N6802U Microsemi Corporation Jan2N6802U -
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 ECAD 7033 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/557 En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 18-CLCC MOSFET (Oxyde Métallique) 18-ULCC (9.14x7.49) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 2.5a (TC) 10V 1,6 ohm @ 2,5a, 10v 4V @ 250µA 33 NC @ 10 V ± 20V - 800mw (TA), 25W (TC)
JAN2N6782 Microsemi Corporation Jan2n6782 -
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 ECAD 7371 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/556 En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205af Métal Peut MOSFET (Oxyde Métallique) To-39 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 3.5a (TC) 10V 610mohm @ 3,5a, 10v 4V @ 250µA 8.1 NC @ 10 V ± 20V - 800mw (TA), 15W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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