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Transistors (1315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Taper fet	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
MS1612	-	RFQ	8743	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
58048	-	RFQ	2433	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Jan2N2857UB	-	RFQ	8543	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			200 MW	Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		21 dB											15V	40m		NPN		30 @ 3MA, 1V	-	4,5 dB à 450 MHz
2224-12LP	-	RFQ	1541	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Apt30m40b2vfrg	-	RFQ	1941	Microsemi Corporation	Power MOS V®	Tube	Obsolète		Par le trou	Variante à 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		T-MAX ™ [B2]	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	30	Canal n		300 V	76a (TC)	-	40 Mohm @ 500mA, 10V	4V @ 2,5mA	425 NC @ 10 V	-	10200 pf @ 25 V	-	-
MS1261	-	RFQ	2663	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Châssis, montage	M122			34W	M122	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		12 dB											18V	2.5a		NPN		20 @ 250mA, 5V	175 MHz	-
0910-60m	-	RFQ	7789	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55AW			180w	55AW	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1		8 dB ~ 8,5 dB											65v	8a		NPN		-	890 MHz ~ 1 GHz	-
Jantx2n5109	-	RFQ	5545	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N5109			To-39	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1															-	-	-	-	-
2N4957UB	-	RFQ	4013	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N4957		200 MW	Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1		25 dB											30V	30m		Pnp		30 @ 5mA, 10V	-	3,5 dB à 450 MHz
MS2266	-	RFQ	5663	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
45005	-	RFQ	6607	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
75086h	-	RFQ	2044	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
SD1330-05H	-	RFQ	7644	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
2N6804	-	RFQ	2635	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-204aa (to-3)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Canal p		100 V	11a (TC)	10V	360mohm @ 11a, 10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V		-	4W (TA), 75W (TC)
APTM50DAM38CTG	-	RFQ	8160	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4		MOSFET (Oxyde Métallique)		SP4	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		500 V	90a (TC)	10V	45MOHM @ 45A, 10V	5V @ 5mA	246 NC @ 10 V	± 30V	11200 pf @ 25 V	-	694W (TC)
Jantx2n2857	-	RFQ	6264	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/343	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	TO-72-3 Metal Can			200 MW	To-72	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1		12,5 dB ~ 21 dB à 450 MHz											15V	40m		NPN		30 @ 3MA, 1V	500 MHz	4,5 dB à 450 MHz
Jantx2N3960	-	RFQ	1602	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/399	En gros	Abandonné à sic	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			400 MW	À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1													12 V		10µA (ICBO)	NPN	300 mV @ 3MA, 30mA	60 @ 10mA, 1V	-
2N5092	19.0722	RFQ	7348	Microsemi Corporation	*	En gros	Actif				2N5092				-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1
Jantxv2n6249	-	RFQ	4883	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/510	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-3	2N6249		6 W	To-3 (to-204aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	100													200 V	10 a	1 mA	NPN	1,5 V @ 1A, 10A	10 @ 10a, 3v	-
Jan2n3960	-	RFQ	2969	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/399	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N3960		400 MW	À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	100													12 V		10µA (ICBO)	NPN	300 mV @ 3MA, 30mA	60 @ 10mA, 1V	-
MS3455	-	RFQ	6590	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Tan15	-	RFQ	2851	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55LT			175W	55LT	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1		7 dB ~ 8db											50v	2A		NPN		-	960 MHz ~ 1 215 GHz	-
2N7224	-	RFQ	8767	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 254aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		100 V	34A (TC)	10V	70MOHM @ 21A, 10V	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
2301	-	RFQ	2668	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55BT			5.6W	55BT	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		8 dB											45v	300mA		NPN		10 @ 100mA, 5V	2,3 GHz	-
46015	-	RFQ	5120	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MDS800	-	RFQ	4655	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55E-1			1458W	55E-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1		8,6 dB											65v	60A		NPN		20 @ 1A, 5V	1,09 GHz	-
MRF5812R1	-	RFQ	2805	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			1.25W	8-so	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	2 500		13db ~ 15,5 dB											15V	200m		NPN		50 @ 50mA, 5V	5 GHz	2DB ~ 3DB @ 500 MHz
MSC1175MA	-	RFQ	6446	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	250 ° C	Soutenir de châssis	M218			400W	M218	-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		8 dB											65v	12A		NPN		15 @ 1A, 5V	1 025 GHz ~ 1,15 GHz	-
1035MP	-	RFQ	2263	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55fw-1			125W	55fw-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1		10 dB ~ 10,5 dB											65v	2.5a		NPN		20 @ 100mA, 5V	1 025 GHz ~ 1,15 GHz	-
UTV005	-	RFQ	6852	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Châssis, montage	55 PIEDS			8W	55 PIEDS	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1		11db											24V	750mA		NPN		20 @ 100mA, 5V	470 MHz ~ 860 MHz	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (1315)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

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