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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | Jantx2n6764 | - | ![]() | 4330 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/543 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-204ae | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 38A (TC) | 10V | 65MOHM @ 38A, 10V | 4V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | APT38N60SC6 | - | ![]() | 3063 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | CoolMos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Apt38n60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D3pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 38A (TC) | 10V | 99MOHM @ 18A, 10V | 3,5 V @ 1,2MA | 112 NC @ 10 V | ± 20V | 2826 pf @ 25 V | - | 278W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Aptm50skm35tg | - | ![]() | 1645 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SP4 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 99a (TC) | 10V | 39MOHM @ 49.5A, 10V | 5V @ 5mA | 280 NC @ 10 V | ± 30V | 14000 pf @ 25 V | - | 781W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N6764 | - | ![]() | 8585 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/543 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-204ae | MOSFET (Oxyde Métallique) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 38A (TC) | 10V | 65MOHM @ 38A, 10V | 4V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n6250t1 | - | ![]() | 7701 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/510 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | À 254-3, à 254aa (Tête Droite) | 2N6250 | 6 W | À 254aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 275 V | 10 a | 1 mA | NPN | 1,5 V @ 1,25A, 10A | 8 @ 10a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF4427G | - | ![]() | 6511 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | 1,5 w | 8-so | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 500 | 20 dB | 20V | 400mA | NPN | 10 @ 10mA, 5V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2206 | - | ![]() | 6584 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | M115 | 7,5 W | M115 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 10 dB | 20V | 1A | NPN | 20 @ 100mA, 5V | 1 025 GHz ~ 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCS1200 | - | ![]() | 4002 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 55TU-1 | 2095W | 55TU-1 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 10.2 DBD | 65v | 60A | NPN | 20 @ 1A, 5V | 1,03 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2001 | - | ![]() | 5116 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Soutenir de châssis | 55BT | 5W | 55BT | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 9,5 dB | 50v | 250mA | NPN | 20 @ 100mA, 5V | 2 GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1214-55 | - | ![]() | 9413 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 55AW | 175W | 55AW | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7 dB | 50v | 8a | NPN | 20 @ 1A, 5V | 1,2 GHz ~ 1,4 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2248 | - | ![]() | 1656 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5812M | - | ![]() | 2943 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 63004 | - | ![]() | 3800 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Non applicable | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC1090M | - | ![]() | 8102 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C | Soutenir de châssis | M220 | 220w | M220 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8,4 dB | 65v | 5.52A | - | 15 @ 500mA, 5V | 1 025 GHz ~ 1,15 GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2584 | - | ![]() | 1375 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDS500L | - | ![]() | 8520 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 55 | 833W | 55 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 9.2db | 70V | 24a | NPN | 20 @ 1A, 5V | 1,03 GHz ~ 1,09 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
Jan2N5015S | - | ![]() | 1100 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/727 | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-205ad, to-39-3 Métal peut | 1 W | To-39 (to-205ad) | - | Rohs non conforme | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 1000 V | 200 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 30 @ 20mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aptgf50h120tg | - | ![]() | 7959 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Soutenir de châssis | SP4 | 312 W | Standard | SP4 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ONDULEUR DE PONT ACHET | NPT | 1200 V | 75 A | 3,7 V @ 15V, 50A | 250 µA | Oui | 3,45 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N1016B | - | ![]() | 2360 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 2N1016 | 150 W | To-82 | télécharger | Rohs non conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 7.5 A | 1 mA | NPN | 2,5 V @ 1A, 5A | 20 @ 2A, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2901 | - | ![]() | 4194 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n6762 | - | ![]() | 3038 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PF-19500/542 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-204aa, to-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-204aa (to-3) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 4.5a (TC) | 10V | 1,8 ohm @ 4,5a, 10v | 4V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TCS800 | - | ![]() | 3058 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 230 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 55 MSM | 1944W | 55 MSM | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8 dB ~ 9db | 65v | 50A | NPN | 20 @ 5A, 5V | 1,03 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2421 | - | ![]() | 9507 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | M103 | 875W | M103 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 6,3 dB | 65v | 22a | NPN | 10 @ 500mA, 5V | 1 025 GHz ~ 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | VRF191MP | - | ![]() | 4540 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tube | Obsolète | - | - | - | - | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS1019 | - | ![]() | 6146 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100DUM90G | - | ![]() | 4534 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP6 | APTM100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1250W | SP6 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canaux N (double) | 1000v (1kV) | 78a | 105MOHM @ 39A, 10V | 5V @ 10mA | 744nc @ 10v | 20700pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N6766 | - | ![]() | 9384 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/543 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-204ae | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 200 V | 30a (TC) | 10V | 90MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5013 | - | ![]() | 4009 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-205aa, to-5-3 Métal Peut | 1 W | To-5 | - | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 V | 200 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 30 @ 20mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMIL3B | - | ![]() | 7655 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 150 ° C | Soutien | 55 PIEDS | 11W | 55 PIEDS | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 13db | 30V | 700mA | - | 10 @ 100A, 5V | 225 MHz ~ 400 MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
Jan2n2857 | - | ![]() | 9922 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/343 | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | TO-72-3 Metal Can | 200 MW | To-72 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 12,5 dB ~ 21 dB à 450 MHz | 15V | 40m | NPN | 30 @ 3MA, 1V | 500 MHz | 4,5 dB à 450 MHz |
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