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Transistors (1315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
APTM10DDAM19T3G	-	RFQ	8819	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	APTM10		MOSFET (Oxyde Métallique)	208W		SP3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)						100V	70a		21MOHM @ 35A, 10V	4V @ 1MA	200nc @ 10v		5100pf @ 25v	-
2N3251A	-	RFQ	2699	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3251			360 MW		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1																			60 V	200 mA			10µA (ICBO)			Pnp	500 mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	-
MS1512	-	RFQ	9928	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Châssis, montage	M122				19.4W		M122	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1						10 dB													25V	1.2A						NPN		-	860 MHz	-
2N4957	-	RFQ	5401	Microsemi Corporation	-	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	TO-72-3 Metal Can				200 MW		To-72	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1						25 dB													30V	30m						Pnp		30 @ 5mA, 10V	-	3,5 dB à 450 MHz
Jantxv2n6849u	-	RFQ	7845	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/564	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	18-CLCC			MOSFET (Oxyde Métallique)			18-ULCC (9.14x7.49)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal p					100 V	6.5a (TC)	10V	320 MOHM @ 6.5A, 10V	4V @ 250µA	34,8 NC @ 10 V	± 20V		-	800mw (TA), 25W (TC)
2N6766T1	-	RFQ	6881	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 254aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					200 V	30a (TC)	10V	90MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
Stn116	-	RFQ	6342	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète											-	Rohs non conforme	Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MS1406	-	RFQ	2593	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Châssis, montage	M135				30W		M135	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1						8,2 dB													35V	3A						NPN		10 @ 200mA, 5V	175 MHz	-
66112	-	RFQ	5062	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
2N5179	-	RFQ	1535	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-	Par le trou	To-206af, to-72-4 Metal Can				300mw		To-72	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	1						20 dB													12V	50m						NPN		25 @ 3MA, 1V	200 MHz	4,5 dB à 200 MHz
61046	-	RFQ	1705	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Jantx2n6802u	-	RFQ	1113	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/557	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	18-CLCC			MOSFET (Oxyde Métallique)			18-ULCC (9.14x7.49)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					500 V	2.5a (TC)	10V	1,6 ohm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V		-	800mw (TA), 25W (TC)
2N6784U	-	RFQ	9081	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	18-CLCC			MOSFET (Oxyde Métallique)			18-ULCC (9.14x7.49)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					200 V	2.25A (TC)	10V	1,5 ohm @ 1,5a, 0v	4V @ 250µA	8,6 NC @ 10 V	± 20V		-	800mw (TA), 15W (TC)
UTV010	-	RFQ	4219	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Châssis, montage	55 PIEDS				15W		55 PIEDS	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1						11,5 dB													24V	1.25a						NPN		15 @ 200mA, 5V	470 MHz ~ 860 MHz	-
Apt40m70lvfrg	-	RFQ	5180	Microsemi Corporation	Power MOS V®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 [l]	-		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					400 V	57a (TC)	10V	70MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 2,5mA	495 NC @ 10 V	± 30V	8890 pf @ 25 V	-	520W (TC)
MDS150	-	RFQ	6724	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55AW				350W		55AW	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1						10 dB													60V	4A						NPN		20 @ 500mA, 5V	1,03 GHz ~ 1,09 GHz	-
1015MP	-	RFQ	3548	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55FW				50W		55FW	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1						10 dB ~ 11 dB													65v	1A						NPN		20 @ 100mA, 5V	1 025 GHz ~ 1,15 GHz	-
Jantxv2n7236u	-	RFQ	2197	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/595	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 267ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 267ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal p					100 V	18A (TC)	10V	220mohm @ 18a, 10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 20V		-	4W (TA), 125W (TC)
Apt50n60jcu2	-	RFQ	6826	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc			MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					600 V	52A (TC)	10V	45MOHM @ 22,5A, 10V	3,9 V @ 3MA	150 NC @ 10 V	± 20V	7200 pf @ 25 V	-	290W (TC)
2N6788U	-	RFQ	1196	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	18-CLCC			MOSFET (Oxyde Métallique)			18-ULCC (9.14x7.49)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1		Canal n					100 V	4.5a (TC)	10V	300 mOhm @ 3,5a, 10v	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V		-	800mw (TC)
ARF521	-	RFQ	6682	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	500 V			M174		81 MHz	Mosfet			M174	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	Canal n		10A	50 mA	150W	15 dB											-					125 V
APTGF25DDA120T3G	-	RFQ	4581	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-	Soutenir de châssis	SP3				208 W	Standard	SP3	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Double Chopper Boost																	NPT	1200 V	40 A	3,7 V @ 15V, 25A		250 µA	Oui	1,65 nf @ 25 V
Jantxv2n6249t1	-	RFQ	2317	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/510	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)	2N6249			6 W		À 254aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1																			200 V	10 a			1 mA			NPN	1,5 V @ 1A, 10A	10 @ 10a, 3v	-
MC1331	-	RFQ	1918	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
2N2857	-	RFQ	9284	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206af, to-72-4 Metal Can				200 MW		To-72	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1						12,5 dB ~ 21 dB à 450 MHz													15V	40m						NPN		30 @ 3MA, 1V	500 MHz	4,5 dB à 450 MHz
APTM50DHM65T3G	-	RFQ	9594	Microsemi Corporation	Power MOS 8 ™	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	APTM50		MOSFET (Oxyde Métallique)	390W		SP3	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	2 canal n (double) asymétrique						500 V	51a		78MOHM @ 42A, 10V	5V @ 2,5mA	340nc @ 10v		10800pf @ 25v	-
SD1224-02	-	RFQ	6463	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M113	SD122			60W		M113	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1						7,6 dB													35V	5A						NPN		20 @ 500mA, 5V	175 MHz	-
Jan2n1016d	-	RFQ	2325	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/102	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)			2N1016			150 W		To-82	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1																			200 V	7.5 A			1 mA			NPN	2,5 V @ 1A, 5A	6 @ 7,5a, 4v	-
Apt35sm70b	-	RFQ	9262	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			Sicfet (carbure de silicium)			À 247-3	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					700 V	35A (TC)	20V	145MOHM @ 10A, 20V	2,5 V @ 1MA	67 NC @ 20 V	+ 25V, -10V	1035 PF @ 700 V	-	176W (TC)
MRF8372MR1	-	RFQ	6714	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1

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