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Transistors (1315)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition Figure de Bruit (db typ @ f)
APTGT100A120D1G Microsemi Corporation APTGT100A120D1G -
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 ECAD 6919 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - Soutenir de châssis D1 520 W Standard D1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Demi-pont Arête du Champ de Tranché 1200 V 150 a 2.1V @ 15V, 100A 3 mA Non 7 nf @ 25 V
APTGT35H120T1G Microsemi Corporation Aptgt35h120t1g -
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 ECAD 4218 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP1 208 W Standard SP1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 ONDULEUR DE PONT ACHET Arête du Champ de Tranché 1200 V 55 A 2.1V @ 15V, 35A 250 µA Oui 2,5 nf @ 25 V
APTGF50TL60T3G Microsemi Corporation Aptgf50tl60t3g -
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 ECAD 5286 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP3 250 W Standard SP3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Onduleur à trois niveaux NPT 600 V 65 A 2 45 V @ 15V, 50A 250 µA Oui 2,2 nf @ 25 V
APTGF90SK60D1G Microsemi Corporation Aptgf90sk60d1g -
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 ECAD 2461 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Abandonné à sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis D1 445 W Standard D1 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire NPT 600 V 130 A 2 45 V @ 15V, 100A 500 µA Non 4.3 NF @ 25 V
APTGF50SK120TG Microsemi Corporation Aptgf50sk120tg -
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 ECAD 9136 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Abandonné à sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP4 312 W Standard SP4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire NPT 1200 V 75 A 3,7 V @ 15V, 50A 250 µA Oui 3,45 nf @ 25 V
APT24F50S Microsemi Corporation Apt24f50 -
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 ECAD 8394 0,00000000 Microsemi Corporation Power MOS 8 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Apt24f50 MOSFET (Oxyde Métallique) D3pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 24a (TC) 10V 240mohm @ 11a, 10v 5V @ 1MA 90 NC @ 10 V ± 30V 3630 pf @ 25 V - 335W (TC)
APTGF50A120TG Microsemi Corporation Aptgf50a120tg -
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 ECAD 5735 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Abandonné à sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP4 312 W Standard SP4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Demi-pont NPT 1200 V 75 A 3,7 V @ 15V, 50A 250 µA Oui 3,45 nf @ 25 V
60189 Microsemi Corporation 60189 -
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 ECAD 1269 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - Non applicable OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
SD8268-21H Microsemi Corporation SD8268-21H -
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 ECAD 4953 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
2N5093 Microsemi Corporation 2N5093 -
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 ECAD 6197 0,00000000 Microsemi Corporation * En gros Actif 2N5093 - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
MS1015 Microsemi Corporation MS1015 -
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 ECAD 4694 0,00000000 Microsemi Corporation * En gros Obsolète - 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
APTM50DSKM65T3G Microsemi Corporation Aptm50dskm65t3g -
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 ECAD 3508 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP3 APTM50 MOSFET (Oxyde Métallique) 390W SP3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) 500 V 51a 78MOHM @ 25,5A, 10V 5V @ 2,5mA 140nc @ 10v 7000pf @ 25v -
APTM10TDUM19PG Microsemi Corporation APTM10TDUM19PG -
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 ECAD 9406 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP6 APTM10 MOSFET (Oxyde Métallique) 208W SP6-P télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 6 Canaux N (phases Pont 3) 100V 70a 21MOHM @ 35A, 10V 4V @ 1MA 200nc @ 10v 5100pf @ 25v -
APTM100DA18CT1G Microsemi Corporation APTM100DA18CT1G -
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 ECAD 2360 0,00000000 Microsemi Corporation Power MOS 8 ™ En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP1 MOSFET (Oxyde Métallique) SP1 - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1000 V 40A (TC) 10V 216MOHM @ 33A, 10V 5V @ 2,5mA 570 NC @ 10 V ± 30V 14800 pf @ 25 V - 657W (TC)
APT1002RBNG Microsemi Corporation APT1002RBNG -
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 ECAD 6456 0,00000000 Microsemi Corporation Power MOS IV® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1000 V 8A (TC) 10V 1,6 ohm @ 4a, 10v 4V @ 1MA 105 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 240W (TC)
MSC1350M Microsemi Corporation MSC1350M -
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 ECAD 6677 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète 200 ° C (TJ) Soutenir de châssis M218 720w M218 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 7 dB ~ 7,1 dB 65v 19.8a NPN 15 @ 1A, 5V 1 025 GHz ~ 1,15 GHz -
JANTXV2N3811 Microsemi Corporation Jantxv2n3811 -
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 ECAD 2825 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/336 En gros Obsolète -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) À Travers Le Trou To-78-6 Metal Can 2N3811 350mw To-78-6 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60V 50m 10µA (ICBO) 2 pnp (double) 250 mV à 100 µA, 1MA 300 @ 1MA, 5V -
MS2392 Microsemi Corporation MS2392 -
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 ECAD 1173 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
UTV020 Microsemi Corporation UTV020 -
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 ECAD 5601 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète 200 ° C (TJ) Châssis, montage 55 PIEDS 17W 55 PIEDS télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 12 dB 25V 1.2A NPN 10 @ 250mA, 5V 470 MHz ~ 860 MHz -
MSC090SMA120B Microsemi Corporation MSC090SMA120B -
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 ECAD 4752 0,00000000 Microsemi Corporation * En gros Actif MSC090 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1
2N7224U Microsemi Corporation 2N7224U -
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 ECAD 6882 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 267ab MOSFET (Oxyde Métallique) À 267ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 34A (TC) 10V 81MOHM @ 34A, 10V 4V @ 250µA 125 NC @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
JANTXV2N5012 Microsemi Corporation Jantxv2n5012 -
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 ECAD 7344 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/727 En gros Obsolète -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) À Travers Le Trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 1 W To-5 - Rohs non conforme Non applicable EAR99 8541.29.0095 1 700 V 200 mA 10NA (ICBO) NPN 30 @ 25mA, 10V -
MS1337 Microsemi Corporation MS1337 -
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 ECAD 9197 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète 200 ° C (TJ) Soutenir de châssis M113 70W M113 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté OBSOLÈTE 0000.00.0000 1 10 dB 18V 8a NPN 20 @ 250mA, 5V 175 MHz -
JANTXV2N3251AUB Microsemi Corporation Jantxv2n3251aub -
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 ECAD 7093 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PF-19500/323 En gros Obsolète -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 2N3251 360 MW Ub télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60 V 200 mA 10µA (ICBO) Pnp 500 mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V -
APTM20DHM16T3G Microsemi Corporation APTM20DHM16T3G -
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 ECAD 1995 0,00000000 Microsemi Corporation Power MOS 7® En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP3 APTM20 MOSFET (Oxyde Métallique) 390W SP3 - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 canal n (double) asymétrique 200 V 104A 19MOHM @ 52A, 10V 5V @ 2,5mA 140nc @ 10v 7220pf @ 25v -
APT58M50JCU3 Microsemi Corporation Apt58m50jcu3 -
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 ECAD 6986 0,00000000 Microsemi Corporation Power MOS 8 ™ En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227 - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 58A (TC) 10V 65MOHM @ 42A, 10V 5V @ 2,5mA 340 NC @ 10 V ± 30V 10800 pf @ 25 V - 543W (TC)
1004MA Microsemi Corporation 1004mA -
RFQ
 ECAD 7424 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
TAN75A Microsemi Corporation Tan75a -
RFQ
 ECAD 7953 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète 200 ° C (TJ) Soutenir de châssis 55az 290W 55az - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 8 dB ~ 8,5 dB 50v 9A NPN 10 @ 15mA, 5V 960 MHz ~ 1 215 GHz -
JANS2N2221AUBC Microsemi Corporation Jans2n2221aubc 130.9606
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 ECAD 1829 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/255 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 2N2221 500 MW 3 md télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 mA 50na NPN 1V @ 50mA, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
SD1013-20H Microsemi Corporation SD1013-20H -
RFQ
 ECAD 4733 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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