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Transistors (1315)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition Figure de Bruit (db typ @ f)
JAN2N5012 Microsemi Corporation Jan2N5012 -
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 ECAD 8177 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/727 En gros Obsolète -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 1 W To-5 - Rohs non conforme Non applicable EAR99 8541.29.0095 1 700 V 200 mA 10NA (ICBO) NPN 30 @ 25mA, 10V -
MDS1100 Microsemi Corporation Mds1100 -
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 ECAD 1004 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète 200 ° C (TJ) Support de surface 55TU-1 8750W 55TU-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 8,9 dB 65v 100A NPN 20 @ 5A, 5V 1,03 GHz -
2N6800 Microsemi Corporation 2N6800 -
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 ECAD 7454 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205af Métal Peut MOSFET (Oxyde Métallique) To-39 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 400 V 3A (TC) 10V 1OHM @ 2A, 10V 4V @ 250µA 5,75 NC @ 10 V ± 20V - 800mw (TA), 25W (TC)
MS1001 Microsemi Corporation MS1001 -
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 ECAD 5447 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète 200 ° C (TJ) Soutenir de châssis M174 270W M174 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 13db 18V 20A NPN 20 @ 5A, 5V 30 MHz -
APTM50DUM25TG Microsemi Corporation APTM50DUM25TG -
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 ECAD 4632 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Abandonné à sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP4 APTM50 MOSFET (Oxyde Métallique) 1250W SP4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) 500 V 149a 25MOHM @ 74.5A, 10V 4V @ 8mA 1200nc @ 10v 29600pf @ 25v -
JANTX2N2221A Microsemi Corporation Jantx2n2221a 8.3790
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 ECAD 6756 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/255 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2N2221 500 MW À 18 (à 206aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 mA 50na NPN 1V @ 50mA, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
MRF4427GR1 Microsemi Corporation MRF4427GR1 -
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 ECAD 1334 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) 1,5 w 8-so - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 2 500 20 dB 20V 400mA NPN 10 @ 10mA, 5V - -
JAN2N6250T1 Microsemi Corporation Jan2N6250T1 -
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 ECAD 8576 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/510 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou À 254-3, à 254aa (Tête Droite) 2N6250 6 W À 254aa télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 275 V 10 a 1 mA NPN 1,5 V @ 1,25A, 10A 8 @ 10a, 3v -
JANTXV2N5014 Microsemi Corporation Jantxv2n5014 -
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 ECAD 4978 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/727 En gros Obsolète -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 1 W To-5 - Rohs non conforme Non applicable EAR99 8541.29.0095 1 900 V 200 mA 10NA (ICBO) NPN 30 @ 20mA, 10V -
JAN2N5015 Microsemi Corporation Jan2N5015 -
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 ECAD 2638 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/727 En gros Obsolète -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 1 W To-5 - Rohs non conforme Non applicable EAR99 8541.29.0095 1 1000 V 200 mA 10NA (ICBO) NPN 30 @ 20mA, 10V -
MSC1015M Microsemi Corporation MSC1015M -
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 ECAD 3681 0,00000000 Microsemi Corporation * En gros Obsolète - 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
APT15F50K Microsemi Corporation APT15F50K -
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 ECAD 2463 0,00000000 Microsemi Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 [k] télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 15A (TC) 390MOHM @ 7A, 10V 5V @ 500µA 55 NC @ 10 V 2250 pf @ 25 V - 223W (TC)
JANTXV2N6249T1 Microsemi Corporation Jantxv2n6249t1 -
RFQ
 ECAD 2317 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/510 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou À 254-3, à 254aa (Tête Droite) 2N6249 6 W À 254aa télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 200 V 10 a 1 mA NPN 1,5 V @ 1A, 10A 10 @ 10a, 3v -
2224-6P Microsemi Corporation 2224-6P -
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 ECAD 2340 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
JANTXV2N3811L Microsemi Corporation Jantxv2n3811l -
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 ECAD 2729 0,00000000 Microsemi Corporation MILIRE, MIL-PRF-19500/336 En gros Obsolète -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-78-6 Metal Can 2N3811 350mw To-78-6 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 60V 50m 10µA (ICBO) 2 pnp (double) 250 mV à 100 µA, 1MA 300 @ 1MA, 5V -
APT8075BN Microsemi Corporation APT8075BN -
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 ECAD 6466 0,00000000 Microsemi Corporation Power MOS IV® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 800 V 13A (TC) 10V 750MOHM @ 6.5A, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ± 30V 2950 pf @ 25 V - 310W (TC)
JANTXV2N4957UB Microsemi Corporation Jantxv2n4957ub -
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 ECAD 4318 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Abandonné à sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 200 MW Ub télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 25 dB 30V 30m Pnp 30 @ 5mA, 10V - 3,5 dB à 450 MHz
TPR400 Microsemi Corporation TPR400 -
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 ECAD 7688 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète 200 ° C (TJ) Soutenir de châssis 55cx 875W 55cx télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 7,27 dB 55V 30A NPN 10 @ 2,5a, 5v 1,03 GHz ~ 1,09 GHz -
MS2472 Microsemi Corporation MS2472 -
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 ECAD 4268 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète 200 ° C (TJ) Soutenir de châssis M112 1350W M112 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 5,6 dB 65v 40a NPN 5 @ 250mA, 5V 1 025 GHz ~ 1,15 GHz -
2N6251T1 Microsemi Corporation 2N6251T1 -
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 ECAD 4147 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou À 254-3, à 254aa 2N6251 6 W À 254aa télécharger Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 350 V 10 a 1 mA NPN 1,5 V @ 1,67A, 10A 6 @ 10a, 3v -
DME500 Microsemi Corporation DME500 -
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 ECAD 9257 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète 200 ° C (TJ) Soutenir de châssis 55kt 1700w 55kt télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 6 dB ~ 6,5 dB 55V 40a NPN 10 @ 500mA, 5V 1 025 GHz ~ 1,15 GHz -
2124-12L Microsemi Corporation 2124-12L -
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 ECAD 3970 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète 200 ° C (TJ) Soutenir de châssis 55AW 44W 55AW télécharger 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 1 7,5 dB 45v 3A NPN 15 @ 1A, 5V - -
MS1030 Microsemi Corporation MS1030 -
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 ECAD 4963 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
APTGT20H60T3G Microsemi Corporation Aptgt20h60t3g -
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 ECAD 8285 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP3 62 W Standard SP3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 ONDULEUR DE PONT ACHET Arête du Champ de Tranché 600 V 32 A 1,9 V @ 15V, 20A 250 µA Oui 1.1 NF @ 25 V
80277H Microsemi Corporation 80277h -
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 ECAD 1979 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
APTM120DA15G Microsemi Corporation APTM120DA15G -
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 ECAD 7618 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP6 MOSFET (Oxyde Métallique) SP6 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1200 V 60a (TC) 10V 175MOHM @ 30A, 10V 5V @ 10mA 748 NC @ 10 V ± 30V 20600 PF @ 25 V - 1250W (TC)
APT31N80JC3 Microsemi Corporation Apt31n80jc3 -
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 ECAD 3316 0,00000000 Microsemi Corporation CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc MOSFET (Oxyde Métallique) Isotop® télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 800 V 31A (TC) 10V 145MOHM @ 22A, 10V 3,9 V @ 2MA 355 NC @ 10 V ± 20V 4510 PF @ 25 V - 833W (TC)
APTGF250DA60D3G Microsemi Corporation Aptgf250da60d3g -
RFQ
 ECAD 4520 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - Soutenir de châssis Module d-3 1250 W Standard D3 - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire NPT 600 V 400 A 2,45 V @ 15V, 300A 500 µA Non 13 nf @ 25 V
APTC80DDA29T3G Microsemi Corporation APTC80DDA29T3G -
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 ECAD 2160 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP3 Aptc80 MOSFET (Oxyde Métallique) 156W SP3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) 800 V 15A 290MOHM @ 7.5A, 10V 3,9 V @ 1MA 90nc @ 10v 2254pf @ 25v -
60099H Microsemi Corporation 60099h -
RFQ
 ECAD 9927 0,00000000 Microsemi Corporation - En gros Obsolète - Non applicable OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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