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Transistors (1315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
Jan2N2221AUA	15.4945	RFQ	5422	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2221				650 MW		Ua	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1																				50 V	800 mA							50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
APTM100DDA35T3G	-	RFQ	8780	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	APTM100			MOSFET (Oxyde Métallique)	390W		SP3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)							1000v (1kV)	22a		420mohm @ 11a, 10v	5V @ 2,5mA	186nc @ 10v		5200pf @ 25v	-
MS2210A	-	RFQ	4140	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète												-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
APT7F80K	-	RFQ	7719	Microsemi Corporation	Power MOS 8 ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220 [k]	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						800 V	7a (TC)	10V	1,5 ohm @ 4a, 10v	5V @ 500µA	43 NC @ 10 V	± 30V	1335 pf @ 25 V	-	225W (TC)
Jantxv2n7225	-	RFQ	1483	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PF-19500/592	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)				MOSFET (Oxyde Métallique)			À 254aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						200 V	27.4A (TC)	10V	105MOHM @ 27.4A, 10V	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
Jansr2n7389u	-	RFQ	9424	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/630	Plateau	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	18-CLCC				MOSFET (Oxyde Métallique)			18-ULCC (9.14x7.49)	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1		Canal p						100 V	6.5a (TC)	12V	350mohm @ 6,5a, 12v	4V @ 1MA	45 NC @ 12 V	± 20V		-	25W (TC)
BFR92ALT1	-	RFQ	3762	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3					273MW		SOT-23	-		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0075	1							-													15V	25m										-		40 @ 14mA, 10V	4,5 GHz	3 dB à 500 MHz
SD1309-01H	-	RFQ	5726	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète												-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Aptgf50tdu120pg	-	RFQ	7403	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-	Soutenir de châssis	SP6					312 W	Standard	SP6-P	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Triple, Double - Source Commun																		NPT	1200 V	75 A		3,7 V @ 15V, 50A					250 µA	Non	3,45 nf @ 25 V
Jantxv2n2857	-	RFQ	9174	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/343	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	TO-72-3 Metal Can					200 MW		To-72	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1							12,5 dB ~ 21 dB à 450 MHz													15V	40m										NPN		30 @ 3MA, 1V	500 MHz	4,5 dB à 450 MHz
MS1004	-	RFQ	7883	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M177					330W		M177	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1							14,5 dB													55V	40a										NPN		15 @ 10a, 6v	30 MHz	-
Jantx2n5015	-	RFQ	9950	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/727	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					1 W		To-5	-	Rohs non conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1																				1000 V	200 mA							10NA (ICBO)			NPN		30 @ 20mA, 10V	-
MS2552	-	RFQ	5724	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		250 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	2nlfl					880W		2nlfl	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1							6,7 dB													65v	24a										NPN		15 @ 1A, 5V	1 025 GHz ~ 1,15 GHz	-
1214-110m	-	RFQ	4536	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55kt					270W		55kt	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1							7,4 dB													75V	8a										NPN		-	1,2 GHz ~ 1,4 GHz	-
2N6800	-	RFQ	7454	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-205af Métal Peut				MOSFET (Oxyde Métallique)			To-39	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						400 V	3A (TC)	10V	1OHM @ 2A, 10V	4V @ 250µA	5,75 NC @ 10 V	± 20V		-	800mw (TA), 25W (TC)
Aptc90dsk12t1g	-	RFQ	3907	Microsemi Corporation	CoolMos ™	Plateau	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	Aptc90			MOSFET (Oxyde Métallique)	250W		SP1	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (hachoir à double masse)							900 V	30A		120 mohm @ 26a, 10v	3,5 V @ 3MA	270nc @ 10v		6800pf @ 100v	Super jonction
2N6798	-	RFQ	6311	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-205af Métal Peut				MOSFET (Oxyde Métallique)			To-39	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						200 V	5.5A (TC)	10V	400MOHM @ 3,5A, 10V	4V @ 250µA	5.29 NC @ 10 V	± 20V		-	800mw (TA), 25W (TC)
Jantxv2n5012s	-	RFQ	6078	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/727	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1																				700 V	200 mA							10NA (ICBO)			NPN		30 @ 25mA, 10V	-
Apt40gp60sg	-	RFQ	1746	Microsemi Corporation	Power MOS 7®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Apt40gp60	Standard			543 W		D3 [s]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1				400V, 40A, 5OHM, 15V															Pt	600 V	100 A	160 A	2,7 V @ 15V, 40A	385µJ (ON), 352µJ (OFF)	135 NC	20ns / 64ns
Apt97n65lc6	-	RFQ	1228	Microsemi Corporation	CoolMos ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Apt97n65			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 [l]	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						650 V	97a (TC)	10V	41MOHM @ 48,5A, 10V	3,5 V @ 2,96mA	300 NC @ 10 V	± 20V	7650 pf @ 25 V	-	862W (TC)
APTGV15H120T3G	-	RFQ	4579	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3					115 W	Standard	SP3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	ONDULEUR DE PONT ACHET																		NPT, Trench Field Stop	1200 V	25 A		2.1V @ 15V, 15A					250 µA	Oui	1.1 NF @ 25 V
Jantxv2n3251a	-	RFQ	1862	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PF-19500/323	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3251				360 MW		To-39 (to-205ad)	-		Non applicable		EAR99	8541.21.0095	1																				60 V	200 mA							10µA (ICBO)			Pnp	500 mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	-
DME500	-	RFQ	9257	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55kt					1700w		55kt	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1							6 dB ~ 6,5 dB													55V	40a										NPN		10 @ 500mA, 5V	1 025 GHz ~ 1,15 GHz	-
VRF191	-	RFQ	1108	Microsemi Corporation	-	Tube	Obsolète	270 V			T11			30 MHz	Mosfet			T11	télécharger		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	Canal n		12A		250 mA	150W	22 dB											-									100 V
MS2254	-	RFQ	9136	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète												-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MS2874	-	RFQ	3320	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète												-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MRF904	-	RFQ	9081	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206af, to-72-4 Metal Can					200 MW		To-72	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1							6,5 dB ~ 10,5 dB													15V	30m										NPN		30 @ 5mA, 5V	4 GHz	1,5 dB à 450 MHz
Jantxv2n2221al	10.7464	RFQ	7867	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N2221				500 MW		À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1																				50 V	800 mA							50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
75112	-	RFQ	3729	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète												-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MS1015E	-	RFQ	3022	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète												-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1

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