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Transistors (1315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
Jantx2n2944a	-	RFQ	4202	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/382	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206ab, to-46-3 Métal peut				400 MW		To-46 (to-206ab)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1																			10 V	100 mA			10µA (ICBO)			Pnp	-	100 @ 1MA, 500 MV	-
APTM120SK68T1G	-	RFQ	7952	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1			MOSFET (Oxyde Métallique)			SP1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					1200 V	15A (TC)	10V	816MOHM @ 12A, 10V	5V @ 2,5mA	260 NC @ 10 V	± 30V	6696 PF @ 25 V	-	357W (TC)
A4815H	-	RFQ	4336	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Jan2N5012	-	RFQ	8177	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/727	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				1 W		To-5	-	Rohs non conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1																			700 V	200 mA			10NA (ICBO)			NPN		30 @ 25mA, 10V	-
Jantxv2n5014	-	RFQ	4978	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/727	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				1 W		To-5	-	Rohs non conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1																			900 V	200 mA			10NA (ICBO)			NPN		30 @ 20mA, 10V	-
Apt34f60bg	-	RFQ	9484	Microsemi Corporation	Power MOS 8 ™	Tube	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247-3	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n					600 V	34A (TC)	10V	210MOHM @ 17A, 10V	5V @ 1MA	165 NC @ 10 V	± 30V	6640 pf @ 25 V	-	624W (TC)
2N3866	-	RFQ	4175	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1																			30 V	400 mA			20 µA			NPN	1V @ 10mA, 100mA	15 @ 50mA, 5V	-
Aptgt50dsk120t3g	-	RFQ	8065	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3				270 W	Standard	SP3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Hopper à double mâle																	Arête du Champ de Tranché	1200 V	75 A	2.1V @ 15V, 50A		250 µA	Oui	3,6 nf @ 25 V
APTC90DDA12T1G	-	RFQ	2767	Microsemi Corporation	CoolMos ™	Plateau	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	Aptc90		MOSFET (Oxyde Métallique)	250W		SP1	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (hachoir à double masse)						900 V	30A		120 mohm @ 26a, 10v	3,5 V @ 3MA	270nc @ 10v		6800pf @ 100v	Super jonction
MS2321	-	RFQ	9490	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M105				87,5W		M105	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1						10 dB													65v	1.5a						NPN		-	1 025 GHz ~ 1,15 GHz	-
UTV020	-	RFQ	5601	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Châssis, montage	55 PIEDS				17W		55 PIEDS	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1						12 dB													25V	1.2A						NPN		10 @ 250mA, 5V	470 MHz ~ 860 MHz	-
1090MP	-	RFQ	8052	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55fw-1				250W		55fw-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1						8,08 dB ~ 8,5 dB													65v	6.5a						NPN		15 @ 500mA, 5V	1 025 GHz ~ 1,15 GHz	-
APTGT150DU60TG	-	RFQ	9695	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4				480 W	Standard	SP4	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Source communal double																	Arête du Champ de Tranché	600 V	225 A	1,9 V @ 15V, 150A		250 µA	Oui	9.2 NF @ 25 V
UTV200	-	RFQ	1517	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55JV				80W		55JV	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1						8,5 dB ~ 9,5 dB													28v	4.5a						NPN		10 @ 1A, 5V	470 MHz ~ 860 MHz	-
MS2608H	-	RFQ	5562	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Jantx2n7236u	-	RFQ	4385	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/595	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 267ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 267ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal p					100 V	18A (TC)	10V	220mohm @ 18a, 10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 20V		-	4W (TA), 125W (TC)
MS2092H	-	RFQ	3698	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
62090	-	RFQ	7623	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
68201a	-	RFQ	4964	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
APT8M80K	-	RFQ	3502	Microsemi Corporation	Power MOS 8 ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220 [k]	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					800 V	8A (TC)	10V	1,35 ohm @ 4a, 10v	5V @ 500µA	43 NC @ 10 V	± 30V	1335 pf @ 25 V	-	225W (TC)
UTV080	-	RFQ	7071	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Canal, support de rail din	55JV				65W		55JV	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1						9 dB ~ 10 dB													28v	2.5a						NPN		10 @ 500mA, 5V	470 MHz ~ 860 MHz	-
MSC86580	-	RFQ	2127	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
60168	-	RFQ	5385	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
2N3811	-	RFQ	4600	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N380			350mw		To-78-6	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1																			60V	50m			10µA (ICBO)			2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	300 @ 1MA, 5V	-
Jantx2n6790	-	RFQ	3429	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/555	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-205af Métal Peut			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-39	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1		Canal n					200 V	3.5a (TC)	10V	850mohm @ 3,5a, 10v	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	± 20V		-	800mw (TC)
VRF3933	113.5000	RFQ	28	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif	250 V			M177	VRF3933	30 MHz	Mosfet			M177	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1	Canal n		20A	250 mA	300W	22 dB											-					100 V
Jantx2n3960ub	-	RFQ	1196	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/399	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N3960			400 MW		Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	100																			12 V				10µA (ICBO)			NPN	300 mV @ 3MA, 30mA	60 @ 10mA, 1V	-
MRF8372R2	-	RFQ	6919	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)				2.2W		8-so	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	2 500						8 dB ~ 9,5 dB													16V	200m						NPN		30 @ 50mA, 5V	870 MHz	-
2N5010	19.4180	RFQ	5654	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N5010			1 W		To-5aa	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1																			500 V	200 mA			10NA (ICBO)			NPN	1,4 V @ 5mA, 25mA	30 @ 25mA, 10V	-
APT20N60SC3G	-	RFQ	3080	Microsemi Corporation	CoolMos ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			D3pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n					600 V	20,7a (TC)	10V	190mohm @ 13.1a, 10v	3,9 V @ 1MA	114 NC @ 10 V	± 20V	2440 PF @ 25 V	-	208W (TC)

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