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Transistors (181)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Applications | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Évaluation Actullelle (AMPS) | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Type de transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ald810017scli | 5.5750 |  | 5175 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810017 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 4 N-Canal | |||||||||||||
| Ald210802scl | 5.7256 | | 7560 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald210802 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Ald114804scl | 5.7644 | | 1045 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald114804 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1056 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500 ohm @ 3,6 V | 360 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | Mode d'Épuiment | |||||
 | Ald110814pcl | 6.5006 | | 2638 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald110814 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1028 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500OHM @ 5.4V | 1,42 V @ 1µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald210800ascl | 8.7200 | | 30 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald210800 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1214 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 80m | 25 ohms | 10 mV à 10µA | - | 15pf @ 5v | Porte de Niveau Logique | |||||
| Ald110808pcl | 5.9624 | | 8290 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald110808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1026 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500OHM @ 4.8V | 820 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
 | Ald110902sal | 4.9800 | | 33 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald110902 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1035 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | - | 500OHM @ 4.2V | 220 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
 | Ald1103pbl | 9.2600 | | 535 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 14-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1103 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 14-pdip | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1008 | EAR99 | 8541.21.0095 | 25 | Paire de 2 n et 2 paire assortie du canal p | 10.6v | 40mA, 16mA | 75ohm @ 5v | 1v @ 10µA | - | 10pf @ 5v | - | |||||
| Ald114935sal | 4.9612 | | 1067 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald114935 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1068 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 12mA, 3MA | 540ohm @ 0v | 3 45 V @ 1µA | - | 2,5pf @ 5v | Mode d'Épuiment | |||||
 | Ald1115pal | 5.6500 | | 33 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1115 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1044 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | N et p-canal p Complémentaire | 10.6v | - | 1800 ohm @ 5v | 1v @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
| Ald810023scli | 5.5750 | | 9679 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810023 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 4 N-Canal | |||||||||||||
| Ald1102pal | 8.2700 | | 54 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1102 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1006 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires correspondantes au canal p (double) | 10.6v | - | 270OHM @ 5V | 1,2 V @ 10µA | - | 10pf @ 5v | - | |||||
 | Ald111910mal | - | | 8551 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Obsolète | - | - | - | Ald111910 | - | - | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1219 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
| Ald810025scl | 5.6500 | | 820 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810025 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1259-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 4 N-Canal | ||||||||||||
| Ald810022scl | 5.6500 | | 121 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810022 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1275-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 4 N-Canal | ||||||||||||
 | Ald1105sbl | 5.9800 | | 50 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1105 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 14-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1011 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Paire de 2 n et 2 paire assortie du canal p | 10.6v | - | 500OHM @ 5V | 1v @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
| Ald1115sal | 3.6146 | | 3719 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1115 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1045 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | N et p-canal p Complémentaire | 10.6v | - | 1800 ohm @ 5v | 1v @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
| Ald110808scl | 4.9140 | | 1445 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald110808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1027 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500OHM @ 4.8V | 820 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald114804pcl | 6.9740 | | 3506 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald114804 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1055 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500 ohm @ 3,6 V | 360 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | Mode d'Épuiment | |||||
| Ald110900asal | 6.8200 | | 22 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald110900 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1031 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | - | 500OHM @ 4V | 10 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald310704apcl | 10.1814 | | 3338 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald310704 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1292 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 paires de canaux P, correspondant | 8v | - | - | 380 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald114835scl | 6.9000 | | 290 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald114835 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1060 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 540ohm @ 0v | 3 45 V @ 1µA | - | 2,5pf @ 5v | Mode d'Épuiment | |||||
| Ald910018sal | 4.2762 | | 4256 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald910018 | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1278-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 2 Canaux N (double) | ||||||||||||
| Ald210808apcl | 8.3302 | | 7246 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald210808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Ald1117pal | 5.7000 | | 54 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1117 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1048 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires correspondantes au canal p (double) | 10.6v | - | 1800 ohm @ 5v | 1v @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
| Ald1102bpal | 8.8038 | | 8398 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1102 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires correspondantes au canal p (double) | 10.6v | - | 270OHM @ 5V | 1,2 V @ 10µA | - | 10pf @ 5v | - | ||||||
 | Ald310708ascl | 8.2872 | | 7851 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald310708 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1298 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 paires de canaux P, correspondant | 8v | - | - | 780 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald110800pcl | 6.3700 | | 6 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald110800 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1018 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | - | 500OHM @ 4V | 20 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald1103sbl | 8.2500 | | 105 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1103 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 14-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1009 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Paire de 2 n et 2 paire assortie du canal p | 10.6v | 40mA, 16mA | 75ohm @ 5v | 1v @ 10µA | - | 10pf @ 5v | - | |||||
| Ald110804scl | 5.8548 | | 3209 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald110804 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1023 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500OHM @ 4,4 V | 420 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - |
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