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Transistors (836)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Ensemble de Périphériques du Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Hgtd7n60b3s	0,7500	RFQ	703	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Standard		60 W	À 252aa	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1		480v, 7a, 50 ohms, 15v												-	600 V	14 A	56 A	2.1V @ 15V, 7A	72µJ (ON), 120µJ (OFF)	37 NC	26NS / 130NS
SP600	5.5100	RFQ	2	Harris Corporation	*	En gros	Actif				SP60		-			-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1											-
HGTH12N50CID	2.4900	RFQ	1	Harris Corporation	*	En gros	Actif									-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1
RF1S530SM9AS2457	0,8800	RFQ	800	Harris Corporation	*	En gros	Actif				RF1		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	800											-
Hgtd8p50g1s	0,7900	RFQ	6	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Standard		66 W	À 252aa	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	0000.00.0000	1		-												-	500 V	12 A	18 a	2,9 V @ 15V, 3A	-	30 NC	-
RF1S4N100SM9A	3.1300	RFQ	187	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	0000.00.0000	800	Canal n		1000 V	4.3A (TC)		3,5 ohm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA		± 20V		-	150W (TC)
RFB18N10CS	2.4900	RFQ	950	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-5			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220AB-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	0000.00.0000	1	Canal n		100 V	18A (TC)		100MOHM @ 9A, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V		Détection de Courant	79W (TC)
HGTG12N60DID	3.4100	RFQ	15	Harris Corporation	*	En gros	Actif									-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	88
Hgtp7n60b3d	1.0800	RFQ	16	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		Standard		60 W	À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		480v, 7a, 50 ohms, 15v											37 ns	-	600 V	14 A	56 A	2.1V @ 15V, 7A	160 µJ (ON), 120µJ (OFF)	37 NC	26NS / 130NS
Hgtp7n60c3	0 7700	RFQ	450	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		Standard		60 W	À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	0000.00.0000	450		-												-	600 V	14 A	56 A	2v @ 15v, 7a	-	30 NC	-
HGT1S3N60B3DS	0,7300	RFQ	8972	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		Standard		33,3 W	À 263ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		480v, 3,5a, 82Ohm, 15v											28 ns	-	600 V	7 A	20 a	2.1V @ 15V, 3.5a	66µJ (ON), 88µJ (OFF)	18 NC	18NS / 105NS
2N612340	-	RFQ	2376	Harris Corporation	*	En gros	Actif									-						0000.00.0000	1
HGTG15N1203D	1 0000	RFQ	6192	Harris Corporation	*	En gros	Actif									-						0000.00.0000	1
TIP29B	0 1700	RFQ	7240	Harris Corporation	-	Tube	Obsolète	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				2 W	À 220-3	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000															80 V	1 a						300 µA	NPN	700 mV à 125mA, 1A	15 @ 1A, 4V	3 MHz
IRF9630	1.4200	RFQ	28	Harris Corporation	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000	Canal p		200 V	6.5a (TC)	10V	800mohm @ 3,9a, 10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	74W (TC)
IRF630	0,8500	RFQ	22	Harris Corporation	-	Tube	Obsolète		Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	382	Canal n		200 V	9A (TC)		400mohm @ 5.4a, 10v	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V		800 pf @ 25 V	-
TIP32C	0 2900	RFQ	1	Harris Corporation	-	Tube	Obsolète	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				2 W	À 220-3	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	1 039															100 V	3 A						300 µA	Pnp	1,2 V @ 375mA, 3A	10 @ 3A, 4V	3 MHz
D44h11	-	RFQ	5651	Harris Corporation	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				2 W	À 220-3	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0075	50															80 V	10 a						10 µA	NPN	1V @ 400mA, 8A	60 @ 2a, 1v	50 MHz
HUF75337P3	0,2500	RFQ	2	Harris Corporation	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	400	Canal n		55 V	75A (TC)		14MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	109 NC @ 20 V	± 20V	1775 PF @ 25 V	-	175W (TC)
IRFD123	0,8700	RFQ	40	Harris Corporation	-	Tube	Obsolète		Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)			MOSFET (Oxyde Métallique)		4 HVMDIP	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	346	Canal n		100 V	1.3A (TA)		270MOHM @ 780mA, 10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V		360 pf @ 25 V	-
HUF75309P3	-	RFQ	5371	Harris Corporation	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	400	Canal n		55 V	19A (TC)		70MOHM @ 19A, 10V	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	55W (TC)
TIP42A	0,3900	RFQ	847	Harris Corporation	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				2 W	À 220ab	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	847															60 V	6 A						700 µA	Pnp	1,5 V @ 600mA, 6A	15 @ 3A, 4V	-
RFP12N10L	1 0000	RFQ	9637	Harris Corporation	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	800	Canal n		100 V	12A (TC)	5V	200 mohm @ 12a, 5v	2V à 250µA		± 10V	900 pf @ 25 V	-	60W (TC)
RFP70N03	1.4800	RFQ	5	Harris Corporation	-	Tube	Obsolète		Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	50	Canal n		30 V	70A (TC)		10MOHM @ 70A, 10V	4V @ 250µA	260 NC @ 20 V		3300 pf @ 25 V	-
Hgtd7n60c3s	-	RFQ	4129	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Standard		60 W	À 252aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	33		-												-	600 V	14 A	56 A	2v @ 15v, 7a	-	23 NC	-
IGT6E2121	-	RFQ	5095	Harris Corporation	*	En gros	Actif									-						0000.00.0000	1
HUF75321S3S	0,4300	RFQ	991	Harris Corporation	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	50	Canal n		55 V	35A (TC)	10V	34MOHM @ 35A, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	± 20V	680 pf @ 25 V	-	93W (TC)
IRF710R	-	RFQ	5558	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		400 V	2A (TC)	10V	3,6 ohm @ 1.1a, 10v	4V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 20V	135 pf @ 25 V	-	36W (TC)
2N3416	0,3100	RFQ	5588	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	2N341			625 MW	To-92-3	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	2156-2n3416	EAR99	8541.21.0095	1															50 V	500 mA						100NA (ICBO)	NPN	300 mV @ 3MA, 50mA	75 @ 2MA, 4,5 V	-
HUF76629D3S	0,7000	RFQ	458	Harris Corporation	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 800	Canal n		100 V	20A (TC)	4,5 V, 10V	52MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	46 NC @ 10 V	± 16V	1285 PF @ 25 V	-	110W (TC)

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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