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Transistors (836)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Tension - Sortie	Taper fet	Condition de test	Tension	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Tension - Décalage (VT)	COURANT - GATE DE FUITE D'ANODE (IGAO)	COURANT - VALLEY (IV)	Courant - pic
HGTG12N60C3DR	1 0000	RFQ	2155	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Standard		104 W	À 247	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1			480v, 12a, 25 ohms, 15v												37 ns	-	600 V	24 A	48 A	2.2V @ 15V, 12A	400 µJ (ON), 340µJ (OFF)	71 NC	37ns / 120ns
IRF613	0,3300	RFQ	2	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			150 V	2.6a (TC)	10V	2,4 ohm @ 1,6a, 10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	± 20V	135 pf @ 25 V	-	43W (TC)
Hgtp10n40c1	1.0800	RFQ	1	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		Standard		60 W	À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1			-													-	400 V	10 a	17.5 A	3,2 V @ 20V, 17,5A	-	19 NC	-
HGTH12N40C1D	-	RFQ	1099	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-218-3 Tab isolé, à 218AC		Standard		75 W	À 218 isolé	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1			-												100 ns	-	400 V	12 A	17.5 A	3,2 V @ 20V, 17,5A	-	19 NC	-
IRF623	0,3300	RFQ	1757	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	737		Canal n			150 V	4A (TC)	10V	1,2 ohm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 20V	450 pf @ 25 V	-	40W (TC)
IRF723	0,7800	RFQ	79	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			350 V	2.8A (TC)	10V	2,5 ohm @ 1,8a, 10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	50W (TC)
MJE13071	0,9200	RFQ	967	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				80 W	À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1																	6 V	5 a						500 µA	NPN	3V @ 1A, 5A	8 @ 3a, 5v
MJ13091	4.4200	RFQ	272	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3				175 W	To-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1																	6 V	15 A						500 µA	NPN	3V @ 3A, 15A	8 @ 10a, 3v	-
IRF840RU	-	RFQ	5093	Harris Corporation	*	En gros	Actif									-					0000.00.0000	150
IGTM20N50	1 0000	RFQ	4800	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-204aa, to-3		Standard			To-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1			-													-	500 V	20 a		-	-		-
IGTH20N50A	2.6100	RFQ	5178	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-218-3 Tab isolé, à 218AC		Standard			À 218 isolé	télécharger				EAR99	8542.39.0001	38			-													-	500 V	20 a		-	-		-
IGTM20N40	-	RFQ	9799	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-204aa, to-3		Standard			To-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	25			-													-	400 V	20 a		-	-		-
Hgtd8p50gis	-	RFQ	6829	Harris Corporation	*	En gros	Actif									-					0000.00.0000	1
GSI510	-	RFQ	5045	Harris Corporation	*	En gros	Actif									-					0000.00.0000	100
RFD16N05SM9AS2480	0,5300	RFQ	975	Harris Corporation	*	En gros	Actif				RFD16		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini			1													-
RFP30N6ler4541	0,4200	RFQ	4	Harris Corporation	*	En gros	Actif				RFP30		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	1													-
RFD10N05SM	0,6600	RFQ	11	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			50 V	-	-	-	-		-		-	-
RFF70N06 / 3	51.7600	RFQ	40	Harris Corporation	*	En gros	Actif				RFF70		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1													-
Ig77e20cs	1 0000	RFQ	9860	Harris Corporation	*	En gros	Actif									-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini			1
RF1S540	1.1100	RFQ	4	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1		Canal n			100 V	28a (TC)	10V	77MOHM @ 17A, 10V	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	± 20V	1450 pf @ 25 V	-	150W (TC)
Igtm10n40	1.5800	RFQ	713	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-204aa, to-3		Standard			To-3	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	1			-													-	400 V	10 a		-	-		-
GES6028	0 2200	RFQ	8163	Harris Corporation	-	En gros	Actif			À 226-3, à 92-3 (à 226aa)						télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	1 000	6V			1,5 V										300 MW															1,6 V	10 NA	25 µA	150 na
Irfd220	0,5200	RFQ	913	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	Irfd220		MOSFET (Oxyde Métallique)		4-Dip, hexdip, hvmdip	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	0000.00.0000	1		Canal n			200 V	800mA (TA)	10V	800MOHM @ 480mA, 10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 20V	260 pf @ 25 V	-	1W (ta)
IRFR1109A	0,3600	RFQ	2	Harris Corporation	-	En gros	Actif				IRFR1109		-			télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	0000.00.0000	2 500													-
IRF9622156	0.4400	RFQ	800	Harris Corporation	*	En gros	Actif				IRF9622		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini			800													-
RF1S640SM	2.5300	RFQ	665	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			200 V	18A (TC)		180MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	± 20V	1275 PF @ 25 V	-	125W (TC)
IRF214	-	RFQ	8900	Harris Corporation	*	En gros	Actif									-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini			1
Jansr2n7292	407.6400	RFQ	1	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 254aa	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	0000.00.0000	1		Canal n			100 V	25a (TC)	10V	70MOHM @ 20A, 10V	5V @ 1MA	552 NC @ 20 V	± 20V		-	125W (TC)
IRF620R4587	0,2700	RFQ	1	Harris Corporation	*	En gros	Actif				IRF620		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini			1 200													-
IRF640S2497	-	RFQ	2298	Harris Corporation	*	En gros	Actif				IRF640		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini			1													-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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