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Transistors (2488)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
TK12Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12Q60W, S1VQ 2.0600
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou To-251-3 Stub Leads, ipak TK12Q60 MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) TK12Q60WS1VQ EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 600 V 11.5A (TA) 10V 340mohm @ 5.8a, 10v 3,7 V @ 600µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 PF @ 300 V - 100W (TC)
2SJ438,MDKQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438, MDKQ (M -
RFQ
 ECAD 6890 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Par le trou À 220-3 EXCHET 2SJ438 À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 5A (TJ)
TK11P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Tk11p65w, RQ 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Tk11p65 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 650 V 11.1a (TA) 10V 440mohm @ 5.5a, 10v 3,5 V @ 450µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 PF @ 300 V - 100W (TC)
TK13E25D,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK13E25D, S1X (S 2.2900
RFQ
 ECAD 4902 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TK13E25 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 250 V 13a (ta) 10V 250 mohm @ 6.5a, 10v 3,5 V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 102W (TC)
SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU, LF 0,5100
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-WDFN SSM6J505 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-udfnb (2x2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 12 V 12A (TA) 1,2 V, 4,5 V 12MOHM @ 4A, 4,5 V 1v @ 1MA 37,6 NC @ 4,5 V ± 6V 2700 pf @ 10 V - 1.25W (TA)
TK16E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W5, S1VX 3.1200
RFQ
 ECAD 9278 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TK16E60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 15.8A (TA) 10V 230MOHM @ 7.9A, 10V 4,5 V @ 790µA 43 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 130W (TC)
SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J304T (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9160 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J304 MOSFET (Oxyde Métallique) TSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 2.3A (TA) 1,8 V, 4V 127MOHM @ 1A, 4V - 6.1 NC @ 4 V ± 8v 335 PF @ 10 V - 700MW (TA)
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU, LF -
RFQ
 ECAD 3756 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 MOSFET (Oxyde Métallique) 300mw US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 60V 200m 2.1Ohm @ 500mA, 10V 3,1 V @ 250µA - 17pf @ 25v Porte de Niveau Logique
SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU, LF 0.4900
RFQ
 ECAD 123 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-WDFN SSM6J501 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-udfnb (2x2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 10A (TA) 1,5 V, 4,5 V 15,3MOHM @ 4A, 4,5 V 1v @ 1MA 29.9 NC @ 4,5 V ± 8v 2600 pf @ 10 V - 1W (ta)
TK65S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L, LQ 2.0100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TK65S04 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak + télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 40 V 65A (TA) 10V 4,3MOHM @ 32,5A, 10V 2,5 V @ 300µA 39 NC @ 10 V ± 20V 2550 pf @ 10 V - 107W (TC)
RN2113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2113ACT (TPL3) 0,0527
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-101, SOT-883 RN2113 100 MW CST3 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 V 80 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 47 kohms
TK6A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A50D (STA4, Q, M) 1.3700
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK6A50 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 6a (ta) 10V 1,4 ohm @ 3a, 10v 4.4 V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 35W (TC)
TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6011 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 5591 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiv Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TPC6011 MOSFET (Oxyde Métallique) VS-6 (2.9x2.8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 6a (ta) 4,5 V, 10V 20 mohm @ 3a, 10v 2,5 V @ 1MA 14 NC @ 10 V ± 20V 640 PF @ 10 V - 700MW (TA)
2SA2154CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-GR, L3F 0,3200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-101, SOT-883 2SA2154 100 MW CST3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) Pnp 300 mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80 MHz
TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH, L1Q 1.6200
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPH2010 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 250 V 5.6A (TA) 10V 198MOHM @ 2,8A, 10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ± 20V 600 PF @ 100 V - 1.6W (TA), 42W (TC)
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 6824 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic Support de surface SC-75, SOT-416 RN117 100 MW SSM télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 4,7 kohms
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1309 (TE85L, F) 0,2700
RFQ
 ECAD 895 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN1309 100 MW SC-70 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 22 kohms
SSM6K403TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K403TU, LF 0.4900
RFQ
 ECAD 6811 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 6 mm, plombes plombes SSM6K403 MOSFET (Oxyde Métallique) Uf6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 20 V 4.2a (TA) 1,5 V, 4V 28MOHM @ 3A, 4V 1v @ 1MA 16,8 NC @ 4 V ± 10V 1050 pf @ 10 V - 500mw (TA)
2SA1869-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-Y, Q (J -
RFQ
 ECAD 3028 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SA1869 10 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 3 A 1µA (ICBO) Pnp 600mV @ 200mA, 2A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2114MFV, L3F 0,2000
RFQ
 ECAD 7888 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN2114 150 MW Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 50 @ 10mA, 5V 1 kohms 10 kohms
2SD2206(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206 (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 7464 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SD2206 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 100 V 2 A 10µA (ICBO) NPN 1,5 V @ 1MA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100 MHz
TK16A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W, S4X 2.3741
RFQ
 ECAD 4531 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif Par le trou À 220-3 EXCHET TK16A60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TK16A60WS4X EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 15.8A (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3,7 V @ 790µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 40W (TC)
2SJ438(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438 (Cano, A, Q) -
RFQ
 ECAD 6374 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Par le trou À 220-3 EXCHET 2SJ438 À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 5A (TJ)
SSM3K37CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37CT, L3F 0 2900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-101, SOT-883 SSM3K37 MOSFET (Oxyde Métallique) CST3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 Canal n 20 V 200mA (TA) 1,5 V, 4,5 V 2,2 ohm @ 100mA, 4,5 V 1v @ 1MA ± 10V 12 pf @ 10 V - 100MW (TA)
SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N815R, LF 0 4500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 6 mm, plombes plombes SSM6N815 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.8W (TA) 6-tsop-f télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 100V 2a (ta) 103MOHM @ 2A, 10V 2,5 V @ 100µA 3.1nc @ 4,5 V 290pf @ 15v Porte de Niveau Logique, Leilleur 4V
TPC8223-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8223-H, LQ (S -
RFQ
 ECAD 5007 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TPC8223 MOSFET (Oxyde Métallique) 450mw 8-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 2 500 2 Canaux N (double) 30V 9A 17MOHM @ 4.5A, 10V 2,3 V à 100 µA 17nc @ 10v 1190pf @ 10v Porte de Niveau Logique
TK35N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5, S1F 9.0900
RFQ
 ECAD 7466 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 TK35N65 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 35A (TA) 10V 95MOHM @ 17,5A, 10V 4,5 V @ 2,1mA 115 NC @ 10 V ± 30V 4100 pf @ 300 V - 270W (TC)
2SC2235-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y (T6CN, A, F -
RFQ
 ECAD 3118 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2235 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120 MHz
SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FE, LM 0,4300
RFQ
 ECAD 111 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-563, SOT-666 SSM6N44 MOSFET (Oxyde Métallique) 150mw ES6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 2 Canaux N (double) 30V 100 mA 4OHM @ 10mA, 4V 1,5 V à 100 µA - 8.5pf @ 3v Porte de Niveau Logique
TK100E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E08N1, S1X 3.9800
RFQ
 ECAD 7657 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TK100E08 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 80 V 100A (TA) 10V 3,2MOHM @ 50A, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ± 20V 9000 pf @ 40 V - 255W (TC)
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    2000+

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    30 000 000

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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