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Transistors (2488)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f) Drain de Courant (ID) - Max
RN2107MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV, L3F -
RFQ
 ECAD 3225 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Actif Support de surface SOT-723 RN2107 150 MW Vesm télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 10 kohms 47 kohms
RN4987,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4987 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz, 200 MHz 10 kohms 47 kohms
RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4986 (T5L, F, T) 0,3000
RFQ
 ECAD 483 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4986 200 MW US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100 µA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz, 200 MHz 4,7 kohms 47 kohms
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970 (TE85L, F) 0 4700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1970 200 MW US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 4,7 kohms -
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 5714 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiv Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TPC6012 MOSFET (Oxyde Métallique) VS-6 (2.9x2.8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 20 V 6a (ta) 2,5 V, 4,5 V 20 mohm @ 3a, 4,5 V 1,2 V @ 200µA 9 NC @ 5 V ± 12V 630 pf @ 10 V - 700MW (TA)
RN2113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2113MFV, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN2113 150 MW Vesm télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 120 @ 1MA, 5V 47 kohms
RN1116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1116, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN116 100 MW SSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 4,7 kohms 10 kohms
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1, S4X 1.4900
RFQ
 ECAD 210 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK42A12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 120 V 42A (TC) 10V 9.4MOHM @ 21A, 10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 60 V - 35W (TC)
RN2404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 7148 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 MW S-mini télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-Y (TPL3) -
RFQ
 ECAD 5156 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SC-101, SOT-883 2SA2154 100 MW CST3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) Pnp 300 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80 MHz
2SK2847(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2847 (F) -
RFQ
 ECAD 1737 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 2SK2847 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p (n) est télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 900 V 8a (ta) 10V 1,4 ohm @ 4a, 10v 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ± 30V 2040 PF @ 25 V - 85W (TC)
RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4906, LF 0,2800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4906 200 MW US6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 47 kohms
2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5065-Y (TE85L, F) 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 2SC5065 100 MW SC-70 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 12 dB ~ 17 dB 12V 30m NPN 120 @ 10mA, 5V 7 GHz 1,1 dB à 1Hz
RN2971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5969 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOT-563, SOT-666 RN2971 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 10 kohms -
RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2101 100 MW SSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 4,7 kohms
RN2111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2111MFV, L3F 0,2000
RFQ
 ECAD 1153 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN2111 150 MW Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 10 kohms
TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6113 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 4053 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TPC6113 MOSFET (Oxyde Métallique) VS-6 (2.9x2.8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 5A (TA) 2,5 V, 4,5 V 55MOHM @ 2,5A, 4,5 V 1,2 V @ 200µA 10 nc @ 5 V ± 12V 690 pf @ 10 V - 700MW (TA)
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01F-Y (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3952 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban de Coupé (CT) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-74, SOT-457 HN1A01 300mw SM6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 150m 100NA (ICBO) 2 pnp (double) 300 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80 MHz
2SA949-Y,ONK-1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y, ONK-1F (J -
RFQ
 ECAD 3985 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA949 800 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100NA (ICBO) Pnp 800 MV @ 1MA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120 MHz
RN1304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1304, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN1304 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 47 kohms
TTA008B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA008B, Q 0,6600
RFQ
 ECAD 250 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Plateau Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 225aa, à 126-3 1,5 w TO-126N télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 250 80 V 2 A 100NA (ICBO) Pnp 500 MV à 100MA, 1A 100 @ 500mA, 2V 100 MHz
MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113P (TE12L, F) 0.9900
RFQ
 ECAD 66 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa MT3S113 1.6W Pw-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 000 10,5 dB 5.3 V 100 mA NPN 200 @ 30mA, 5V 7,7 GHz 1,45 dB à 1Hz
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 2146 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2306 100 MW SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 47 kohms
2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 (Q, M) -
RFQ
 ECAD 9334 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SD2257 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 100 V 3 A 10µA (ICBO) NPN 1,5 V @ 1,5MA, 1,5A 2000 @ 2a, 2v -
TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL1, LQ 2.4200
RFQ
 ECAD 9668 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosix-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5,75) - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 100A (TC) 4,5 V, 10V 1,34MOHM @ 50A, 10V 2,5 V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 30 V - 960mw (TA), 210W (TC)
2SC3324GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324GRTE85LF -
RFQ
 ECAD 3943 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3324 150 MW À 236 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 120 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 300 mV @ 1MA, 10mA 200 @ 2MA, 6V 100 MHz
2SA1429-Y(T2OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1429-Y (T2omi, FM -
RFQ
 ECAD 3230 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou SC-71 2SA1429 1 W MSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 80 V 2 A 1µA (ICBO) Pnp 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 80 MHz
2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 (Q, M) -
RFQ
 ECAD 3597 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SA1930 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 500 180 V 2 A 5µA (ICBO) Pnp 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200 MHz
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Y (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100 MW S-mini télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 8.2pf @ 10v 50 V 1,2 ma @ 10 V 400 mV @ 100 na 6.5 Ma
RN2406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406, LXHF 0,3400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2406 200 MW S-mini télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 47 kohms
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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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