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Transistors (2488)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E10PL, S1X 1.3400
RFQ
 ECAD 78 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 175 ° C À Travers Le Trou À 220-3 TK110E10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 42A (TC) 4,5 V, 10V 10,7MOHM @ 21A, 10V 2,5 V @ 300µA 33 NC @ 10 V ± 20V 2040 PF @ 50 V - 87W (TC)
RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4988 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 6086 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4988 200 MW US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100 µA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz, 200 MHz 22 kohms 47 kohms
SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU, LF 0 4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface Pad Exposé 6-WDFN SSM6K341 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-udfnb (2x2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 6a (ta) 4V, 10V 36MOHM @ 4A, 10V 2,5 V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
RN1966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1966FE (TE85L, F) 0,3800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOT-563, SOT-666 RN1966 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4,7 kohms 47 kohms
SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K315T (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5970 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiv Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K315 MOSFET (Oxyde Métallique) TSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 6a (ta) 4,5 V, 10V 27,6MOHM @ 4A, 10V 2,5 V @ 1MA 10.1 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 15 V - 700MW (TA)
2SA1242-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1242-Y (Q) -
RFQ
 ECAD 3646 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa 2SA1242 1 W PW-Mold télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 200 20 V 5 a 100NA (ICBO) Pnp 1V @ 100mA, 4A 160 @ 500mA, 2V 170 MHz
RN1103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV, L3XHF (CT 0,3400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN1103 150 MW Vesm télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 70 @ 10mA, 5V 22 kohms 22 kohms
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 6910 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-101, SOT-883 RN1101 100 MW CST3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 V 80 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 150 mV à 500 µA, 5mA 30 @ 10mA, 5V 4,7 kohms 4,7 kohms
2SA949-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-O (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 1856 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA949 800 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100NA (ICBO) Pnp 800 MV @ 1MA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120 MHz
RN2311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 7033 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2311 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 10 kohms
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV, L3F 0,1000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN1130 150 MW Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 8 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 100 @ 10mA, 5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C, S1F 68.0400
RFQ
 ECAD 2613 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 175 ° C À Travers Le Trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 100A (TC) 18V 20mohm @ 50A, 18V 5V @ 11,7mA 158 NC @ 18 V + 25V, -10V 6000 pf @ 800 V - 431W (TC)
TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL, L1Q 1 5500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPH1R403 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 60a (TA) 4,5 V, 10V 1,4 mohm @ 30a, 10v 2,3 V @ 500µA 46 NC @ 10 V ± 20V 4400 PF @ 15 V - 1.6W (TA), 64W (TC)
RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3XHF (CT 0,3400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN1106 150 MW Vesm télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 80 @ 1MA, 5V 4,7 kohms 47 kohms
TPCA8009-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8009-H (TE12L, Q -
RFQ
 ECAD 7100 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPCA8009 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 150 V 7a (ta) 10V 350mohm @ 3,5a, 10v 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
2SC6139,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6139, T2F (M -
RFQ
 ECAD 7133 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou SC-71 2SC6139 1 W MSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 160 V 1,5 A 100NA (ICBO) NPN 500 mV à 50ma, 500mA 140 @ 100mA, 5V 100 MHz
TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Tpn1110enh, l1q 1.6800
RFQ
 ECAD 1291 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPN1110 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.1x3.1) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 200 V 7.2a (TA) 10V 114MOHM @ 3,6A, 10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ± 20V 600 PF @ 100 V - 700MW (TA), 39W (TC)
RN2706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE (TE85L, F) 0,3900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-553 RN2706 100 MW ESV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (Double) (couple Émetteur) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 47 kohms
RN1416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416, LXHF 0,3400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1416 200 MW S-mini télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 4,7 kohms 10 kohms
TK12A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W, S4VX 3.9800
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 EXCHET TK12A60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 11.5A (TA) 10V 300mohm @ 5.8a, 10v 3,7 V @ 600µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 PF @ 300 V - 35W (TC)
RN2710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2710, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2710 200 MW USV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 4,7 kohms -
TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R003PL, LQ 0.9900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosix-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPH3R003 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 88A (TC) 4,5 V, 10V 4.2MOHM @ 44A, 4,5 V 2,1 V @ 300µA 50 NC @ 10 V ± 20V 3825 PF @ 15 V - 90W (TC)
2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954-A (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8074 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 2SA1954 100 MW SC-70 - 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 12 V 500 mA 100NA (ICBO) Pnp 250 MV @ 10mA, 200mA 300 @ 10mA, 2V 130 MHz
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU, LF 0 4600
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-WDFN SSM6J507 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-udfnb (2x2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 10A (TA) 4V, 10V 20 mohm @ 4a, 10v 2,2 V @ 250µA 20,4 NC @ 4,5 V + 20V, -25V 1150 pf @ 15 V - 1.25W (TA)
RN1673(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1673 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 6017 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1673 300mw US6 - 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V - 47 kohms -
2SC2229-Y(SHP,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (SHP, F, M) -
RFQ
 ECAD 7291 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2229 800 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 1MA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120 MHz
SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35CT, L3F 0,3200
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface SC-101, SOT-883 SSM3K35 MOSFET (Oxyde Métallique) CST3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 Canal n 20 V 180mA (TA) 1,2 V, 4V 3ohm @ 50mA, 4V 1v @ 1MA ± 10V 9.5 PF @ 3 V - 100MW (TA)
2SA949-Y,ONK-1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y, ONK-1F (J -
RFQ
 ECAD 3985 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA949 800 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100NA (ICBO) Pnp 800 MV @ 1MA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120 MHz
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R, LF 0,4300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-3 PLATS PLATS SSM3K345 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23F télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 4a (ta) 1,5 V, 4,5 V 33MOHM @ 4A, 4,5 V 1v @ 1MA 3,6 NC @ 4,5 V ± 8v 410 PF @ 10 V - 1W (ta)
2SA1962-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1962-O (Q) -
RFQ
 ECAD 6598 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Plateau Actif 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou TO-3P-3, SC-65-3 2SA1962 130 W To-3p (n) télécharger Rohs conforme Non applicable EAR99 8541.29.0075 50 230 V 15 A 5µA (ICBO) Pnp 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30 MHz
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    Volume de RFQ moyen quotidien

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    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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