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Transistors (2488)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL1, LQ 2.4200
RFQ
 ECAD 9668 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosix-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5,75) - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 100A (TC) 4,5 V, 10V 1,34MOHM @ 50A, 10V 2,5 V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 30 V - 960mw (TA), 210W (TC)
TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3E08QM, S1X 2.3500
RFQ
 ECAD 82 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosx-h Tube Actif 175 ° C Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 80 V 120A (TC) 6v, 10v 3,3MOHM @ 50A, 10V 3,5 V @ 1,3mA 110 NC @ 10 V ± 20V 7670 PF @ 40 V - 230W (TC)
TK6R8A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK6R8A08QM, S4X 1.2100
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosx-h Tube Actif 175 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 80 V 58A (TC) 6v, 10v 6,8MOHM @ 29A, 10V 3,5 V @ 500µA 39 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 40 V - 41W (TC)
RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911, LXHF (CT 0,3600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 10 kohms -
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909, LXHF (CT 0,3500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50v 100 mA 500NA 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 22 kohms
RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2908 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50v 100 mA 500NA 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
RN2307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 2595 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2307 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908, LXHF (CT 0,3600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50v 100 mA 500NA 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 47 kohms
RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2911 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 10 kohms -
RN2301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2301 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 4,7 kohms
RN1902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902, LXHF (CT 0,3600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1902 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
RN4984,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz, 200 MHz 47 kohms 47 kohms
RN4901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 6357 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz, 250 MHz 4,7 kohms 4,7 kohms
RN4987FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN4987 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz, 200 MHz 10 kohms 47 kohms
RN4905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN4905 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz, 250 MHz 2,2 kohms 47 kohms
SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV, L3XHF 0,3900
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface SOT-723 MOSFET (Oxyde Métallique) Vesm télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 Canal p 20 V 800mA (TA) 1,2 V, 4,5 V 390mohm @ 800mA, 4,5 V 1v @ 1MA 1,6 NC @ 4,5 V + 6v, -8V 100 pf @ 10 V - 150mw (TA)
RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN4991 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz, 200 MHz 10 kohms -
RN4902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN4902 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz, 250 MHz 10 kohms 10 kohms
RN2905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN2905 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 2,2 kohms 47 kohms
GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA, S1E 3.7700
RFQ
 ECAD 3270 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 348 W À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 300 V, 60A, 39OHM, 15V - 1350 V 60 a 120 A 2.6V @ 15V, 60A -, 1,3mj (off) 270 NC -
TK090Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK090Z65Z, S1F 6.3200
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosvi Tube Actif 150 ° C Par le trou À 247-4 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-4L (t) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 650 V 30A (TA) 10V 90MOHM @ 15A, 10V 4V @ 1,27mA 47 NC @ 10 V ± 30V 2780 PF @ 300 V - 230W (TC)
TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027N65C, S1F 22.7000
RFQ
 ECAD 4982 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 175 ° C Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 58A (TC) 18V 37MOHM @ 29A, 18V 5V @ 3MA 65 NC @ 18 V + 25V, -10V 2288 PF @ 400 V - 156W (TC)
TW140N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW140N120C, S1F 11.3700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 175 ° C Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 20A (TC) 18V 182MOHM @ 10A, 18V 5V @ 1MA 24 NC @ 18 V + 25V, -10V 691 PF @ 800 V - 107W (TC)
TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107N65C, S1F 9.6200
RFQ
 ECAD 96 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 175 ° C Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 20A (TC) 18V 145MOHM @ 10A, 18V 5V @ 1,2mA 21 NC @ 18 V + 25V, -10V 600 pf @ 400 V - 76W (TC)
TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C, S1F 68.0400
RFQ
 ECAD 2613 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 175 ° C Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 100A (TC) 18V 20mohm @ 50A, 18V 5V @ 11,7mA 158 NC @ 18 V + 25V, -10V 6000 pf @ 800 V - 431W (TC)
2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2873-Y (TE12L, ZC 0,4200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa 500 MW Pw-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 000 50 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 120 MHz
TPW2R508NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2R508NH, L1Q 2.8100
RFQ
 ECAD 1661 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 8-POWERWDFN MOSFET (Oxyde Métallique) Avance de 8 dose télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 75 V 150A (TA) 10V 2,5 mohm @ 50a, 10v 4V @ 1MA 72 NC @ 10 V ± 20V 6000 pf @ 37,5 V - 800MW (TA), 142W (TC)
TPH2R805PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R805PL, LQ 1.2000
RFQ
 ECAD 9118 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosix-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface 8 powervdfn MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 45 V 100A (TC) 4,5 V, 10V 2,8MOHM @ 50A, 10V 2,4 V @ 500µA 73 NC @ 10 V ± 20V 5175 PF @ 22,5 V - 830mw (TA), 116W (TC)
TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A20D, S5X 1.7900
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 150 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 200 V 25A (TA) 10V 70MOHM @ 12,5A, 10V 3,5 V @ 1MA 60 NC @ 10 V ± 20V 2550 pf @ 100 V - 45W (TC)
TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65X5, LQ 5.6600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface Pad Exposé 4-VSFN MOSFET (Oxyde Métallique) 4-DFN-EP (8x8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 650 V 22a (ta) 10V 170MOHM @ 11A, 10V 4,5 V @ 1,1mA 50 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 180W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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