SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
TK14A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A55D (STA4, Q, M) 3.1600
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK14A55 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 550 V 14A (TA) 10V 370MOHM @ 7A, 10V 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 30V 2300 pf @ 25 V - 50W (TC)
2SC5459(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5459 (TOJS, Q, M) -
RFQ
ECAD 5031 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SC5459 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 400 V 3 A 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 150mA, 1.2A 20 @ 300mA, 5V -
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404TE85LF -
RFQ
ECAD 6084 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 MW S-mini télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
RN2412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412TE85LF 0 2900
RFQ
ECAD 6971 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 22 kohms
TW140N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW140N120C, S1F 11.3700
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 175 ° C Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 20A (TC) 18V 182MOHM @ 10A, 18V 5V @ 1MA 24 NC @ 18 V + 25V, -10V 691 PF @ 800 V - 107W (TC)
2SB1457(T6DW,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 (T6DW, F, M) -
RFQ
ECAD 5222 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SB1457 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 1 100 V 2 A 10µA (ICBO) Pnp 1,5 V @ 1MA, 1A 2000 @ 1A, 2V 50 MHz
RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV, L3F (CT 0,1800
RFQ
ECAD 38 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN1105 150 MW Vesm télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 2,2 kohms 47 kohms
TK72A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A08N1, S4X 2.2300
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK72A08 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 80A (TA) 10V 4,5 mohm @ 40a, 10v 4V @ 1MA 175 NC @ 10 V ± 20V 8200 pf @ 10 V - 45W (TC)
TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W, RQ 2 0000
RFQ
ECAD 6704 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 500 V 11.5A (TA) 10V 340mohm @ 5.8a, 10v 3,7 V @ 600µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 PF @ 300 V - 100W (TC)
TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL, L1Q 1 5500
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPH1R403 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 60a (TA) 4,5 V, 10V 1,4 mohm @ 30a, 10v 2,3 V @ 500µA 46 NC @ 10 V ± 20V 4400 PF @ 15 V - 1.6W (TA), 64W (TC)
RN4904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN4904 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz, 250 MHz 47 kohms 47 kohms
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-Y (Q) -
RFQ
ECAD 1152 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa 2SA1244 1 W PW-Mold - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 200 50 V 5 a 1µA (ICBO) Pnp 400 mV @ 150mA, 3A 120 @ 1A, 1V 60 MHz
2SA1020-Y(T6TR1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6TR1, AF -
RFQ
ECAD 8896 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA1020 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) Pnp 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
RN2908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN2908 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5065-Y (TE85L, F) 0,4100
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 2SC5065 100 MW SC-70 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 12 dB ~ 17 dB 12V 30m NPN 120 @ 10mA, 5V 7 GHz 1,1 dB à 1Hz
2SA1586-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y, LF 0,1800
RFQ
ECAD 53 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 2SA1586 100 MW SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) Pnp 300 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80 MHz
2SA2059(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2059 (TE12L, F) 0,6300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa 1 W Pw-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 20 V 3 A 100NA (ICBO) Pnp 190mV @ 53mA, 1.6a 200 @ 500mA, 2V -
TK28N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W, S1F 6.3000
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 TK28N65 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 27.6A (TA) 10V 110MOHM @ 13.8A, 10V 3,5 V @ 1,6mA 75 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 230W (TC)
TPC8032-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8032-H (TE12LQM) -
RFQ
ECAD 9260 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TPC8032 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP (5.5x6.0) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 15A (TA) 6,5 mohm @ 7,5a, 10v 2,5 V @ 1MA 33 NC @ 10 V 2846 PF @ 10 V - -
TK10A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60D (STA4, Q, M) -
RFQ
ECAD 1128 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK10A60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TK10A60DSTA4QM EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 10A (TA) 10V 750mohm @ 5a, 10v 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 25 V - 45W (TC)
SSM3K7002BSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BSU, LF -
RFQ
ECAD 7505 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 SSM3K7002 MOSFET (Oxyde Métallique) USM télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 60 V 200mA (TA) 4,5 V, 10V 2.1Ohm @ 500mA, 10V 3,1 V @ 250µA ± 20V 17 pf @ 25 V - 150mw (TA)
TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8125, LQ (S 0,7300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TPC8125 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 10A (TA) 4,5 V, 10V 13MOHM @ 5A, 10V 2V @ 500µA 64 NC @ 10 V + 20V, -25V 2580 pf @ 10 V - 1W (ta)
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L (T6L1, nq -
RFQ
ECAD 1314 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiv Ruban Adhésif (tr) Obsolète 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TK30S06 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak + télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 60 V 30A (TA) 6v, 10v 18OHM @ 15A, 10V 3V @ 1MA 28 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 10 V - 58W (TC)
TPCF8102(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8102 (TE85L, F, M -
RFQ
ECAD 8048 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat TPCF8102 MOSFET (Oxyde Métallique) VS-8 (2.9x1.5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 Canal p 20 V 6a (ta) 1,8 V, 4,5 V 30MOHM @ 3A, 4,5 V 1,2 V @ 200µA 19 NC @ 5 V ± 8v 1550 pf @ 10 V - 700MW (TA)
TPCA8018-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8018-H (TE12LQM -
RFQ
ECAD 8893 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPCA8018 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 30A (TA) 4,5 V, 10V 6,2MOHM @ 15A, 10V 2,5 V @ 1MA 34 NC @ 10 V ± 20V 2846 PF @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
RN1106MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3F 0,1600
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN1106 150 MW Vesm télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 4,7 kohms 47 kohms
MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU, LF 0,5800
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, plomb plat MT3S111 800mw Ufm télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 12,5 dB 6V 100 mA NPN 200 @ 30mA, 5V 10 GHz 0,6 dB ~ 0,85 dB à 500 MHz ~ 1 GHz
TK11A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A55D (STA4, Q, M) 2.5900
RFQ
ECAD 5991 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK11A55 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 550 V 11a (ta) 10V 630MOHM @ 5.5A, 10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 25 V - 45W (TC)
TK2A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK2A65D (STA4, Q, M) 1.4400
RFQ
ECAD 6893 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK2A65 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 2a (ta) 10V 3.26OHM @ 1A, 10V 4.4 V @ 1MA 9 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 25 V - 30W (TC)
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL, L1Q 1.6500
RFQ
ECAD 7346 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 8 powervdfn TPH4R10 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 100 V 92A (TA), 70A (TC) 4,5 V, 10V 4.1MOHM @ 35A, 10V 2,5 V @ 1MA 75 NC @ 10 V ± 20V 6300 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 67W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock