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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | 2SA1020-Y, T6NSF (J | - | ![]() | 2103 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | 2SA1020 | 900 MW | To-92mod | télécharger | 1 (illimité) | 2SA1020-YT6NSF (J | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 2 A | 1µA (ICBO) | Pnp | 500 mV @ 50mA, 1A | 70 @ 500mA, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | TK2R4E08QM, S1X | 3.1800 | ![]() | 196 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | U-mosx-h | Tube | Actif | 175 ° C | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 80 V | 120A (TC) | 6v, 10v | 2 44MOHM @ 50A, 10V | 3,5 V @ 2,2MA | 178 NC @ 10 V | ± 20V | 13000 PF @ 40 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | 2SK2962 (T6cano, F, M | - | ![]() | 2604 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | 2SK2962 | To-92mod | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 1A (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3128 (Q) | - | ![]() | 4970 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | 2SK3128 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p (n) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 30 V | 60a (TA) | 10V | 12MOHM @ 30A, 10V | 3V @ 1MA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 2300 pf @ 10 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | TK62J60W, S1VQ | 16.3700 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Dtmosiv | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | TK62J60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p (n) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 600 V | 61.8A (TA) | 10V | 38MOHM @ 30.9A, 10V | 3,7 V @ 3,1MA | 180 NC @ 10 V | ± 30V | 6500 pf @ 300 V | - | 400W (TC) | |||||||||||||||
![]() | TK12A80W, S4X | 3.1200 | ![]() | 4351 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Dtmosiv | Tube | Actif | 150 ° C | Par le trou | À 220-3 EXCHET | TK12A80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220sis | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 11.5A (TA) | 10V | 450mohm @ 5.8a, 10v | 4V @ 570µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 300 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||
![]() | 2SC5201 (T6Muratafm | - | ![]() | 5065 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | 2SC5201 | 900 MW | To-92mod | télécharger | 1 (illimité) | 2SC5201T6MURATAFM | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 600 V | 50 mA | 1µA (ICBO) | NPN | 1v @ 500mA, 20mA | 100 @ 20mA, 5V | - | |||||||||||||||||||
![]() | SSM3J356R, LXHF | 0.4900 | ![]() | 7563 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C | Support de surface | SOT-23-3 PLATS PLATS | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 264-SSM3J356R, LXHFCT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 2a (ta) | 4V, 10V | 300MOHM @ 1A, 10V | 2v @ 1MA | 8.3 NC @ 10 V | + 10v, -20V | 330 pf @ 10 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||
![]() | RN4909FE, LXHF (CT | 0,3800 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | RN4909 | 100 MW | ES6 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | 50v | 100 mA | 500NA | 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) | 300 mV à 250µa, 5mA | 70 @ 10mA, 5V | 200 MHz, 250 MHz | 47 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||
![]() | RN1318 (TE85L, F) | 0,2800 | ![]() | 470 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | RN1318 | 100 MW | SC-70 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 250µa, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||
![]() | RN1509 (TE85L, F) | 0,0865 | ![]() | 2966 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-74A, SOT-753 | RN1509 | 300mw | SMV | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 50v | 100 mA | 100NA (ICBO) | 2 npn - Pré-biaisé (double) (couple d'émetteur) | 300 mV à 250µa, 5mA | 70 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||||
![]() | TPC8213-H (TE12LQ, M | - | ![]() | 7881 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | TPC8213 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 450mw | 8-SOP (5.5x6.0) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 60V | 5A | 50MOHM @ 2,5A, 10V | 2.3V @ 1mA | 11nc @ 10v | 625pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||
![]() | 2SC2383-Y (T6DNS, FM | - | ![]() | 8306 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | 2SC2383 | 900 MW | To-92mod | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 160 V | 1 a | 1µA (ICBO) | NPN | 1,5 V @ 50mA, 500mA | 60 @ 200mA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | RN2108 (T5L, F, T) | 0,2800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-75, SOT-416 | RN2108 | 100 MW | SSM | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pré-biaisé | 300 mV à 250µa, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 22 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||
![]() | Ssm6n16fute85lf | 0,5000 | ![]() | 600 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SSM6N16 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 200 MW | US6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 100 mA | 3OHM @ 10mA, 4V | 1,1 V @ 100µA | - | 9.3pf @ 3v | - | |||||||||||||||||
![]() | 2SC2655-Y (T6ND1, AF | - | ![]() | 5882 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | 2SC2655 | 900 MW | To-92mod | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 2 A | 1µA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 50mA, 1A | 70 @ 500mA, 2V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | RN2311, LXHF | 0,3900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | RN2311 | 100 MW | SC-70 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV à 250µa, 5mA | 120 @ 1MA, 5V | 200 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1586-Y (T5lnd, F) | - | ![]() | 5318 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 100 MW | SC-70 | télécharger | 1 (illimité) | 264-2SA1586-Y (T5LNDF) TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 300 mV @ 10mA, 100mA | 120 @ 2MA, 6V | 80 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | TPCC8066-H, LQ (S | - | ![]() | 6818 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | U-mosvii-h | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | TPCC8066 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Advance 8-Tson (3.1x3.1) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 15MOHM @ 5.5A, 10V | 2,3 V @ 100µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 10 V | - | 700MW (TA), 17W (TC) | |||||||||||||||
![]() | RN1406, LF | 0 2200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1406 | 200 MW | S-mini | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 250µa, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4,7 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||
![]() | TPH4R003NL, L1Q | 1.0700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | U-mosviii-h | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | TPH4R003 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Advance 8-SOP (5x5) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 200µA | 14.8 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 15 V | - | 1.6W (TA), 36W (TC) | |||||||||||||||
![]() | 2SJ438 (Aisin, A, Q) | - | ![]() | 3224 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | Par le trou | À 220-3 EXCHET | 2SJ438 | À 220nis | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 5A (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2310, LXHF | 0,3900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | RN2310 | 100 MW | SC-70 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV à 250µa, 5mA | 120 @ 1MA, 5V | 200 MHz | 4,7 kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | TK12J60U (F) | - | ![]() | 9902 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Dtmosii | Plateau | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | TK12J60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p (n) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 12A (TA) | 10V | 400mohm @ 6a, 10v | 5V @ 1MA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 720 pf @ 10 V | - | 144W (TC) | |||||||||||||||
![]() | 2SK4016 (Q) | - | ![]() | 1323 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | 2SK4016 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220sis | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 13a (ta) | 10V | 500 mohm @ 6,5a, 10v | 4V @ 1MA | 62 NC @ 10 V | ± 30V | 3100 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | TJ8S06M3L, LXHQ | 0,9500 | ![]() | 8204 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | U-mosvi | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 175 ° C | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TJ8S06 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak + | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 60 V | 8a (ta) | 6v, 10v | 104MOHM @ 4A, 10V | 3V @ 1MA | 19 NC @ 10 V | + 10v, -20V | 890 pf @ 10 V | - | 27W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | RN4904 (T5L, F, T) | - | ![]() | 1192 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN4904 | 200 MW | US6 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 50v | 100 mA | 500NA | 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) | 300 mV à 250µa, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||
![]() | MT3S20P (TE12L, F) | - | ![]() | 2879 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | MT3S20 | 1,8 W | Pw-mini | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 16,5 dB | 12V | 80m | NPN | 100 @ 50mA, 5V | 7 GHz | 1,45 dB à 1Hz | |||||||||||||||||||
![]() | TK4P50D (T6RSS-Q) | - | ![]() | 2672 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | π-mosvii | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Tk4p50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TK4P50DT6RSSQ | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 500 V | 4a (ta) | 10V | 2OHM @ 2A, 10V | 4.4 V @ 1MA | 9 NC @ 10 V | ± 30V | 380 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||||
![]() | 2SC2235-Y, T6USNF (M | - | ![]() | 4600 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | 2SC2235 | 900 MW | To-92mod | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 80 @ 100mA, 5V | 120 MHz |
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