SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
2SA1020-Y,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6NSF (J -
RFQ
ECAD 2103 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA1020 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) 2SA1020-YT6NSF (J EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) Pnp 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
TK2R4E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4E08QM, S1X 3.1800
RFQ
ECAD 196 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosx-h Tube Actif 175 ° C Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 80 V 120A (TC) 6v, 10v 2 44MOHM @ 50A, 10V 3,5 V @ 2,2MA 178 NC @ 10 V ± 20V 13000 PF @ 40 V - 300W (TC)
2SK2962(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 (T6cano, F, M -
RFQ
ECAD 2604 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SK2962 To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
2SK3128(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3128 (Q) -
RFQ
ECAD 4970 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 2SK3128 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p (n) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 30 V 60a (TA) 10V 12MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1MA 66 NC @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 10 V - 150W (TC)
TK62J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK62J60W, S1VQ 16.3700
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 TK62J60 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p (n) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 61.8A (TA) 10V 38MOHM @ 30.9A, 10V 3,7 V @ 3,1MA 180 NC @ 10 V ± 30V 6500 pf @ 300 V - 400W (TC)
TK12A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A80W, S4X 3.1200
RFQ
ECAD 4351 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TK12A80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme Non applicable EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 11.5A (TA) 10V 450mohm @ 5.8a, 10v 4V @ 570µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 300 V - 45W (TC)
2SC5201(T6MURATAFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 (T6Muratafm -
RFQ
ECAD 5065 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC5201 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) 2SC5201T6MURATAFM EAR99 8541.21.0095 1 600 V 50 mA 1µA (ICBO) NPN 1v @ 500mA, 20mA 100 @ 20mA, 5V -
SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R, LXHF 0.4900
RFQ
ECAD 7563 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface SOT-23-3 PLATS PLATS MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23F télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 264-SSM3J356R, LXHFCT EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 60 V 2a (ta) 4V, 10V 300MOHM @ 1A, 10V 2v @ 1MA 8.3 NC @ 10 V + 10v, -20V 330 pf @ 10 V - 1W (ta)
RN4909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN4909 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz, 250 MHz 47 kohms 22 kohms
RN1318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1318 (TE85L, F) 0,2800
RFQ
ECAD 470 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN1318 100 MW SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 10 kohms
RN1509(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1509 (TE85L, F) 0,0865
RFQ
ECAD 2966 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-74A, SOT-753 RN1509 300mw SMV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) (couple d'émetteur) 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 22 kohms
TPC8213-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8213-H (TE12LQ, M -
RFQ
ECAD 7881 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TPC8213 MOSFET (Oxyde Métallique) 450mw 8-SOP (5.5x6.0) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 60V 5A 50MOHM @ 2,5A, 10V 2.3V @ 1mA 11nc @ 10v 625pf @ 10v Porte de Niveau Logique
2SC2383-Y(T6DNS,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-Y (T6DNS, FM -
RFQ
ECAD 8306 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2383 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 160 V 1 a 1µA (ICBO) NPN 1,5 V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 100 MHz
RN2108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108 (T5L, F, T) 0,2800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2108 100 MW SSM télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm6n16fute85lf 0,5000
RFQ
ECAD 600 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N16 MOSFET (Oxyde Métallique) 200 MW US6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 100 mA 3OHM @ 10mA, 4V 1,1 V @ 100µA - 9.3pf @ 3v -
2SC2655-Y(T6ND1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6ND1, AF -
RFQ
ECAD 5882 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2655 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
RN2311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311, LXHF 0,3900
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2311 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 10 kohms
2SA1586-Y(T5LND,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y (T5lnd, F) -
RFQ
ECAD 5318 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) 264-2SA1586-Y (T5LNDF) TR EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) Pnp 300 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80 MHz
TPCC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8066-H, LQ (S -
RFQ
ECAD 6818 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvii-h Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPCC8066 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.1x3.1) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 11a (ta) 4,5 V, 10V 15MOHM @ 5.5A, 10V 2,3 V @ 100µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 10 V - 700MW (TA), 17W (TC)
RN1406,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1406, LF 0 2200
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1406 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4,7 kohms 47 kohms
TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R003NL, L1Q 1.0700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPH4R003 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 40A (TC) 4,5 V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2,3 V @ 200µA 14.8 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 15 V - 1.6W (TA), 36W (TC)
2SJ438(AISIN,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438 (Aisin, A, Q) -
RFQ
ECAD 3224 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Par le trou À 220-3 EXCHET 2SJ438 À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 5A (TJ)
RN2310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310, LXHF 0,3900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2310 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 4,7 kohms
TK12J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60U (F) -
RFQ
ECAD 9902 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosii Plateau Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 TK12J60 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p (n) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 12A (TA) 10V 400mohm @ 6a, 10v 5V @ 1MA 14 NC @ 10 V ± 30V 720 pf @ 10 V - 144W (TC)
2SK4016(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4016 (Q) -
RFQ
ECAD 1323 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SK4016 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 13a (ta) 10V 500 mohm @ 6,5a, 10v 4V @ 1MA 62 NC @ 10 V ± 30V 3100 pf @ 25 V - 50W (TC)
TJ8S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L, LXHQ 0,9500
RFQ
ECAD 8204 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TJ8S06 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak + télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal p 60 V 8a (ta) 6v, 10v 104MOHM @ 4A, 10V 3V @ 1MA 19 NC @ 10 V + 10v, -20V 890 pf @ 10 V - 27W (TC)
RN4904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4904 (T5L, F, T) -
RFQ
ECAD 1192 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4904 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P (TE12L, F) -
RFQ
ECAD 2879 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa MT3S20 1,8 W Pw-mini - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 16,5 dB 12V 80m NPN 100 @ 50mA, 5V 7 GHz 1,45 dB à 1Hz
TK4P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P50D (T6RSS-Q) -
RFQ
ECAD 2672 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Tk4p50 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TK4P50DT6RSSQ EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 500 V 4a (ta) 10V 2OHM @ 2A, 10V 4.4 V @ 1MA 9 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 25 V - 80W (TC)
2SC2235-Y,T6USNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y, T6USNF (M -
RFQ
ECAD 4600 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2235 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock