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Transistors (2488)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963 (TE85L, F) 0 4700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1963 200 MW US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
2SC3668-Y,T2WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y, T2WNLF (J -
RFQ
 ECAD 8244 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou SC-71 2SC3668 1 W MSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
RN2403,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2403, LXHF 0,3400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2403 200 MW S-mini télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
2SC4215-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4215-O (TE85L, F) 0,0946
RFQ
 ECAD 6491 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 2SC4215 100 MW SC-70 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 23 dB 30V 20 mA NPN 40 @ 1MA, 6V 550 MHz 5 dB à 100 MHz
2SC4116-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-Gr, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 2SC4116 100 MW SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80 MHz
RN4902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE, LF (CT 0,2700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN4902 100 MW ES6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz, 200 MHz 10 kohms 10 kohms
2SC2655-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, T6F (J -
RFQ
 ECAD 7873 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2655 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
2SA1020-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6CN, A, F -
RFQ
 ECAD 6615 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA1020 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) Pnp 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1702JE (TE85L, F) 0 4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-553 RN1702 100 MW ESV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) (couple d'émetteur) 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
2SC5088-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5088-O (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8450 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) Support de surface SC-82A, SOT-343 2SC5088 100 MW USQ - 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 18 dB 12V 80m NPN 80 @ 20mA, 10V 7 GHz 1 dB à 500 MHz
TPCA8007-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8007-H (TE12L, Q -
RFQ
 ECAD 8492 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban de Coupé (CT) Obsolète TPCA8007 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000
RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2303 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV, L3XHF (CT 0,3400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN1102 150 MW Vesm télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 50 @ 10mA, 5V 10 kohms 10 kohms
RN2110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV, L3F 0,2000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN2110 150 MW Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 4,7 kohms
TK4R1A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R1A10PL, S4X 2.0400
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 175 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TK4R1A10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 80A (TC) 4,5 V, 10V 4.1MOHM @ 40A, 10V 2,5 V @ 1MA 104 NC @ 10 V ± 20V 6320 PF @ 50 V - 54W (TC)
XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Xpn6r706nc, l1xhq 1.4200
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface 8 powervdfn Xpn6r706 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-Tson Advance-WF (3.1x3.1) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 40A (TA) 4,5 V, 10V 6,7MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 300µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 10 V - 840mw (TA), 100W (TC)
TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W, RVQ 1.0490
RFQ
 ECAD 4795 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Tk12p60 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 600 V 11.5A (TA) 10V 340mohm @ 5.8a, 10v 3,7 V @ 600µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 PF @ 300 V - 100W (TC)
2SC4116-BL,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-BL, LXHF 0,3300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 350 @ 2MA, 6V 80 MHz
2SC2229-Y(MIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (MIT, F, M) -
RFQ
 ECAD 4110 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2229 800 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 1MA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120 MHz
2SC3138-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3138-Y (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5873 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3138 150 MW À 236 - 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 200 V 50 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 1MA, 10mA 120 @ 10mA, 3V 100 MHz
TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306P1, L1Q 2.4900
RFQ
 ECAD 3131 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosix-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface 8 powervdfn TPH1R306 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 100A (TC) 4,5 V, 10V 1 28MOHM @ 50A, 10V 2,5 V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 30 V - 960mw (TA), 170W (TC)
TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL, L1Q 2.0600
RFQ
 ECAD 51 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosix-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface 8 powervdfn TPHR6503 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 150a (TC) 4,5 V, 10V 0,65 mohm @ 50a, 10v 2.1V @ 1MA 110 NC @ 10 V ± 20V 10000 pf @ 15 V - 960mw (TA), 170W (TC)
RN1108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 5255 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-101, SOT-883 RN1108 50 MW CST3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 20 V 50 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 120 @ 10mA, 5V 22 kohms 47 kohms
SSM3J377R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J377R, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface SOT-23-3 PLATS PLATS SSM3J377 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23F télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 3.9A (TA) 1,5 V, 4,5 V 93MOHM @ 1,5A, 4,5 V 1v @ 1MA 4,6 NC @ 4,5 V + 6v, -8V 290 pf @ 10 V - 1W (ta)
RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113ACT (TPL3) 0,3400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-101, SOT-883 RN113 100 MW CST3 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 V 80 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 47 kohms
2SC5233BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5233BTE85LF -
RFQ
 ECAD 8582 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 2SC5233 100 MW USM - 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 12 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10mA, 200mA 500 @ 10mA, 2V 130 MHz
2SC4944-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944-Y (TE85L, F) 0,3500
RFQ
 ECAD 557 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SC4944 200 MW USV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 150m 100NA (ICBO) 2 npn (double) paire appariée, émetteur commun 250 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80 MHz
RN2310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2310 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 4,7 kohms
RN2417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2417 (TE85L, F) 0,2800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200 MW S-mini télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 4,7 kohms
RN49A2,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN49A2, LF (CT 0,2700
RFQ
 ECAD 64 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN49A2 200 MW US6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100 µA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz, 200 MHz 47 kohms 47 kohms
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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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